IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法及IPS型TFT-LCD阵列基板
摘要:
本发明提供一种IPS型TFT‑LCD阵列基板的制作方法及IPS型TFT‑LCD阵列基板。本发明的IPS型TFT‑LCD阵列基板的制作方法,将像素电极和公共电极采用同一透明导电层制得,且像素电极和公共电极下方的绝缘保护层上设有数个相互平行的条状的沟道,像素电极与公共电极沿沟道两侧的凸台交替分布且延伸至沟道的侧壁上,从而增大了像素电极和公共电极在垂直于基板方向的面积,增加了水平电场,同时也增大了存储电容,进而提高了液晶面板的显示质量。
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