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公开(公告)号：CN110306172A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910610693.9
申请日：2019-07-08
Applicant: 上海交通大学
IPC: C23C18/12
Abstract: 本发明公开了一种在金属锌上沉积氧化锌薄膜的方法；该方法包括：化学浴沉积前驱液配制；氧化锌薄膜沉积；反应温度控制。该方法采用锌盐和六亚甲基四胺的混合溶液为化学浴沉积前驱液，在常压、恒温水浴条件下利用锌离子的水解反应在锌上沉积氧化锌薄膜，通过调节化学浴温度控制水解反应的速率，从而调控氧化锌的形貌。与现有技术相比，本发明具备步骤简单，成本较低，可调控氧化锌薄膜的形貌等优势。
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公开(公告)号：CN106801227A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201611149178.8
申请日：2016-12-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: C23C28/00
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/金属基复合薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：选择一导电基体，对所述的导电基体清洗，清洗后在所述的导电基体上生长石墨烯薄膜层；然后对所述的石墨烯薄膜层进行清洗，再在所述的石墨烯薄膜层上生长金属层，即制得所述的石墨烯/金属基复合薄膜材料。本发明的制备方法具有工艺简单、反应条件温和和石墨烯掺杂比例可控的优点，且制得的该复合薄膜材料在保证电学性能的前提下，具有较好的力学性能、抗腐蚀氧化性能，并且能够有效阻止金属间化合物的生长，适用于表面涂层、电子封装等领域。
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公开(公告)号：CN103695973B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310697671.3
申请日：2013-12-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种在铜互连甲基磺酸铜镀液中添加Fe2+和Fe3+的电镀方法，包括以下步骤：将带有TSV通孔的硅片放在前处理液中进行超声波前处理；将硅片浸入到含Cu2+、Cl-和甲基磺酸的酸性甲基磺酸铜电镀液中；将添加剂PEG、SPS、JGB和Fe2+/Fe3+氧化还原对进行预混合，静置，获得预混合的添加剂溶液，将所述预混合的添加剂溶液注入所述酸性甲基磺酸铜电镀液中，经过搅拌混合后，在恒定工作电流下进行电镀，同时在电镀过程中使电镀液通过装有高纯铜颗粒的电解槽。本发明在电镀液中增加了Fe2+/Fe3+氧化还原对与PEG和SPS进行组合，从而加快通孔内部铜的沉积速率并能够更加有效抑制表面铜的沉积，进而实现无缺陷填充并降低表面镀铜的厚度，方便后续处理过程。
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公开(公告)号：CN102703939B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201210187300.6
申请日：2012-06-07
Applicant: 上海交通大学
IPC: C25D3/38
Abstract: 本发明公开了一种甲基磺酸铜电镀液的应力消除剂及其使用方法；所述应力消除剂为分子中包含有含氮杂环的杂环化合物及其衍生物；所述含氮杂环为其使用方法为：在芯片铜电沉积的电镀液中，根据应力目标范围和铜离子浓度，加入所述应力消除剂。与现有技术相比，通过在用于芯片、转接板铜互连的甲基磺酸铜镀铜液中加入ppm量级的本发明的应力消除剂，可控制镀层的内应力；其使用方法简单实用，可以在不改变正常的镀液成分或电镀工艺，也不会造成新的可靠性问题的前提下，大大降低甚至可以完全消除镀层中的内应力。
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公开(公告)号：CN100341143C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200510028441.3
申请日：2005-08-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种半导体器件微型散热器，属于半导体微电子技术领域。本发明由一层或一层以上的金属层构成，所述的金属层包括单金属层或合金层，所述的单金属是Cu、Ni、Co、Fe、Sn、Cr、Al、Ag、Au、Pd、Pt中的一种，所述的合金由上述任意两种或两种以上单金属构成，所述的单金属层或合金层至少有一层为微纳米针状晶布阵结构，如果是一层以上的金属层，则金属层之间金属键结合。本发明结构简单、体积小、散热效果好，通过较简单的化学、电化学或物理沉积方法容易获得，并可直接敷着在被散热体上，且制造成本低，使应用范围广，经测定该散热器的散热效果远远高于通常粘贴于芯片背面的铜平板散热片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1731578A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200510028441.3
申请日：2005-08-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种半导体器件微型散热器，属于半导体微电子技术领域。本发明由一层或一层以上的金属层构成，所述的金属层包括单金属层或合金层，所述的单金属是Cu、Ni、Co、Fe、Sn、Cr、Al、Ag、Au、Pd、Pt中的一种，所述的合金由上述任意两种或两种以上单金属构成，所述的单金属层或合金层至少有一层为微纳米针状晶布阵结构，如果是一层以上的金属层，则金属层之间金属键结合。本发明结构简单、体积小、散热效果好，通过较简单的化学、电化学或物理沉积方法容易获得，并可直接敷着在被散热体上，且制造成本低，使应用范围广，经测定该散热器的散热效果远远高于通常粘贴于芯片背面的铜平板散热片。
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公开(公告)号：CN106801227B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201611149178.8
申请日：2016-12-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: C23C28/00
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/金属基复合薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：选择一导电基体，对所述的导电基体清洗，清洗后在所述的导电基体上生长石墨烯薄膜层；然后对所述的石墨烯薄膜层进行清洗，再在所述的石墨烯薄膜层上生长金属层，即制得所述的石墨烯/金属基复合薄膜材料。本发明的制备方法具有工艺简单、反应条件温和和石墨烯掺杂比例可控的优点，且制得的该复合薄膜材料在保证电学性能的前提下，具有较好的力学性能、抗腐蚀氧化性能，并且能够有效阻止金属间化合物的生长，适用于表面涂层、电子封装等领域。
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公开(公告)号：CN103726085B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310694379.6
申请日：2013-12-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种深孔电镀的预处理方法，包括如下步骤：步骤（1）选择待镀的具有一个或多个深孔的半导体芯片，选择纯水，并冷却；步骤（2）将所述半导体芯片进行抽真空处理；步骤（3）将所述半导体芯片在真空下浸泡在所述纯水中；步骤（4）将所述半导体芯片使用镀液浸泡、小电流刺激；步骤（5）将所述半导体芯片使用上述镀液进行电镀。本发明使深孔与镀液充分接触，减少大深宽比的孔径中残留的气泡，有效减少空隙和接缝等缺陷的发生。
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公开(公告)号：CN103698372B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201310697835.2
申请日：2013-12-17
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N27/26
Abstract: 本发明提供了一种铜互连电镀填充效果的评价方法，包括如下步骤：利用一种表面形成图形化的金属电极测电化学曲线；利用一种平面的金属电极测电化学曲线；比较上述两种电化学曲线，评价镀铜液的填充效果；调整电镀铜液的组分浓度和金属电极表面图形的直径和深度，重复上述各个步骤，评价不同的镀液组分在一种铜互连沟道及通孔中的填充效果以及一种镀液组分在不同的铜互连沟道及通孔中的填充效果。本发明方法操作简单、方便，不但可以评价镀液在与金属电极表面的图形相似的铜互连沟道及通孔中的填充效果，而且还可以评价不同的镀液组分在一种铜互连沟道及通孔中的填充效果以及一种镀液组分在不同的铜互连沟道及通孔中的填充效果。
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公开(公告)号：CN103695973A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310697671.3
申请日：2013-12-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种在铜互连甲基磺酸铜镀液中添加Fe2+和Fe3+的电镀方法，包括以下步骤：将带有TSV通孔的硅片放在前处理液中进行超声波前处理；将硅片浸入到含Cu2+、Cl-和甲基磺酸的酸性甲基磺酸铜电镀液中；将添加剂PEG、SPS、JGB和Fe2+/Fe3+氧化还原对进行预混合，静置，获得预混合的添加剂溶液，将所述预混合的添加剂溶液注入所述酸性甲基磺酸铜电镀液中，经过搅拌混合后，在恒定工作电流下进行电镀，同时在电镀过程中使电镀液通过装有高纯铜颗粒的电解槽。本发明在电镀液中增加了Fe2+/Fe3+氧化还原对与PEG和SPS进行组合，从而加快通孔内部铜的沉积速率并能够更加有效抑制表面铜的沉积，进而实现无缺陷填充并降低表面镀铜的厚度，方便后续处理过程。
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