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公开(公告)号：CN1367407A
公开(公告)日：2002-09-04
申请号：CN01145768.6
申请日：2001-12-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/16
CPC classification number: H01L21/6715 , B05C5/0254 , B05C11/08 , G03F7/168 , G03F7/3021 , G03F7/38 , G03F7/70358 , G03F7/70558 , H01L21/67109 , H01L21/67115
Abstract: 具有光刻胶膜的被处理衬底的加热装置。该加热装置具有:具有内部空间的腔室、腔室内用于加热被处理衬底的加热板、及隔壁部件。加热板具有在腔室内支承被处理衬底的载置面。隔壁部件跟载置面对向地配置在腔室内。并且,隔壁部件将内部空间分隔成第1和第2空间,同时具有连通第1和第2空间的多个孔。加热板的载置面配置于第1空间内。第2空间配置有用于形成气体流的气体流形成机构,用该机构排出由光刻胶膜产生的蒸发物。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN1272670C
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN02131624.4
申请日：2002-09-11
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091
Abstract: 本发明提供一种即使对157nm短波长透明性低的光刻胶膜，也适合抑制其膜厚变动的下层反射防止膜光学常数的决定方法和光刻胶图形形成方法。用单调增加项和衰减振荡项之和，表达了按照光刻胶膜厚变动的适当曝光量的场合，在其变化曲线上在比极大膜厚点增加的一侧，要选择上述下层反射防止膜的光学常数，使存在于上述极大点很近的极小值与上述极大值大体相等，或使极点不存在。
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公开(公告)号：CN1405632A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN02131624.4
申请日：2002-09-11
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091
Abstract: 本发明提供一种即使对157nm短波长透明性低的光刻胶膜，也适合抑制其膜厚变动的下层反射防止膜光学常数的决定方法和光刻胶图形形成方法。用单调增加项和衰减振荡项之和，表达了按照光刻胶膜厚变动的适当曝光量的场合，在其变化曲线上在比极大膜厚点增加的一侧，要选择上述下层反射防止膜的光学常数，使存在于上述极大点很近的极小值与上述极大值大体相等，或使极点不存在。
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公开(公告)号：CN100541330C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200510082468.0
申请日：2001-12-26
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 为了提高涂布膜或光刻胶的均匀性，本发明提供了一种涂布膜加热装置和光刻胶的处理装置。本发明的涂布膜的加热装置具有内部空间的腔室；上述腔室内具有支撑被处理衬底的载置面并用于加热上述被处理衬底的加热板，所述被处理衬底具有涂布膜；以及对着上述载置面配置于上述腔室内的、用于吸附由上述被处理衬底产生的蒸发物的吸附板。
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公开(公告)号：CN1217234C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN01145768.6
申请日：2001-12-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/16
CPC classification number: H01L21/6715 , B05C5/0254 , B05C11/08 , G03F7/168 , G03F7/3021 , G03F7/38 , G03F7/70358 , G03F7/70558 , H01L21/67109 , H01L21/67115
Abstract: 具有光刻胶膜的被处理衬底的加热装置。该加热装置具有：具有内部空间的腔室、腔室内用于加热被处理衬底的加热板、及隔壁部件。加热板具有在腔室内支承被处理衬底的载置面。隔壁部件跟载置面对向地配置在腔室内。并且，隔壁部件将内部空间分隔成第1和第2空间，同时具有连通第1和第2空间的多个孔。加热板的载置面配置于第1空间内。第2空间配置有用于形成气体流的气体流形成机构，用该机构排出由光刻胶膜产生的蒸发物。
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