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公开(公告)号：CN105514105B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201410500432.9
申请日：2014-09-26
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L29/49 , H01L21/8234 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/82345 , H01L21/28088 , H01L21/28185 , H01L21/823842 , H01L27/088 , H01L29/42372 , H01L29/4966 , H01L29/66545 , H01L29/7833
Abstract: 本发明公开一种集成电路与其形成方法，该集成电路包含一基底、一第一晶体管、一第二晶体管以及一第三晶体管。第一晶体管具有一第一金属栅极，其具有一第一底阻障层、一第一功函数金属层以及一第一金属层。第二晶体管具有一第二金属栅极，其具有一第二底阻障层、一第二功函数金属层以及一第二金属层。第三晶体管具有一第三金属栅极，其具有第三底阻障层、一第三功函数金属层以及一第三金属层。第一晶体管、第二晶体管与第三晶体管具有相同导电型，第一底阻障层中氮原子浓度>第二底阻障层中氮原子浓度>第三底阻障层中氮原子浓度。
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公开(公告)号：CN105514105A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410500432.9
申请日：2014-09-26
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L29/49 , H01L21/8234 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/82345 , H01L21/28088 , H01L21/28185 , H01L21/823842 , H01L27/088 , H01L29/42372 , H01L29/4966 , H01L29/66545 , H01L29/7833
Abstract: 本发明公开一种集成电路与其形成方法，该集成电路包含一基底、一第一晶体管、一第二晶体管以及一第三晶体管。第一晶体管具有一第一金属栅极，其具有一第一底阻障层、一第一功函数金属层以及一第一金属层。第二晶体管具有一第二金属栅极，其具有一第二底阻障层、一第二功函数金属层以及一第二金属层。第三晶体管具有一第三金属栅极，其具有第三底阻障层、一第三功函数金属层以及一第三金属层。第一晶体管、第二晶体管与第三晶体管具有相同导电型，第一底阻障层中氮原子浓度>第二底阻障层中氮原子浓度>第三底阻障层中氮原子浓度。
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公开(公告)号：CN104979391A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201410138718.7
申请日：2014-04-08
Applicant: 联华电子股份有限公司
CPC classification number: H01L29/66575 , H01L21/02532 , H01L21/265 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/26586 , H01L21/28088 , H01L21/31155 , H01L29/4925 , H01L29/4966 , H01L29/512 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/7833
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。首先提供一基底，然后形成一栅极结构于该基底上并形成一轻掺杂漏极于该基底内。随后进行一第一离子注入制作工艺，将氟离子以斜角方式注入该基底及部分该栅极结构。
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