-
公开(公告)号：CN106801227B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201611149178.8
申请日：2016-12-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: C23C28/00
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/金属基复合薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：选择一导电基体，对所述的导电基体清洗，清洗后在所述的导电基体上生长石墨烯薄膜层；然后对所述的石墨烯薄膜层进行清洗，再在所述的石墨烯薄膜层上生长金属层，即制得所述的石墨烯/金属基复合薄膜材料。本发明的制备方法具有工艺简单、反应条件温和和石墨烯掺杂比例可控的优点，且制得的该复合薄膜材料在保证电学性能的前提下，具有较好的力学性能、抗腐蚀氧化性能，并且能够有效阻止金属间化合物的生长，适用于表面涂层、电子封装等领域。
-
公开(公告)号：CN106801227A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201611149178.8
申请日：2016-12-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: C23C28/00
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/金属基复合薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：选择一导电基体，对所述的导电基体清洗，清洗后在所述的导电基体上生长石墨烯薄膜层；然后对所述的石墨烯薄膜层进行清洗，再在所述的石墨烯薄膜层上生长金属层，即制得所述的石墨烯/金属基复合薄膜材料。本发明的制备方法具有工艺简单、反应条件温和和石墨烯掺杂比例可控的优点，且制得的该复合薄膜材料在保证电学性能的前提下，具有较好的力学性能、抗腐蚀氧化性能，并且能够有效阻止金属间化合物的生长，适用于表面涂层、电子封装等领域。
-
公开(公告)号：CN106676598B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201611149179.2
申请日：2016-12-13
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微纳米针锥结构抑制锡晶须生长的方法，包括以下步骤：选择一导电基体，并对所述的导电基体清洗，清洗后在所述的导电基体上生长微纳米针锥结构层；然后对所述的微纳米针锥结构层进行清洗，去除表面氧化层，再在所述的微纳米针锥结构层上生长锡基焊料。本发明利用微纳米针锥结构层具有较大的比表面积和独特的几何形状，来释放锡镀层内部的压应力，从而减小锡镀层晶须生长的驱动力，抑制锡晶须的形成，适用于各种形式的锡层薄膜的生长，具有制备方法简单、温度低，工艺兼容性强，稳定性高，能够有效地抑制锡层晶须的生长的优点。
-
公开(公告)号：CN106676598A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611149179.2
申请日：2016-12-13
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微纳米针锥结构抑制锡晶须生长的方法，包括以下步骤：选择一导电基体，并对所述的导电基体清洗，清洗后在所述的导电基体上生长微纳米针锥结构层；然后对所述的微纳米针锥结构层进行清洗，去除表面氧化层，再在所述的微纳米针锥结构层上生长锡基焊料。本发明利用微纳米针锥结构层具有较大的比表面积和独特的几何形状，来释放锡镀层内部的压应力，从而减小锡镀层晶须生长的驱动力，抑制锡晶须的形成，适用于各种形式的锡层薄膜的生长，具有制备方法简单、温度低，工艺兼容性强，稳定性高，能够有效地抑制锡层晶须的生长的优点。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.018 seconds)
