涂布膜的加热装置和光刻胶的处理装置

    公开(公告)号:CN1702561A

    公开(公告)日:2005-11-30

    申请号:CN200510082468.0

    申请日:2001-12-26

    Abstract: 为了提高涂布膜或光刻胶的均匀性,本发明提供了一种涂布膜加热装置和光刻胶的处理装置。本发明的涂布膜的加热装置具有内部空间的腔室;上述腔室内具有支撑被处理衬底的载置面并用于加热上述被处理衬底的加热板,所述被处理衬底具有涂布膜;以及对着上述载置面配置于上述腔室内的、用于吸附由上述被处理衬底产生的蒸发物的吸附板。

    加热处理装置的温度校正方法、显影处理装置的调整方法和半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN1577082A

    公开(公告)日:2005-02-09

    申请号:CN200410062569.7

    申请日:2004-06-30

    CPC classification number: G03F7/70683 G03F7/40

    Abstract: 本发明的温度校正方法可以抑制因装置间的温度不同而使得感光性树脂膜所得到的实效性的曝光量在装置间变动。包括:准备多个加热处理装置的工序;用所准备的各个加热处理装置,用多个设定温度,对已形成了曝光量监视图形的衬底进行加热处理的工序;在上述加热处理后进行冷却处理的工序;在上述冷却处理后进行显影处理的工序;在上述冷却处理后或上述显影处理后的任何一者中,测定曝光量监视图形的状态的工序;根据多个设定温度和所测定的曝光量监视图形的状态,对各个加热处理装置求设定温度与实效曝光量的关系的工序;根据所求得的关系,对各个加热处理装置进行修正,使得能够得到规定的实效性的曝光量的工序。

    显影方法及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN1841213B

    公开(公告)日:2011-12-21

    申请号:CN200610076499.X

    申请日:2003-01-28

    Abstract: 一种进行曝光有所希望的图案的感光性抗蚀剂膜的显影的显影方法,包括:对曝光的上述感光性抗蚀剂膜进行第1显影处理;对进行了第1显影处理的感光性抗蚀剂膜,提供对该抗蚀剂膜表面具有氧化性的,或者是碱性的洗净液,进行第1洗净处理;对完成了第1洗净处理的上述感光性抗蚀剂膜进行第2显影处理;对进行了第2显影处理的上述感光性抗蚀剂膜进行第2洗净处理。

    结构检查、图形形成、工艺条件确定及半导体器件制造方法

    公开(公告)号:CN100437895C

    公开(公告)日:2008-11-26

    申请号:CN200510005081.5

    申请日:2005-01-31

    CPC classification number: G03F7/70625 G01N21/956

    Abstract: 本发明据以下所确定的各物质的构成比确定被评价物的结构:测定设于预定环境中被评价物的反射光强度的波长色散;准备构成上述被评价物及上述波长色散测定的上述环境各物质的复折射率;设定假定构成上述被评价物的物质与构成上述环境的物质的混合率的多个设想构成比;相对于各设想构成比,通过应用上述各物质的复折射率的多重干涉计算从而算出设想反射率波长色散;从上述多个设想反射率波长色散中,提取多个与上述反射率波长色散测定值误差小的类似反射率波长色散计算值;将提取的类似反射率波长色散的计算中所用的设想构成比按上述误差越小权重越大进行加权平均以确定上述各物质的构成比。

    加热处理装置的温度校正方法、显影处理装置的调整方法和半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN1292457C

    公开(公告)日:2006-12-27

    申请号:CN200410062569.7

    申请日:2004-06-30

    CPC classification number: G03F7/70683 G03F7/40

    Abstract: 本发明的温度校正方法可以抑制因装置间的温度不同而使得感光性树脂膜所得到的实效性的曝光量在装置间变动。包括:准备多个加热处理装置的工序;用所准备的各个加热处理装置,用多个设定温度,对已形成了曝光量监视图形的衬底进行加热处理的工序;在上述加热处理后进行冷却处理的工序;在上述冷却处理后进行显影处理的工序;在上述冷却处理后或上述显影处理后的任何一者中,测定曝光量监视图形的状态的工序;根据多个设定温度和所测定的曝光量监视图形的状态,对各个加热处理装置求设定温度与实效曝光量的关系的工序;根据所求得的关系,对各个加热处理装置进行修正,使得能够得到规定的实效性的曝光量的工序。

    结构检查、图形形成、工艺条件确定及半导体器件制造方法

    公开(公告)号:CN1649086A

    公开(公告)日:2005-08-03

    申请号:CN200510005081.5

    申请日:2005-01-31

    CPC classification number: G03F7/70625 G01N21/956

    Abstract: 本发明据以下所确定的各物质的构成比确定被评价物的结构:测定设于预定环境中被评价物的反射光强度的波长色散;准备构成上述被评价物及上述波长色散测定的上述环境各物质的复折射率;设定假定构成上述被评价物的物质与构成上述环境的物质的混合率的多个设想构成比;相对于各设想构成比,通过应用上述各物质的复折射率的多重干涉计算从而算出设想反射率波长色散;从上述多个设想反射率波长色散中,提取多个与上述反射率波长色散测定值误差小的类似反射率波长色散计算值;将提取的类似反射率波长色散的计算中所用的设想构成比按上述误差越小权重越大进行加权平均以确定上述各物质的构成比。

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