-
公开(公告)号：CN102760664A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210133547.X
申请日：2012-04-28
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/488
CPC分类号： H01L24/13 , H01L21/6836 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/11002 , H01L2224/11009 , H01L2224/11622 , H01L2224/13007 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/1312 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13181 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81464 , H01L2224/8182 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/01047 , H01L2224/11 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种半导体装置和制造半导体装置的方法。一实施方式包括在裸片上形成凸块，该凸块具有顶部阻焊层，通过在支撑衬底的接触垫上直接按压顶部阻焊层使该顶部阻焊层熔化，以及在裸片和支撑衬底之间形成触点。
-
公开(公告)号：CN102810490A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210177527.2
申请日：2012-05-31
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/603 , H01L21/78
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/568 , H01L23/3114 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2221/68327 , H01L2221/68368 , H01L2221/68372 , H01L2224/03002 , H01L2224/03003 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16245 , H01L2224/94 , H01L2224/96 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2224/81 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014 , H01L2224/81203 , H01L2224/11 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及制造半导体器件的方法，其一个实施方式包括：在载体上配置晶片，该晶片包括单独的芯片；将单独的芯片结合到支撑晶片上并去除载体。
-
公开(公告)号：CN102760664B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210133547.X
申请日：2012-04-28
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/488
CPC分类号： H01L24/13 , H01L21/6836 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/11002 , H01L2224/11009 , H01L2224/11622 , H01L2224/13007 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/1312 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13181 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81464 , H01L2224/8182 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/01047 , H01L2224/11 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种半导体装置和制造半导体装置的方法。一实施方式包括在裸片上形成凸块，该凸块具有顶部阻焊层，通过在支撑衬底的接触垫上直接按压顶部阻焊层使该顶部阻焊层熔化，以及在裸片和支撑衬底之间形成触点。
-
公开(公告)号：CN102810490B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201210177527.2
申请日：2012-05-31
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/603 , H01L21/78
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/568 , H01L23/3114 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2221/68327 , H01L2221/68368 , H01L2221/68372 , H01L2224/03002 , H01L2224/03003 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16245 , H01L2224/94 , H01L2224/96 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2224/81 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014 , H01L2224/81203 , H01L2224/11 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及制造半导体器件的方法，其一个实施方式包括：在载体上配置晶片，该晶片包括单独的芯片；将单独的芯片结合到支撑晶片上并去除载体。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.026 秒)
