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公开(公告)号：CN1924702A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610142247.2
申请日：2004-11-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及图形形成方法和半导体器件的制造方法。本发明的目的在于实现用来形成今后所需要的微细的抗蚀剂图形的图形形成方法。本图形形成方法，具有：在衬底上形成第1抗蚀剂图形的工序(步骤S2)；向第1抗蚀剂图形上照射光的工序(步骤S3)；在第1抗蚀剂图形与抗蚀剂膜之间的界面上形成交联层，形成包括该交联层和第1抗蚀剂图形的第2抗蚀剂图形的工序(步骤S4)，在步骤S3中，根据在步骤S11－S13中预先求得的收缩量和照射量之间的对应关系，将要向第1抗蚀剂图形上照射的光的量设定为使得第2抗蚀剂图形的尺寸变成为规定的尺寸。
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公开(公告)号：CN1811603A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610006126.5
申请日：2002-05-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/32 , G03F7/42 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31133 , G03F7/3021 , G03F7/322 , G03F7/422 , G03F7/425
Abstract: 为抑制光刻胶膜显影时产生缺陷或者产生疏密图形尺寸差，利用显影液供给喷嘴111在表面已形成经曝光感光性光刻胶膜的被处理基板100上供给溶解有氧化性气体分子的显影液，进行感光性光刻胶膜的显影。
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公开(公告)号：CN1641833A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN200510002154.5
申请日：2005-01-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/027 , G03F7/26 , G02F1/136
CPC classification number: H01L21/02282 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/168 , H01L21/0274 , H01L21/312
Abstract: 本发明的目的是抑制多层抗蚀剂工艺中的上层抗蚀剂膜的倒塌。其解决方案是，在包含对被处理基板的主面供给含有涂敷型薄膜形成物质和溶剂的液体以形成液状的涂敷膜的工序，以及对上述涂敷膜进行上述溶剂的除去和使上述涂敷型薄膜形成物质发生非可逆的反应用的加热处理以形成固形的薄膜的工序的成膜方法中，使在上述涂敷膜的膜厚变动大致结束后到开始上述加热处理为止的待机时间与上述涂敷膜表面附近的每单位体积的水分量的积为大于等于规定值。
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公开(公告)号：CN1619770A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410091568.5
申请日：2004-11-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/027 , G03F7/00
Abstract: 本发明涉及图形形成方法和半导体器件的制造方法。本发明的目的在于实现用来形成今后所需要的微细的抗蚀剂图形的图形形成方法。本图形形成方法，具有：在衬底上形成第1抗蚀剂图形的工序(步骤S2)；向第1抗蚀剂图形上照射光的工序(步骤S3)；在第1抗蚀剂图形与抗蚀剂膜之间的界面上形成交联层，形成包括该交联层和第1抗蚀剂图形的第2抗蚀剂图形的工序(步骤S4)，在步骤S3中，根据在步骤S11－S113中预先求得的收缩量和照射量之间的对应关系，将要向第1抗蚀剂图形上照射的光的量设定为使得第2抗蚀剂图形的尺寸变成为规定的尺寸。
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公开(公告)号：CN1385760A
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN02119275.8
申请日：2002-05-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/30 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31133 , G03F7/3021 , G03F7/322 , G03F7/422 , G03F7/425
Abstract: 为抑制光刻胶膜显影时产生缺陷或者产生疏密图形尺寸差,利用显影液供给喷嘴111在表面已形成经曝光感光性光刻胶膜的被处理基板100上供给溶解有氧化性气体分子的显影液,进行感光性光刻胶膜的显影。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100356511C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200510002154.5
申请日：2005-01-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/027 , G03F7/26 , G02F1/136
CPC classification number: H01L21/02282 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/168 , H01L21/0274 , H01L21/312
Abstract: 本发明的目的是抑制多层抗蚀剂工艺中的上层抗蚀剂膜的倒塌。其解决方案是，在包含对被处理基板的主面供给含有涂敷型薄膜形成物质和溶剂的液体以形成液状的涂敷膜的工序，以及对上述涂敷膜进行上述溶剂的除去和使上述涂敷型薄膜形成物质发生非可逆的反应用的加热处理以形成固形的薄膜的工序的成膜方法中，使在上述涂敷膜的膜厚变动大致结束了后到开始上述加热处理为止的待机时间与上述涂敷膜表面附近的每单位体积的水分量的积为大于等于规定值。
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公开(公告)号：CN100338731C
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200410058329.X
申请日：2004-08-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/0275 , H01L21/0276 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于：在被加工膜上形成了保护膜后再进行光加工的技术中，使保护膜的除去变得容易起来。其解决方法包括：在基板(101)上的Al膜(107)上形成水溶性的保护膜(109)的工序；照射加工光(110)，选择除去保护膜(109)和Al膜(107)的加工区域的工序，和借助于水溶解除去保护膜(109)的工序。
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公开(公告)号：CN1963994A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610162952.9
申请日：2004-08-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/027 , G03F7/00 , B23K26/00 , B23K101/40
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/0275 , H01L21/0276 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于：在被加工膜上形成了保护膜后再进行光加工的技术中，使保护膜的除去变得容易起来。其解决方法包括如下的工序：在被加工膜上形成用有机树脂构成的有机膜的工序；减小上述有机膜的内部应力的工序；向上述有机膜照射加工光，选择除去上述加工区域的上述有机膜的工序；以上述有机膜为掩模，刻蚀上述被加工膜的工序。
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公开(公告)号：CN1581432A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410058329.X
申请日：2004-08-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/0275 , H01L21/0276 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于：在被加工膜上形成了保护膜后再进行光加工的技术中，使保护膜的除去变得容易起来。其解决方法包括：在基板(101)上的Al膜(107)上形成水溶性的保护膜(109)的工序；照射加工光(110)，选择除去保护膜(109)和Al膜(107)的加工区域的工序，和借助于水溶解除去保护膜(109)的工序。
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