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公开(公告)号：CN1841213B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200610076499.X
申请日：2003-01-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/32 , G03F7/26 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种进行曝光有所希望的图案的感光性抗蚀剂膜的显影的显影方法，包括：对曝光的上述感光性抗蚀剂膜进行第1显影处理；对进行了第1显影处理的感光性抗蚀剂膜，提供对该抗蚀剂膜表面具有氧化性的，或者是碱性的洗净液，进行第1洗净处理；对完成了第1洗净处理的上述感光性抗蚀剂膜进行第2显影处理；对进行了第2显影处理的上述感光性抗蚀剂膜进行第2洗净处理。
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公开(公告)号：CN1811603B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200610006126.5
申请日：2002-05-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/32 , G03F7/42 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31133 , G03F7/3021 , G03F7/322 , G03F7/422 , G03F7/425
Abstract: 为抑制光刻胶膜显影时产生缺陷或者产生疏密图形尺寸差，利用显影液供给喷嘴111在表面已形成经曝光感光性光刻胶膜的被处理基板100上供给溶解有氧化性气体分子的显影液，进行感光性光刻胶膜的显影。
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公开(公告)号：CN1220245C
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN02103561.X
申请日：2002-02-07
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种图形形成方法，包含前处理工序、显影工序、及清洗工序；在该前处理工序中，将具有氧化作用的氧化性液体涂覆到曝光后的感光性抗蚀剂膜(301a、b)的表面，由该氧化性液体氧化该抗蚀剂膜的表面，形成氧化层(310)；在该显影工序中，向氧化了表面的上述感光性抗蚀剂膜供给显影液(302)，进行该抗蚀剂膜的显影；在该清洗工序中，向上述被处理基板的表面供给清洗液，对该基板进行清洗。这样，可抑制形成于抗蚀剂的图形的基板整个区域和微小区域的尺寸差，减少在显影工序中产生的缺陷。
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公开(公告)号：CN1460895A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN03131416.3
申请日：2003-05-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027
CPC classification number: H01L23/544 , B23K26/066 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2103/172 , G03F7/2026 , G03F7/70341 , G03F9/7076 , G03F9/708 , G03F9/7084 , G21K5/10 , H01J2237/30438 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , Y10S438/949 , H01L2924/00
Abstract: 一种进行选择性地除去在衬底上形成的加工膜的加工区域或进行减少膜厚的加工的加工方法，其特征在于包括：使在上述衬底上的照射形状比上述加工区域小的第1加工光，对上述衬底相对地扫描以选择性地进行上述加工区域的加工膜的加工的工序；和向比上述加工区域更往内侧的区域照射第2加工光，选择性地进行比上述加工区域更往内侧的区域的上述加工膜的加工的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1811603A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610006126.5
申请日：2002-05-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/32 , G03F7/42 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31133 , G03F7/3021 , G03F7/322 , G03F7/422 , G03F7/425
Abstract: 为抑制光刻胶膜显影时产生缺陷或者产生疏密图形尺寸差，利用显影液供给喷嘴111在表面已形成经曝光感光性光刻胶膜的被处理基板100上供给溶解有氧化性气体分子的显影液，进行感光性光刻胶膜的显影。
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公开(公告)号：CN1266549C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN03102209.X
申请日：2003-01-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/30 , G03F7/26 , H01L21/027 , B05B1/00
CPC classification number: G03F7/3021 , H01L21/31133 , Y10S134/902
Abstract: 一种基板处理方法包括：向基板上提供处理液；从被设置在喷嘴上的第1喷出区域对基板连续喷出第1洗净液的同时，使上述喷嘴和上述基板相对地在一方向上移动；其中，上述第1喷出区域的与上述一方向正交的方向的长度，在上述基板的最大直径或者最长边同等长度以上；上述喷嘴，从第1吹出区域对上述基板连续吹付第1气体，第1吹出区域的与上述一方向正交的方向的长度，在上述基板的最大直径或者最长边的同等长度以上。
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公开(公告)号：CN1452215A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN03109850.9
申请日：2003-04-11
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , H01L21/00 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/7065 , G03F7/40
Abstract: 本发明可以局部地修正感光性树脂图案的异常，除去重复加工基板，降低制造成本。是包含，在基板上形成被加工膜的步骤S11、在被加工膜的主面上形成抗蚀剂膜的步骤、在抗蚀剂膜上曝光所希望的图案的步骤、显影抗蚀剂膜形成抗蚀剂图案的步骤S12、检查抗蚀剂图案的尺寸或者形状的异常的步骤S13、对由S13检测出的异常位置实施修正处理的步骤S14、用修正后的抗蚀剂图案选择蚀刻被加工膜的步骤S15的图案形成方法，在S13以及S14中使用把DUV光作为光源的相同的光学装置连续进行S13和S14，并且在S13中向抗蚀剂表面提供氮气，在S14中向抗蚀剂表面提供氧气。
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公开(公告)号：CN1435733A
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN03102209.X
申请日：2003-01-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/30 , G03F7/26 , H01L21/027 , B05B1/00
CPC classification number: G03F7/3021 , H01L21/31133 , Y10S134/902
Abstract: 一种基板处理方法包括：向基板上提供处理液；从被设置在喷嘴上的第1喷出区域对基板连续喷出第1洗净液的同时，使上述喷嘴和上述基板相对地在一方向上移动；其中，上述第1喷出区域的与上述一方向正交的方向的长度，在上述基板的最大直径或者最长边同等长度以上；上述喷嘴，从第1吹出区域对上述基板连续吹付第1气体，第1吹出区域的与上述一方向正交的方向的长度，在上述基板的最大直径或者最长边的同等长度以上。
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公开(公告)号：CN1385760A
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN02119275.8
申请日：2002-05-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/30 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31133 , G03F7/3021 , G03F7/322 , G03F7/422 , G03F7/425
Abstract: 为抑制光刻胶膜显影时产生缺陷或者产生疏密图形尺寸差,利用显影液供给喷嘴111在表面已形成经曝光感光性光刻胶膜的被处理基板100上供给溶解有氧化性气体分子的显影液,进行感光性光刻胶膜的显影。
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