发明公开
- 专利标题： 半导体装置和制造半导体装置的方法
- 专利标题（英）： Semiconductor device and method of making a semiconductor device
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申请号： CN201210133547.X申请日： 2012-04-28
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公开(公告)号： CN102760664A公开(公告)日： 2012-10-31
- 发明人: 邢智蛘 , 乌尔里希·克鲁姆贝因 , 斯特凡·马滕斯 , 王佩利 , 郭健彬 , 施明计 , 陈敬伟 , 霍斯特·托伊斯
- 申请人： 英飞凌科技股份有限公司
- 申请人地址： 德国瑙伊比贝尔格
- 专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
- 当前专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 德国瑙伊比贝尔格
- 代理机构： 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 余刚; 吴孟秋
- 优先权： 13/097,851 2011.04.29 US
- 主分类号： H01L21/48
- IPC分类号： H01L21/48 ; H01L23/488
摘要：
本发明公开了一种半导体装置和制造半导体装置的方法。一实施方式包括在裸片上形成凸块，该凸块具有顶部阻焊层，通过在支撑衬底的接触垫上直接按压顶部阻焊层使该顶部阻焊层熔化，以及在裸片和支撑衬底之间形成触点。
公开/授权文献
- CN102760664B 半导体装置和制造半导体装置的方法 公开/授权日：2016-08-03
IPC分类:
