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公开(公告)号：CN106033745B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201510121055.2
申请日：2015-03-19
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/28 , H01L27/088
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其形成方法，该半导体元件包含一基底，一第一晶体管以及一第二晶体管，该第一及第二晶体管均设置在该基底之上。该第一晶体管包含第一通道区，以及第一功函数层。该第二晶体管包含第二通道区以及第二功函数层，其中该第二通道区与该第一通道区包含不同的掺质，该第二功函数层及该第一功函数层具有相同的导电型及不同的厚度。
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公开(公告)号：CN106409847A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201510453692.X
申请日：2015-07-29
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开一种影像感测器像素结构，其为背照式影像感测器像素结构，包含有一基底、一形成于该基底内的感光元件、二个氧化物半导体场效晶体管(oxide-semiconductor field effecttransistor，OS FET)元件、以及一电容。该基底包含有一正面与一背面，而该感光元件即用以接收一穿过该基底的该背面的入射光。该二个OS FET元件设置于该基底的该正面上，且直接设置于该感光元件上。该电容设置于该基底的该正面上，且直接设置于该感光元件与该二个OS FET元件上。该二个OS FET元件与该感光元件重叠，而该电容与该感光元件以及该二个OS FET元件重叠。
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公开(公告)号：CN119698014A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202311314639.2
申请日：2023-10-11
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H10D30/01 , H10D30/60 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种半导体组件及其制作方法，其中该制作半导体组件的方法为主要先形成一金属栅极于基底上、一接触洞蚀刻停止层于该金属栅极旁以及一层间介电层环绕该栅极结构，进行一第一蚀刻制作工艺去除该层间介电层，进行一第二蚀刻制作工艺去除该接触洞蚀刻停止层以形成第一接触洞，再形成一第一接触插塞于第一接触洞内，其中紧邻接触洞蚀刻停止层的第一接触插塞宽度小于接触洞蚀刻停止层下方的第一接触插塞宽度。
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公开(公告)号：CN106033731B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201510110254.3
申请日：2015-03-13
Applicant: 联华电子股份有限公司
Inventor： 许家福
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含一基底，一金属氧化物半导体晶体管设于基底上，以及一氧化物半导体晶体管邻近该金属氧化物半导体晶体管。其中金属氧化物半导体晶体管包含一第一栅极结构以及一源极/漏极区域设于第一栅极结构两侧，氧化物半导体晶体管则包含一通道层，且该通道层的上表面低于金属氧化物半导体晶体管的第一栅极结构的上表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106558620A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510629471.3
申请日：2015-09-29
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L23/532 , H01L21/34 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78648 , H01L29/78696
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其形成方法。其中，该半导体元件包含一基底、一金属内连线系统以及一氧化半导体结构。该基底具有一第一区域及一第二区域。该金属内连线系统是设置在该基底的第一区域内。该氧化半导体结构是设置在该基底的第二区域内，且位于该氢离子阻挡层之上。
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公开(公告)号：CN106033731A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201510110254.3
申请日：2015-03-13
Applicant: 联华电子股份有限公司
Inventor： 许家福
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含一基底，一金属氧化物半导体晶体管设于基底上，以及一氧化物半导体晶体管邻近该金属氧化物半导体晶体管。其中金属氧化物半导体晶体管包含一第一栅极结构以及一源极/漏极区域设于第一栅极结构两侧，氧化物半导体晶体管则包含一通道层，且该通道层的上表面低于金属氧化物半导体晶体管的第一栅极结构的上表面。
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公开(公告)号：CN105514105B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201410500432.9
申请日：2014-09-26
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L29/49 , H01L21/8234 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/82345 , H01L21/28088 , H01L21/28185 , H01L21/823842 , H01L27/088 , H01L29/42372 , H01L29/4966 , H01L29/66545 , H01L29/7833
Abstract: 本发明公开一种集成电路与其形成方法，该集成电路包含一基底、一第一晶体管、一第二晶体管以及一第三晶体管。第一晶体管具有一第一金属栅极，其具有一第一底阻障层、一第一功函数金属层以及一第一金属层。第二晶体管具有一第二金属栅极，其具有一第二底阻障层、一第二功函数金属层以及一第二金属层。第三晶体管具有一第三金属栅极，其具有第三底阻障层、一第三功函数金属层以及一第三金属层。第一晶体管、第二晶体管与第三晶体管具有相同导电型，第一底阻障层中氮原子浓度>第二底阻障层中氮原子浓度>第三底阻障层中氮原子浓度。
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公开(公告)号：CN106033745A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201510121055.2
申请日：2015-03-19
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/28 , H01L27/088
CPC classification number: H01L27/0922 , H01L21/26513 , H01L21/82345 , H01L21/823821 , H01L21/823842 , H01L21/82385 , H01L27/092 , H01L27/0924 , H01L29/66537 , H01L29/66545
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其形成方法，该半导体元件包含一基底，一第一晶体管以及一第二晶体管，该第一及第二晶体管均设置在该基底之上。该第一晶体管包含第一通道区，以及第一功函数层。该第二晶体管包含第二通道区以及第二功函数层，其中该第二通道区与该第一通道区包含不同的掺质，该第二功函数层及该第一功函数层具有相同的导电型及不同的厚度。
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公开(公告)号：CN106558620B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201510629471.3
申请日：2015-09-29
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L23/532 , H01L21/34 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其形成方法。其中，该半导体元件包含一基底、一金属内连线系统以及一氧化半导体结构。该基底具有一第一区域及一第二区域。该金属内连线系统是设置在该基底的第一区域内。该氧化半导体结构是设置在该基底的第二区域内，且位于该氢离子阻挡层之上。
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