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公开(公告)号：CN106676598A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611149179.2
申请日：2016-12-13
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微纳米针锥结构抑制锡晶须生长的方法，包括以下步骤：选择一导电基体，并对所述的导电基体清洗，清洗后在所述的导电基体上生长微纳米针锥结构层；然后对所述的微纳米针锥结构层进行清洗，去除表面氧化层，再在所述的微纳米针锥结构层上生长锡基焊料。本发明利用微纳米针锥结构层具有较大的比表面积和独特的几何形状，来释放锡镀层内部的压应力，从而减小锡镀层晶须生长的驱动力，抑制锡晶须的形成，适用于各种形式的锡层薄膜的生长，具有制备方法简单、温度低，工艺兼容性强，稳定性高，能够有效地抑制锡层晶须的生长的优点。
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公开(公告)号：CN104201123A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410402131.2
申请日：2014-08-15
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/603
CPC classification number: H01L24/83 , H01L2224/84 , H01L2224/84203
Abstract: 本发明公开了一种利用表面微纳米结构的低温固态键合方法，包括以下步骤：选择具有相互匹配的电互连焊盘的两个或多个待键合元件，两两形成一个待键合偶；在待键合偶的一侧焊盘上形成纤维状纳米银金属层；在待键合偶的另一侧焊盘上形成微米级针锥阵列结构的金属层；将待键合偶表面焊盘对准，把接触区域加热到不超过金属熔点的某一温度同时向待键合偶一侧或双侧施加键合压力并保持一定时间，使得纤维状纳米银金属层与微米级针锥阵列结构的金属层固态键合。本发明的利用表面微纳米结构的低温固态键合方法的传导率、电导率更高，并且可以大大减低热压键合的温度，提高键合强度。
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公开(公告)号：CN104112682A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410313879.5
申请日：2014-07-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/603
CPC classification number: H01L24/81 , H01L2224/13 , H01L2224/81205 , H01L2224/81345 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种基于镍微针锥同种结构的固态超声键合方法，包括步骤如下：选择具有相互匹配的电互连焊盘的两个或多个待键合元件，两两形成一待键合偶；在待键合偶的其中一侧焊盘上形成镍微针锥；在待键合偶的另一侧焊盘上形成相同形貌的镍微针锥；将待键合偶一侧元件吸附在键合装置压头表面；将待键合偶两侧的焊盘对准，使两侧镍微针锥匹配接触，向待键偶一侧施加键合压力和超声振动并保持一定时间，使得两侧镍微针锥互连键合。本发明的工艺过程简单，无需加热及助焊剂，可以避免对器件产生热损伤，提高产品可靠性；微针锥结构的使用缩短了超声键合的时间，提高了互连的有效性和键合密度。
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公开(公告)号：CN104112681A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410313878.0
申请日：2014-07-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/603
CPC classification number: H01L24/81 , H01L2224/81205 , H01L2224/81345
Abstract: 本发明公开了一种基于铜微针锥的固态超声键合方法，包括步骤为：选择具有相互匹配的电互连焊盘的两个或多个待键合元件，两两形成一待键合偶；在待键合偶的其中一侧的焊盘上形成凸点，所述凸点底部为第一金属，表面设有低硬度第二金属；在待键合偶的另一侧的焊盘上形成铜微针锥；将待键合偶的一侧元件吸附在键合装置压头表面；将待键合偶的两侧的焊盘对准，使所述凸点与所述铜微针锥匹配接触，向待键合偶的一侧施加键合压力和超声振动并保持一定时间，使得所述凸点与所述铜微针锥互连键合。本发明中铜微针锥与固态焊料有良好的机械咬合作用，增强了键合效果；超声振动能可以软化焊料，明显地防止键合过程空洞的发生，提高键合质量。
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公开(公告)号：CN102543784B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210085365.X
申请日：2012-03-28
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种使用镍微针锥的固态热压缩低温键合方法，在待键合焊点的一侧制备一层布满针锥形貌的金属镍，在另一侧使用焊料，使用结合器用来对准电互连焊点，将焊点加热到不高于焊料帽熔点的某个温度，并施加一个键合压力，保持一定时间使得互连点处实现针锥和焊料的镶嵌键合，在镍微针锥层上电镀一层贵金属的薄层以防止表面在键合之前被氧化，在键合完成后将焊点置于一定温度下热处理一段时间以实现扩散反应并消除孔洞。本发明所提供的方法，能够克服以往工艺在新的封装技术应用中的一些缺陷，避免回流焊工艺温度对器件产生的热损伤，以及熔融焊中焊料铺展和固液相快速反应的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102543783A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210085337.8
申请日：2012-03-28
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/8181 , H01L2224/81825
Abstract: 本发明提供一种使用铟和微针锥结构的热压缩芯片低温互连方法，包括芯片到基片，及芯片与芯片堆叠互连方法，在芯片焊盘制备表面覆盖有金属铟薄层的针锥阵列层，并将其与带有第二金属凸点的基片接触施压，随后加热至铟熔点之上保持一定时间，利用熔融的铟填充针锥与第二金属镶嵌的间隙，并与第二金属之间产生固液反应生成高熔点金属间化合物，从而消耗铟层来实现紧密键合，该方法通用性强，无需助焊剂，工艺流程简单，能明显降低现有倒装焊工艺温度。
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公开(公告)号：CN1701844A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510024796.5
申请日：2005-03-31
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种TiO2/载钛羟基磷灰石复相吸附和消毒纳米材料，属于材料领域。本发明化学组成式为：x{TiO2}/y{(Ca10－zTiz)(PO4)6(OH)2}，其中：x＝0.05－0.7，y＝0.3－0.95，z＝0.5－3，主晶相为锐钛矿晶型的TiO2和羟基磷灰石相。本发明通过水热法获得该TiO2/载钛羟基磷灰石复相纳米材料。制备的纳米载钛羟基磷灰石/TiO2复合材料，可以充分利用羟基磷灰石对病毒、细菌和有机物等污染物的捕获作用和纳米TiO2杀菌能力，既可有效地捕获有害病毒和细菌，又可以有效分解有害病毒和细菌。
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公开(公告)号：CN110306172A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910610693.9
申请日：2019-07-08
Applicant: 上海交通大学
IPC: C23C18/12
Abstract: 本发明公开了一种在金属锌上沉积氧化锌薄膜的方法；该方法包括：化学浴沉积前驱液配制；氧化锌薄膜沉积；反应温度控制。该方法采用锌盐和六亚甲基四胺的混合溶液为化学浴沉积前驱液，在常压、恒温水浴条件下利用锌离子的水解反应在锌上沉积氧化锌薄膜，通过调节化学浴温度控制水解反应的速率，从而调控氧化锌的形貌。与现有技术相比，本发明具备步骤简单，成本较低，可调控氧化锌薄膜的形貌等优势。
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