公开(公告)号：CN103177960B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201210477613.5

申请日：2012-11-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余俊磊 ,  姚福伟 ,  游承儒 ,  许竣为 ,  黄敬源

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/452 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787

摘要： 本发明涉及对硅衬底上的III族氮化物的衬底击穿电压的改进。本发明提供了一种制造高电子迁移率晶体管(HEMT)的方法包括：在硅衬底上方形成非故意掺杂的氮化镓(UID GaN)层，在UID GaN层上方形成施主供应层，形成栅极，在栅极和施主供应层的部分上方形成钝化层，以及在施主供应层和钝化层的部分上方形成欧姆源极结构和欧姆漏极结构。源极结构包括源极接触部和顶部。顶部与源极接触部和栅极之间的钝化层重叠，并且可以与栅极的一部分以及栅极和漏极结构之间的钝化层的一部分重叠。

公开(公告)号：CN103137682B

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201210484917.4

申请日：2012-11-23

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 游承儒 ,  熊志文 ,  姚福伟 ,  许竣为 ,  黄敬源 ,  余俊磊 ,  杨富智

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/2258 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/321 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/7787

摘要： 一种高电子迁移率晶体管(HEMT)包括硅衬底、位于硅衬底上方的非故意掺杂的氮化镓(UID GaN)层。该HEMT进一步包括位于UID GaN层上方的施主供应层、位于施主供应层上方的栅极结构、漏极和源极。该HEMT进一步包括位于施主供应层上方的栅极结构和漏极之间的具有位于施主供应层中的一个或多个电介质插塞部和顶部的介电层。本发明还提供一种用于制造HEMT的方法。本发明还提供了具有改进击穿电压性能的高电子迁移率晶体管结构。

公开(公告)号：CN103137681B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210388402.4

申请日：2012-10-12

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 游承儒 ,  熊志文 ,  姚福伟 ,  许竣为 ,  余俊磊 ,  杨富智

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/0661 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

摘要： 具有位于源极和漏极之间的岛状件的电路结构。电路结构包括：衬底；位于衬底上方的非故意掺杂氮化镓(UID GaN)层；位于UID GaN层上方的供给层；位于供给层上方的栅极结构、漏极、及源极。多个岛状件位于栅极结构和漏极之间的供给层的上方。栅极结构设置在漏极和源极之间。栅极结构邻接岛状件之一的至少一部分和/或部分地设置在岛状件至少之一的至少一部分的上方。

公开(公告)号：CN103050511A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210005700.0

申请日：2012-01-09

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 姚福伟 ,  许竣为 ,  游承儒 ,  余俊磊 ,  杨富智 ,  熊志文

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L21/0262 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： 本发明公开了一种半导体结构。半导体结构包括第一III-V族化合物层。第二III-V族化合物层设置在第一III-V族化合物层上，并且该第二III-V族化合物层在组成上与第一III-V族化合物层不同。载流子沟道位于第一III-V族化合物层和第二III-V族化合物层之间。源极部件和漏极部件设置在第二III-V族化合物层上。栅电极设置在位于源极部件和漏极部件之间的第二III-V族化合物层的上方。载流子沟道耗尽层设置在第二III-V族化合物层上。所述载流子沟道耗尽层采用等离子体沉积并且一部分载流子沟道耗尽层位于至少一部分栅电极的下方。本发明还公开了形成半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN102881720B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201110310402.8

申请日：2011-10-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈柏智 ,  余俊磊 ,  姚福伟 ,  许竣为 ,  杨富智 ,  蔡俊琳

IPC分类号： H01L29/45 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L27/11578 ,  H01L21/28575 ,  H01L27/11565 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： 本披露的实施例包括半导体结构。半导体结构包括第一III‑V化合物层。第二III‑V化合物层设置在第一III‑V化合物层上并且成分与第一III‑V化合物层不同。一界面被限定在第一III‑V化合物层和第二III‑V化合物层之间。栅极设置在第二III‑V化合物层上。源极部件和漏极部件设置在栅极的相对侧上。源极部件和漏极部件中的每个都包括至少部分地嵌入第二III‑V化合物层中的相应金属部件。相应金属间化合物位于每个金属部件之下。每个金属间化合物都与位于界面处的载流子通道接触。

公开(公告)号：CN103545360A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201210553817.2

申请日：2012-12-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄敬源 ,  游承儒 ,  姚福伟 ,  余俊磊 ,  杨富智 ,  陈柏智 ,  许竣为

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/0254 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/7787

摘要： 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其形成方法。半导体结构包括第一III-V化合物层。第二III-V化合物层布置在第一III-V化合物层上且其组成不同于第一III-V化合物层的组成。源极部件和漏极部件布置在第二III-V化合物层上。栅电极布置在源极部件和漏极部件之间的第二III-V化合物层的上方。氟区域嵌入在位于栅电极下面的第二III-V化合物层中。栅极介电层布置在第二III-V化合物层的上方。栅极介电层的氟段位于氟区域上以及栅电极的至少一部分的下面。

公开(公告)号：CN103296077A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201210525310.6

申请日：2012-12-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 游承儒 ,  姚福伟 ,  许竣为 ,  余俊磊 ,  杨富智 ,  熊志文

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： 本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括第一III-V族化合物层。第二III-V族化合物层设置在第一III-V族化合物层上并且在组分上不同于第一III-V族化合物层。载流子沟道位于第一III-V族化合物层和第二III-V族化合物层之间。源极部件和漏极部件设置在第二III-V族化合物层上。栅电极设置在源极部件和漏极部件之间的第二III-V族化合物层的上方。两个斜场板设置在位于第二III-V族化合物层上的保护层中的开口和介电覆盖层中的开口的组合开口的两个侧壁上。

公开(公告)号：CN103137681A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210388402.4

申请日：2012-10-12

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 游承儒 ,  熊志文 ,  姚福伟 ,  许竣为 ,  余俊磊 ,  杨富智

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/0661 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

摘要： 具有位于源极和漏极之间的岛状件的电路结构。电路结构包括：衬底；位于衬底上方的非故意掺杂氮化镓(UID GaN)层；位于UID GaN层上方的供给层；位于供给层上方的栅极结构、漏极、及源极。多个岛状件位于栅极结构和漏极之间的供给层的上方。栅极结构设置在漏极和源极之间。栅极结构邻接岛状件之一的至少一部分和/或部分地设置在岛状件至少之一的至少一部分的上方。

公开(公告)号：CN102881720A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201110310402.8

申请日：2011-10-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈柏智 ,  余俊磊 ,  姚福伟 ,  许竣为 ,  杨富智 ,  蔡俊琳

IPC分类号： H01L29/45 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L27/11578 ,  H01L21/28575 ,  H01L27/11565 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： 本发明披露的实施例包括半导体结构。半导体结构包括第一III-V化合物层。第二III-V化合物层设置在第一III-V化合物层上并且成分与第一III-V化合物层不同。一界面被限定在第一III-V化合物层和第二III-V化合物层之间。栅极设置在第二III-V化合物层上。源极部件和漏极部件设置在栅极的相对侧上。源极部件和漏极部件中的每个都包括至少部分地嵌入第二III-V化合物层中的相应金属部件。相应金属间化合物位于每个金属部件之下。每个金属间化合物都与位于界面处的载流子通道接触。

公开(公告)号：CN103296077B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210525310.6

申请日：2012-12-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 游承儒 ,  姚福伟 ,  许竣为 ,  余俊磊 ,  杨富智 ,  熊志文

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： 本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括第一III-V族化合物层。第二III-V族化合物层设置在第一III-V族化合物层上并且在组分上不同于第一III-V族化合物层。载流子沟道位于第一III-V族化合物层和第二III-V族化合物层之间。源极部件和漏极部件设置在第二III-V族化合物层上。栅电极设置在源极部件和漏极部件之间的第二III-V族化合物层的上方。两个斜场板设置在位于第二III-V族化合物层上的保护层中的开口和介电覆盖层中的开口的组合开口的两个侧壁上。