-
公开(公告)号：CN103035572B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201210378125.9
申请日：2012-10-08
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： 塞巴斯蒂安·贝恩里德 , 阿道夫·科勒 , 斯特凡·马滕斯 , 马蒂亚斯·沃佩尔
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/50 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/67 , H01L21/67092 , H01L21/67144 , H01L21/683 , H01L21/6836 , H01L23/3107 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68368 , H01L2221/68381 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法。根据本发明的实施例，通过在具有粘性箔片的框架上布置多个半导体器件来制造半导体器件。多个半导体器件被附接至粘性箔片。利用二氧化碳雪喷射和/或激光工艺将多个半导体器件从具有粘性箔片的框架移除。
-
公开(公告)号：CN102810490A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210177527.2
申请日：2012-05-31
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/603 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/568 , H01L23/3114 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2221/68327 , H01L2221/68368 , H01L2221/68372 , H01L2224/03002 , H01L2224/03003 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16245 , H01L2224/94 , H01L2224/96 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2224/81 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014 , H01L2224/81203 , H01L2224/11 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及制造半导体器件的方法，其一个实施方式包括：在载体上配置晶片，该晶片包括单独的芯片；将单独的芯片结合到支撑晶片上并去除载体。
-
公开(公告)号：CN102760664B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210133547.X
申请日：2012-04-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/13 , H01L21/6836 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/11002 , H01L2224/11009 , H01L2224/11622 , H01L2224/13007 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/1312 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13181 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81464 , H01L2224/8182 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/01047 , H01L2224/11 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置和制造半导体装置的方法。一实施方式包括在裸片上形成凸块，该凸块具有顶部阻焊层，通过在支撑衬底的接触垫上直接按压顶部阻焊层使该顶部阻焊层熔化，以及在裸片和支撑衬底之间形成触点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102810490B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201210177527.2
申请日：2012-05-31
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/603 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/568 , H01L23/3114 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2221/68327 , H01L2221/68368 , H01L2221/68372 , H01L2224/03002 , H01L2224/03003 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16245 , H01L2224/94 , H01L2224/96 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2224/81 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014 , H01L2224/81203 , H01L2224/11 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及制造半导体器件的方法，其一个实施方式包括：在载体上配置晶片，该晶片包括单独的芯片；将单独的芯片结合到支撑晶片上并去除载体。
-
公开(公告)号：CN103035571B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210378124.4
申请日：2012-10-08
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L21/78 , H01L22/14 , H01L2224/97 , H01L2224/03
Abstract: 根据本发明的实施例，一种制造半导体器件的方法包括提供晶圆，晶圆具有顶面和相对的底面。顶面包括多个切割通道。该晶圆包括邻近顶面的多个晶片。多个晶片中的每个晶片通过多个切割通道的一个切割通道与多个晶片中的另一个晶片隔开。沟道从顶面形成在晶圆中。沟道沿多个切割通道定向。沟道形成后，对多个晶片进行测试，以识别第一类晶片，第一类晶片待与多个晶片中的其余晶片分离。测试多个晶片后，从背面对晶圆进行磨削加工。该磨削加工将该晶圆分成多个晶片。
-
公开(公告)号：CN103035572A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210378125.9
申请日：2012-10-08
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： 塞巴斯蒂安·贝恩里德 , 阿道夫·科勒 , 斯特凡·马滕斯 , 马蒂亚斯·沃佩尔
IPC: H01L21/78 , H01L21/683 , B23K26/36
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/50 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/67 , H01L21/67092 , H01L21/67144 , H01L21/683 , H01L21/6836 , H01L23/3107 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68368 , H01L2221/68381 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法。根据本发明的实施例，通过在具有粘性箔片的框架上布置多个半导体器件来制造半导体器件。多个半导体器件被附接至粘性箔片。利用二氧化碳雪喷射和/或激光工艺将多个半导体器件从具有粘性箔片的框架移除。
-
公开(公告)号：CN103035571A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210378124.4
申请日：2012-10-08
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L21/78 , H01L22/14 , H01L2224/97 , H01L2224/03
Abstract: 根据本发明的实施例，一种制造半导体器件的方法包括提供晶圆，晶圆具有顶面和相对的底面。顶面包括多个切割通道。该晶圆包括邻近顶面的多个晶片。多个晶片中的每个晶片通过多个切割通道的一个切割通道与多个晶片中的另一个晶片隔开。沟道从顶面形成在晶圆中。沟道沿多个切割通道定向。沟道形成后，对多个晶片进行测试，以识别第一类晶片，第一类晶片待与多个晶片中的其余晶片分离。测试多个晶片后，从背面对晶圆进行磨削加工。该磨削加工将该晶圆分成多个晶片。
-
公开(公告)号：CN102760664A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210133547.X
申请日：2012-04-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/13 , H01L21/6836 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/11002 , H01L2224/11009 , H01L2224/11622 , H01L2224/13007 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/1312 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13181 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81464 , H01L2224/8182 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/01047 , H01L2224/11 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置和制造半导体装置的方法。一实施方式包括在裸片上形成凸块，该凸块具有顶部阻焊层，通过在支撑衬底的接触垫上直接按压顶部阻焊层使该顶部阻焊层熔化，以及在裸片和支撑衬底之间形成触点。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.022 seconds)
