公开(公告)号：CN103035572B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201210378125.9

申请日：2012-10-08

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 塞巴斯蒂安·贝恩里德 ,  阿道夫·科勒 ,  斯特凡·马滕斯 ,  马蒂亚斯·沃佩尔

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/50 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/67 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/683 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3107 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法。根据本发明的实施例，通过在具有粘性箔片的框架上布置多个半导体器件来制造半导体器件。多个半导体器件被附接至粘性箔片。利用二氧化碳雪喷射和/或激光工艺将多个半导体器件从具有粘性箔片的框架移除。

公开(公告)号：CN103035572A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210378125.9

申请日：2012-10-08

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 塞巴斯蒂安·贝恩里德 ,  阿道夫·科勒 ,  斯特凡·马滕斯 ,  马蒂亚斯·沃佩尔

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683 ,  B23K26/36

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/50 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/67 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/683 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3107 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法。根据本发明的实施例，通过在具有粘性箔片的框架上布置多个半导体器件来制造半导体器件。多个半导体器件被附接至粘性箔片。利用二氧化碳雪喷射和/或激光工艺将多个半导体器件从具有粘性箔片的框架移除。