本发明公开了一种场效应晶体管、半导体器件及其制造方法，涉及隧穿场效应晶体管技术领域。该晶体管包括：位于衬底上的由III‑V族化合物半导体材料形成的半导体区；半导体区包括未掺杂的沟道区、具有第一掺杂类型的源区和具有第二掺杂类型的漏区；位于沟道区上的绝缘栅，绝缘栅被配置为当施加电压到绝缘栅时在源区和漏区之间产生电子隧穿；其中，源区和沟道区的接触面为倾斜面以增大电子隧穿区域。通过在源区与沟道区之间形成倾斜接触面，增加了电子隧穿面积，从而提高了器件的性能。