用于激光二极管的闭环光调制振幅控制器的数字实现

    公开(公告)号:CN112291017B

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202010706837.3

    申请日:2020-07-21

    申请人: 商升特公司

    IPC分类号: H04B10/54

    摘要: OMA控制器电路利用第一ADC,该第一ADC具有被耦合用于接收指示监测信号与目标数据信号之间的差的残差信号的输入。第二ADC具有被耦合用于接收目标数据信号的输入。第一数字滤波器具有耦合到第一ADC的输出的输入,并且第二数字滤波器具有耦合到第二ADC的输出的输入。数字乘法器具有耦合到第一数字滤波器的输出的第一输入和耦合到第二数字滤波器的输出的第二输入。积分器具有耦合到数字乘法器的输出的输入和提供具有符号和幅度的平均误差信号的输出。数字乘法器使用四象限乘法器来对残差和目标数据信号执行互相关。

    半导体器件及形成用于预成型基底的脱模结构的方法

    公开(公告)号:CN117080172A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202310674994.4

    申请日:2020-11-13

    申请人: 商升特公司

    IPC分类号: H01L23/13 H01L23/31 H01L21/56

    摘要: 一种半导体器件,具有基底面板,该基底面板具有基底,该基底具有第一基底区域和在第一基底区域的覆盖区之外的第二基底区域。多个半导体管芯或离散IPD被设置在第一基底区域上方。基底区域102a具有用于半导体管芯的电互连线。使用传递模塑工艺将模塑料设置在半导体管芯和第一基底区域上方,这留下了模具剔除件和设置在第二基底区域上方的模具浇口。在模具浇口下方的第二基底区域中形成基底边缘。该基底边缘延伸到模塑料下方的第一基底区域中,以加固模具浇口并减少脱模期间的破裂。基底边缘可具有多种形式,例如平行杠、斜杠、正交杠及其组合。

    堆叠半导体管芯以用于系统级ESD保护的半导体装置和方法

    公开(公告)号:CN116504649A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310474789.3

    申请日:2017-02-28

    申请人: 商升特公司

    发明人: 黄昌俊 J.克拉克

    摘要: 本发明公开制造半导体装置的方法和半导体装置。所述方法包括:提供包括第一分立瞬态电压抑制(TVS)二极管的第一半导体管芯;提供包括第二分立TVS二极管的第二半导体管芯;将所述第二半导体管芯设置在所述第一半导体管芯上方,其中所述第一分立TVS二极管和所述第二分立TVS二极管并联电耦合;将所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯设置在引线框上方;以及在所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯上方沉积密封剂。

    半导体器件和形成具有三侧可润湿侧翼的衬底的方法

    公开(公告)号:CN116344485A

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202211563657.X

    申请日:2022-12-07

    申请人: 商升特公司

    发明人: H·D·巴森 Y·陈

    摘要: 本发明涉及半导体器件和形成具有三侧可润湿侧翼的衬底的方法。半导体器件具有衬底和形成在衬底的两侧或更多侧上的引线。电部件设置在衬底上并用凸块或接合线电连接到引线。电部件被密封。去除衬底的一部分以在引线的至少三侧上形成可润湿侧翼。衬底具有模制化合物,并且引线设置在模制化合物内或与模制化合物相邻。模制化合物的一部分可以保留在衬底的拐角处。引线具有在引线的第一侧上的第一表面或凹陷的表面、在引线的第二侧上的第二表面或凹陷的表面、以及在引线的第三侧上的第三表面或凹陷的表面。对引线的表面的一部分进行镀覆。

    用于电过应力和静电放电保护的方法和器件

    公开(公告)号:CN108666303B

    公开(公告)日:2023-06-20

    申请号:CN201810263749.3

    申请日:2018-03-28

    申请人: 商升特公司

    IPC分类号: H01L23/60 H01L21/02

    摘要: 本发明涉及用于电过应力和静电放电保护的方法和器件。由沿信号源与负载之间的传输线串联电耦合的串联保护电路保护半导体器件免于电过应力(EOS)和静电放电(ESD)事件。串联保护电路包括串联电耦合在信号源与负载之间的第一场效应晶体管(FET)。并联保护电路电耦合在传输线与接地节点之间。并联保护电路可以包括瞬态电压抑制(TVS)二极管。

    全球导航卫星系统接收机
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116027364A

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202211326065.6

    申请日:2022-10-27

    申请人: 商升特公司

    发明人: N·索宁 宁宝柱

    IPC分类号: G01S19/37

    摘要: 本发明涉及一种全球导航卫星系统(GNSS)接收机(16),包括:1)射频(RF)前端(1);以及2)接收机单元(2)。所述GNSS接收机(16)被配置成:至少使用与至少两个快照时间窗口(14)相对应的所确定的伪距,来在复合接收时间处确定所述GNSS接收机(16)与发射GNSS卫星的复合子集之间的复合伪距。本发明还涉及一种组件(6、16、17、18),包括GNSS接收机(16)、网关(17)和计算单元(18)。本发明还涉及一种用于确定GNSS接收机(16)的位置的方法。

    用于线性调频调制无线电信号的发射机、接收机和方法

    公开(公告)号:CN113726347B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202110564500.8

    申请日:2021-05-24

    申请人: 商升特公司

    摘要: 线性调频调制无线电信号的发射机、接收机和方法。用于线性调频调制无线电信号的发射机,包括:线性调频生成器,被配置为生成一系列线性调频信号,其中每个线性调频携带被编码为循环移位的信息的元素,并且具有对依赖于线性调频的循环移位的纠错码进行编码的相位;进一步包括被配置为将一系列线性调频调制到无线电信号上的调制器和发射无线电信号的无线电发射机。用于线性调频调制无线电信号的接收机,包括时钟单元和被配置用于解调一系列接收的线性调频信号的解调器,该解调器具有去线性调频单元,该去线性调频单元被配置用于基于接收的线性调频的相位确定每个接收的线性调频相对于基本线性调频和纠错码的循环移位,该接收机具有同步校正单元。

    邻近传感器和移动无线设备

    公开(公告)号:CN114696858A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202210299190.6

    申请日:2019-07-08

    申请人: 商升特公司

    摘要: 邻近传感器和移动无线设备。用于在移动设备、诸如智能电话和经连接的平板设备中使用的电容性邻近传感器,其中它用于当设备被带至耳朵的时候关断显示器(70),并且当设备极邻近于用户身体部分的时候选择性地降低RF功率,以便满足调控SAR限制。电容性传感器使用两个电极(60,30),其中的第一个还可以用作RF天线,并且另一个优选地在电话的背部上,并且与显示器相对。

    用于移动设备中的电容式近场通信的方法和设备

    公开(公告)号:CN112737641B

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202110123524.X

    申请日:2015-05-29

    申请人: 商升特公司

    发明人: C.鲁埃西亚

    摘要: 本发明涉及用于移动设备中的电容式近场通信的方法和设备。一种移动设备包括导电元件和接地节点。导电元件被配置成被接近传感器检测。切换器耦合在导电元件与接地节点之间。导电元件通过闭合切换器而耦合到接地节点。第一存储器元件被配置成控制切换器。第一存储器元件包括耦合到切换器的控制端的寄存器位。数据输出被配置成控制切换器。FIFO被配置成向数据输出提供数据。第一存储器元件包括FIFO。电容式触摸控制器被配置成测量导电元件的电容。数字处理单元被配置成将导电元件的电容转换成数据位。第二存储器元件被配置成存储数据位。

    单步封装
    10.
    发明公开
    单步封装 审中-实审

    公开(公告)号:CN113410186A

    公开(公告)日:2021-09-17

    申请号:CN202110689294.3

    申请日:2017-08-09

    申请人: 商升特公司

    摘要: 本发明公开了单步封装。一种半导体装置,包括半导体晶片。在半导体晶片之上形成多个柱状凸块。在柱状凸块之上沉积焊料。当半导体晶片在载体上时,在形成柱状凸块之后,将半导体晶片单片化成多个半导体管芯。当半导体管芯保持在载体上时,在半导体管芯和柱状凸块周围沉积密封剂。密封剂覆盖在柱状凸块之间的半导体管芯的有源表面。