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公开(公告)号:CN101775634A
公开(公告)日:2010-07-14
申请号:CN201010127204.3
申请日:2010-03-19
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种纳米材料技术领域的镍钛形状记忆合金表面的氧化物纳米管阵列的制备方法,包括如下步骤:步骤一,取镍钛形状记忆合金为阳极氧化基材,配制阳极氧化介质;所述阳极氧化介质的组分为乙二醇、硫酸铵、氟化铵和丙三醇;或者为氟化铵、丙三醇;步骤二,调整阳极氧化电压的范围为10V~50V,氧化,即可在镍钛形状记忆合金表面得到氧化物纳米管阵列。本发明的方法可在镍钛形状记忆合金表面制备出氧化物纳米管阵列,制备的Ni-Ti-O氧化物纳米管具有高度取向性,氧化物纳米管的管径可通过调节阳极氧化电压的大小来控制,纳米管长度可通过调整阳极氧化时间来控制;氧化物纳米管阵列可明显改善镍钛形状记忆合金表面的的耐蚀性。
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公开(公告)号:CN100475685C
公开(公告)日:2009-04-08
申请号:CN200510028436.2
申请日:2005-08-04
Applicant: 上海交通大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 一种表面Ni基微纳米针状晶布阵结构的制备方法,属于电化学、材料学及微纳米科技交叉技术领域。本发明将导电性基材作为阴极置于含有结晶调整剂的电镀溶液中,并施加电流或电压,使电结晶按垂直于表面的方向纵向一维生长,通过5-3600秒后,便可在基材表面形成所要的Ni基微纳米针状晶布阵结构。本发明可直接在所需基材表面形成从微米到纳米尺度的Ni基针状晶布阵结构,既可以作为器件,又可以作为材料。因此,本发明提供的定向电结晶方法具有工艺简单、成本低廉,对底材形状,材质无特殊要求,适于工业化批量生产等优点。
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公开(公告)号:CN100387741C
公开(公告)日:2008-05-14
申请号:CN200510028446.6
申请日:2005-08-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种Sn-Zn-Cr合金无铅焊料的制备方法,属于电子材料技术领域。本发明包括以下步骤:(1)中间合金Sn-Cr的制备:①按照Cr为0.005-1.5%,Zn为3-12%,余量为Sn的Sn-Zn-Cr合金焊料的组成要求先分别称取块状、粒状或粉末状纯金属Cr和Sn;②将温度升至金属Cr的熔点以上,熔化后保温,并充分搅拌;③将剩余的Sn原料加到炉中,待熔化后,降温,保温,同时继续搅拌;(2)Sn-Zn-Cr合金熔炼:①将上述Zn原料放入熔融的Sn-Cr中间合金中,待全部熔化后充分搅拌,并保温;②降温,在不断搅拌条件下,保温;③冷却至室温或根据需要浇铸成锭。本发明制备的Sn-Zn-Cr合金无铅焊料,其化学组成和金相组织均匀,能够最大限度地发挥Sn-Zn-Cr合金无铅焊料的优良特性。
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公开(公告)号:CN1794465A
公开(公告)日:2006-06-28
申请号:CN200510030973.0
申请日:2005-11-03
Applicant: 上海交通大学 , 上海集成电路研发中心有限公司
IPC: H01L29/51 , H01L29/78 , H01L29/739
Abstract: 一种材料技术领域的高介电常数栅介质PrAlxOy薄膜,包含的组分及重量百分比为:Al2O31%~24%,其余为Pr2O3。当Al2O3重量百分比为12%时,PrAlxOy与硅的界面层最薄,等效介电常数为25。本发明所得PrAlxOy薄膜为非晶薄膜,经800℃快速热处理5分钟仍保持非晶状态,结晶温度高,与硅片的界面稳定性好。PrAlxOy薄膜具有高介电常数和低漏电流的性质,不仅可用于MOSFET结构中的栅介质材料,也可用于射频电路和混合信号集成电路中MIM结构的绝缘层。
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公开(公告)号:CN1701845A
公开(公告)日:2005-11-30
申请号:CN200510024797.X
申请日:2005-03-31
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种TiO2/载钛羟基磷灰石复相吸附和消毒纳米材料的制备方法,属于材料领域。本发明材料的化学组成式为:xTiO2/y(Ca10-zTiz)(PO4)6(OH)2,其中x=0.05~0.7,y=0.3~0.95,z=0.5~3。主晶相为锐钛矿和羟基磷灰石相。通过水热法合成,首先向含钛Ti4+水溶液中搅拌滴加氢氧化钠或者NH4OH等碱性溶液,得到沉淀A;将硝酸钙Ca(NO3)2溶液滴加到另一部分含Ti4+溶液中,得到(Ca+Ti)复合溶液;将(NH4)H2PO4溶液搅拌滴加到(Ca+Ti)复合溶液中,得到沉淀B;将沉淀A与沉淀B放入高压釜中,调节溶液的酸碱度,保持在pH值为11,在200℃进行6小时的水热反应。反应后取出反应物,洗涤、干燥,即得该TiO2/羟基磷灰石复合纳米粉体材料。本发明采用水热法合成制备这种新型的TiO2/载钛羟基磷灰石纳米粉体材料,其制备方法简便,制得的材料有极强吸附和消毒能力。
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公开(公告)号:CN101775528B
公开(公告)日:2011-08-31
申请号:CN201010129176.9
申请日:2010-03-19
Applicant: 上海交通大学 , 华峰铝业股份有限公司
Abstract: 一种金属材料技术领域的用于热交换器翅片的铝合金及其制备方法,所得合金的成分配比为:Mn:1.0-1.3wt%、Si:1.0-1.3wt%、Fe:0.3-0.6wt%、Cu:0.05-0.2wt%、Zn:0.6-2.7wt%、Zr:0.05-0.2wt%、其余为Al。本发明通过向含锰量适中的铝锰合金中添加高含量硅元素和锌元素来实现力学强化,采用铸造、热轧、冷轧工艺制备了相应的板带箔材。
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公开(公告)号:CN100352595C
公开(公告)日:2007-12-05
申请号:CN200510028449.X
申请日:2005-08-04
Applicant: 上海交通大学
IPC: B23K35/26
Abstract: 一种Sn-Zn-Bi-Cr合金无铅焊料,属于电子材料技术领域。本发明的组分及其质量百分比为:Cr为0.005-1.5%,Zn为3-12%,Bi为0.5-12%,余量为Sn。Cr是不锈钢的重要组成元素,具有良好的耐腐蚀性和抗氧化性。另外,Cr与Zn元素可形成较稳定性的Zn13Cr、Zn7Cr等金属间化合物,可以进一步起到稳定焊料中的Zn,降低其反应活性的作用。本发明在保持Sn-Zn-Bi合金原有低熔点、良好润湿性等优点的基础上,抗氧化性、耐腐蚀性和延展性等化学性能和机械性能大为改善,润湿性也得到进一步提高。
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公开(公告)号:CN1325679C
公开(公告)日:2007-07-11
申请号:CN200510028448.5
申请日:2005-08-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种Sn-Zn-Bi-Cr合金无铅焊料的制备方法,属于电子材料技术领域。本发明包括以下步骤:(1)中间合金Sn-Cr的制备:①按照Cr为0.005-1.5%,Zn为3-12%,Bi为0.5-12%,余量为Sn的Sn-Zn-Bi-Cr合金焊料的组成要求先分别称取块状、粒状或粉末状纯金属Cr和Sn;②将温度升至金属Cr的熔点以上,熔化后保温,并充分搅拌;③将剩余的Sn原料加到炉中,待熔化后,降温,保温,同时继续搅拌;(2)Sn-Zn-Bi-Cr合金熔炼:①将上述Zn和Bi原料放入熔融的Sn-Cr中间合金中,待全部熔化后充分搅拌,并保温;②降温,在不断搅拌条件下,保温;③冷却至室温或根据需要浇铸成锭。本发明焊料的抗氧化性、耐腐蚀性大为改善,延展性等机械性能明显提高,同时由于抗氧化性和耐腐蚀性的改善,润湿性也得到了进一步的提高。
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公开(公告)号:CN1730694A
公开(公告)日:2006-02-08
申请号:CN200510028448.5
申请日:2005-08-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种Sn-Zn-Bi-Cr合金无铅焊料的制备方法,属于电子材料技术领域。本发明包括以下步骤:(1)中间合金Sn-Cr的制备:①按照Cr为0.005-1.5%,Zn为3-12%,Bi为0.5-12%,余量为Sn的Sn-Zn-Bi-Cr合金焊料的组成要求先分别称取块状、粒状或粉末状纯金属Cr和Sn;②将温度升至金属Cr的熔点以上,熔化后保温,并充分搅拌;③将剩余的Sn原料加到炉中,待溶化后,降温,保温,同时继续搅拌;(2)Sn-Zn-Bi-Cr合金熔炼:①将上述Zn和Bi原料放入熔融的Sn-Cr中间合金中,待全部溶化后充分搅拌,并保温;②降温,在不断搅拌条件下,保温;③冷却至室温或根据需要浇铸成定。本发明焊料的抗氧化性、耐腐蚀性大为改善,延展性等机械性能明显提高,同时由于抗氧化性和耐腐蚀性的改善,润湿性也得到了进一步的提高。
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公开(公告)号:CN1730380A
公开(公告)日:2006-02-08
申请号:CN200510028436.2
申请日:2005-08-04
Applicant: 上海交通大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 一种表面Ni基微纳米针状晶布阵结构的制备方法,属于电化学、材料学及微纳米科技交叉技术领域。本发明将导电性基材作为阴极置于含有结晶调整剂的电镀溶液中,并施加电流或电压,使电结晶按垂直于表面的方向纵向一维生长,通过5-3600秒后,便可在基材表面形成所要的Ni基微纳米针状晶布阵结构。本发明可直接在所需基材表面形成从微米到纳米尺度的Ni基针状晶布阵结构,既可以作为器件,又可以作为材料。因此,本发明提供的定向电结晶方法具有工艺简单、成本低廉,对底材形状,材质无特殊要求,适于工业化批量生产等优点。
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