公开(公告)号：CN1479172A

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN03150313.6

申请日：2003-07-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 早崎圭 ,  伊藤信一 ,  竹石知之 ,  川野健二 ,  江间达彦

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

CPC classification number: G03F7/40

Abstract: 一种图形形成方法，其特征在于：具备：在衬底上形成感光性树脂膜的工序；使上述感光性树脂膜曝光的工序；向上述感光性树脂膜上供给显影液，形成上述感光性树脂膜的图形的工序；采用使已活性化的水与上述图形接触的办法，进行除去上述图形的表层的细化处理的工序。

公开(公告)号：CN1347137A

公开(公告)日：2002-05-01

申请号：CN01140673.9

申请日：2001-09-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 江间达彦 ,  伊藤信一

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  G03F7/16

Abstract: 本发明提供了成膜方法和成膜装置,液状膜形成部分由保护膜滴液喷嘴102和使该保护膜滴液喷嘴102沿y方向移动的喷嘴移动机构以及设置在直径200mm的被处理基板110上的使被处理基板110沿x方向移动的被处理基板移动台构成。液状膜干燥部分由吸嘴101和与吸嘴101相连的真空泵103构成。另外,被处理基板移动台也是构成液状膜干燥部分的一部分。利用上述成膜方法及装置,可以抑制涂膜的膜厚不均现象,缩短形成涂膜所需的时间。

公开(公告)号：CN1841213B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200610076499.X

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 早崎圭 ,  伊藤信一 ,  江间达彦 ,  高桥理一郎

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/26 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 一种进行曝光有所希望的图案的感光性抗蚀剂膜的显影的显影方法，包括：对曝光的上述感光性抗蚀剂膜进行第1显影处理；对进行了第1显影处理的感光性抗蚀剂膜，提供对该抗蚀剂膜表面具有氧化性的，或者是碱性的洗净液，进行第1洗净处理；对完成了第1洗净处理的上述感光性抗蚀剂膜进行第2显影处理；对进行了第2显影处理的上述感光性抗蚀剂膜进行第2洗净处理。

公开(公告)号：CN1201375C

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN01140672.0

申请日：2001-09-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 江间达彦 ,  伊藤信一 ,  奥村胜弥

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  G03F7/16

Abstract: 公开了液态膜干燥方法及干燥装置。所述干燥方法包括以下工序：使具有贯通孔204的整流板200以不接触液态膜的距离靠近该被处理基板上方的工序，使整流板200旋转从而使被处理基板101的上方与整流板200的下表面之间产生气流的工序，使含有溶质的液态膜与气流接触、将液态膜中的溶剂除去，在被处理基板101上形成由前述溶质构成的固相膜的工序。使用该液态膜干燥方法，可获得良好的膜厚均匀性，同时对处理时间进行控制以提高生产率。

公开(公告)号：CN1435863A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN03102108.5

申请日：2003-01-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  江间达彦 ,  早崎圭 ,  中田錬平 ,  山田展英 ,  奥村勝弥

IPC: H01L21/027 ,  B05C9/12 ,  G03F7/16

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/288 ,  H01L21/31633

Abstract: 在一边从设于喷嘴的排出口，对衬底连续地排出调整后的溶液使其在上述衬底上蔓延规定量，一边相对移动上述喷嘴和衬底，在上述衬底上留下供给的溶液，并在上述衬底上形成液膜的成膜方法中，设定上述喷嘴的排出口与上述衬底的距离h为2mm以上，而且对于上述溶液表面张力γ(N/m)、从上述排出口连续地排出的溶液排出速度q(m/sec)、和常数5×10－5(m·sec/N)，为不足5×10－5qγ(mm)的范围内。

公开(公告)号：CN1266549C

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN03102209.X

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 早崎圭 ,  伊藤信一 ,  江间达彦 ,  高桥理一郎

IPC: G03F7/30 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  B05B1/00

CPC classification number: G03F7/3021 ,  H01L21/31133 ,  Y10S134/902

Abstract: 一种基板处理方法包括：向基板上提供处理液；从被设置在喷嘴上的第1喷出区域对基板连续喷出第1洗净液的同时，使上述喷嘴和上述基板相对地在一方向上移动；其中，上述第1喷出区域的与上述一方向正交的方向的长度，在上述基板的最大直径或者最长边同等长度以上；上述喷嘴，从第1吹出区域对上述基板连续吹付第1气体，第1吹出区域的与上述一方向正交的方向的长度，在上述基板的最大直径或者最长边的同等长度以上。

公开(公告)号：CN1435733A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN03102209.X

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 早崎圭 ,  伊藤信一、 ,  江间达彦 ,  高桥理一郎

IPC: G03F7/30 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  B05B1/00

CPC classification number: G03F7/3021 ,  H01L21/31133 ,  Y10S134/902

Abstract: 一种基板处理方法包括：向基板上提供处理液；从被设置在喷嘴上的第1喷出区域对基板连续喷出第1洗净液的同时，使上述喷嘴和上述基板相对地在一方向上移动；其中，上述第1喷出区域的与上述一方向正交的方向的长度，在上述基板的最大直径或者最长边同等长度以上；上述喷嘴，从第1吹出区域对上述基板连续吹付第1气体，第1吹出区域的与上述一方向正交的方向的长度，在上述基板的最大直径或者最长边的同等长度以上。

公开(公告)号：CN1330394A

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：CN01121836.3

申请日：2001-06-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 江间达彦 ,  伊藤信一

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02052 ,  G03F7/32 ,  G03F7/40

Abstract: 一种衬底处理方法,对用光刻胶12进行LSI图形曝光的被加工衬底11,用TMAH显影液进行显影后,清洗露出表面。作为第1清洗工序,通过边使衬底11以500rpm进行旋转,边用溶解有3ppm臭氧气体的臭氧水17进行15秒的清洗,使附着于衬底11的露出表面上的有机物分解,然后,作为第2清洗工序,通过边使衬底11以500rpm进行旋转,边用溶解有1.2ppm氢气的氢气水18进行15秒的清洗处理,把分解后的有机物除去到衬底之外。

公开(公告)号：CN1841213A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610076499.X

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 早崎圭 ,  伊藤信一 ,  江间达彦 ,  高桥理一郎

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/26 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 一种进行曝光有所希望的图案的感光性抗蚀剂膜的显影的显影方法，包括：对曝光的上述感光性抗蚀剂膜进行第1显影处理；对进行了第1显影处理的感光性抗蚀剂膜，提供对该抗蚀剂膜表面具有氧化性的，或者是碱性的洗净液，进行第1洗净处理；对完成了第1洗净处理的上述感光性抗蚀剂膜进行第2显影处理；对进行了第2显影处理的上述感光性抗蚀剂膜进行第2洗净处理。

公开(公告)号：CN1261976C

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN03102108.5

申请日：2003-01-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  江间达彦 ,  早崎圭 ,  中田錬平 ,  山田展英 ,  奥村勝弥

IPC: H01L21/027 ,  B05C9/12 ,  G03F7/16

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/288 ,  H01L21/31633

Abstract: 在一边从设于喷嘴的排出口，对衬底连续地排出调整后的溶液使其在上述衬底上蔓延规定量，一边相对移动上述喷嘴和衬底，在上述衬底上留下供给的溶液，并在上述衬底上形成液膜的成膜方法中，设定上述喷嘴的排出口与上述衬底的距离h为2mm以上，而且对于上述溶液表面张力γ(N/m)、从上述排出口连续地排出的溶液排出速度q(m/sec)、和常数5×10-5(m·sec/N)，为不足5×10-5qγ(mm)的范围内。