公开(公告)号：CN104638000A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410645228.6

申请日：2014-11-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 西森理人 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

Abstract: 本申请涉及一种半导体器件及其制造方法。其中，一种半导体器件包括：形成在衬底上方的第一氮化物半导体层；形成在第一氮化物半导体层上方的第二氮化物半导体层；形成在第二氮化物半导体层和第一氮化物半导体层的一部分中的元件隔离区域；形成在第二半导体层和元件隔离区域上方的栅电极、源电极以及漏电极；以及以从漏电极的侧表面的上部突出的方式形成的漏极场板。

公开(公告)号：CN101794815B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201010111011.9

申请日：2010-02-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉川俊英 ,  今西健治

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供了一种化合物半导体器件及其制造方法，该化合物半导体器件具有：衬底；形成在衬底上方的AlN层；形成在AlN层上方并且在电子亲和力方面大于AlN层的AlGaN层；形成在该AlGaN层上方并且在电子亲和力方面小于该AlGaN层的另一个AlGaN层。此外，还提供了形成在后一个AlGaN层上方的i-GaN层以及形成在i-GaN层上方的i-AlGaN层和n-AlGaN层。

公开(公告)号：CN102569377A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110402797.4

申请日：2011-12-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 金村雅仁 ,  吉川俊英 ,  今西健治

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/51 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/47 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明公开一种化合物半导体器件及其制造方法，该化合物半导体器件包括：化合物半导体层；第一膜，形成在化合物半导体层的上方，第一膜在与化合物半导体层的界面处处于带负电状态或非带电状态；第二膜，形成在第一膜的上方，第二膜在与第一膜的界面处处于带正电状态；以及栅极，被嵌入在第二膜中形成的开口中。

公开(公告)号：CN102487081A

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN201110402775.8

申请日：2011-12-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 宫岛豊生 ,  吉川俊英 ,  今西健治 ,  多木俊裕 ,  金村雅仁

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种化合物半导体器件及制造方法，该半导体器件包括：电子传输层，形成在衬底上方；电子供应层，形成在电子传输层上方；及覆盖层，形成在电子供应层上方。该覆盖层包括：包含GaN的第一化合物半导体层；包含AlN的第二化合物半导体层，其形成在第一化合物半导体层上方；包含GaN的第三化合物半导体层，其形成在第二化合物半导体层上方；及第一包含AlGaN层和第二包含AlGaN层中的至少一个，第一包含AlGaN层形成在第一化合物半导体层和第二化合物半导体层之间且其中Al含量朝第二化合物半导体层增大，第二包含AlGaN层形成在第二化合物半导体层和第三化合物半导体层之间且其中Al含量朝第二化合物半导体层增大。本发明可抑制栅极漏电流和耐压降低、及/或可抑制电流崩塌。

公开(公告)号：CN102668092B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN200980163021.2

申请日：2009-12-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 美浓浦优一 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66712

Abstract: 设置有：第一导电型的第一氮化物半导体层（1）；在第一氮化物半导体层（1）上形成产与第一氮化物半导体层（1）相接的第一导电型的第二氮化物半导体层（5）；与第二氮化物半导体层（5）相接的第二导电型的第三氮化物半导体层（4）；与第三氮化物半导体层（4）相接的第一导电型的第四氮化物半导体层（3）；使第一氮化物半导体层（1）和第四氮化物半导体层（3）绝缘分离的绝缘膜（2）。俯视时，源电极（8）位于绝缘膜（2）的外缘的内侧。

公开(公告)号：CN101276792B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200810090314.X

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L23/00 ,  H01L29/778 ,  H01L21/20 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种半导体外延衬底、化合物半导体器件及其制造方法。其中该半导体外延衬底包括：单晶衬底；AlN层，在所述单晶衬底上外延生长；以及氮化物半导体层，在所述AlN层上外延生长，其中，所述AlN层和所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大。AlN层上表面的斜度为正值。本发明能够快速恢复漏极电流。

公开(公告)号：CN102386213A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110223629.9

申请日：2011-08-01

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 远藤浩 ,  今田忠纮 ,  今西健治 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462

Abstract: 一种半导体器件，包括：GaN电子传输层，设置在衬底上方；第一AlGaN电子供应层，设置在所述GaN电子传输层上方；AlN电子供应层，设置在所述第一AlGaN电子供应层上方；第二AlGaN电子供应层，设置在所述AlN电子供应层上方；栅极凹槽，设置在所述第二AlGaN电子供应层和所述AlN电子供应层中；以及栅极，设置在所述栅极凹槽上方。

公开(公告)号：CN102034859A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010501758.5

申请日：2010-09-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 金村雅仁 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及具有由氮化物半导体的化合物半导体组成的通道层和电子供体层的化合物半导体装置及其制造方法。在通道层和电子供体层之间形成由i-AlN组成的中间过渡层，当使用中间过渡层作为蚀刻阻挡件时，在电子供体层稍后将形成栅极的位置处形成第一开口，通过使用热磷酸溶液的湿法蚀刻，在中间过渡层形成第二开口，以便与第一开口位置对齐，并形成栅极，使得栅极的下部填充第一开口和第二开口，同时栅极绝缘膜置于第一开口、第二开口与栅极之间，并使得栅极的头部伸出盖结构之上。

公开(公告)号：CN101794815A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN201010111011.9

申请日：2010-02-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉川俊英 ,  今西健治

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供了一种化合物半导体器件及其制造方法，该化合物半导体器件具有：衬底；形成在衬底上方的AlN层；形成在AlN层上方并且在电子亲和力方面大于AlN层的AlGaN层；形成在该AlGaN层上方并且在电子亲和力方面小于该AlGaN层的另一个AlGaN层。此外，还提供了形成在后一个AlGaN层上方的i-GaN层以及形成在i-GaN层上方的i-AlGaN层和n-AlGaN层。

公开(公告)号：CN101276792A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810090314.X

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L23/00 ,  H01L29/778 ,  H01L21/20 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种半导体外延衬底、化合物半导体器件及其制造方法。其中该半导体外延衬底包括：单晶衬底；AlN层，在所述单晶衬底上外延生长；以及氮化物半导体层，在所述AlN层上外延生长，其中，所述AlN层和所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大。AlN层上表面的斜度为正值。本发明能够快速恢复漏极电流。