发明授权
CN103212776B 电子器件、制造方法和电子器件制造装置
失效 - 权利终止
- 专利标题: 电子器件、制造方法和电子器件制造装置
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申请号: CN201210495330.3申请日: 2012-11-28
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公开(公告)号: CN103212776B公开(公告)日: 2016-02-24
- 发明人: 酒井泰治 , 今泉延弘
- 申请人: 富士通株式会社
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 富士通株式会社
- 当前专利权人: 富士通株式会社
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 顾晋伟; 全万志
- 优先权: 2012-009728 2012.01.20 JP; 2012-149410 2012.07.03 JP
- 主分类号: B23K20/00
- IPC分类号: B23K20/00 ; B23K20/24 ; B23K20/26 ; H01L21/603 ; H01L23/488 ; H01R4/00 ; H01R43/00
摘要:
本发明提供一种电子器件、制造方法和电子器件制造装置。根据本公开内容,所述制造方法包括:使第一电子元件的第一电极的顶表面暴露于有机酸,利用紫外光照射第一电极的暴露于有机酸的顶表面,以及通过对第一电极和第二电子元件的第二电极进行加热和相互压制来接合第一电极和第二电极。
公开/授权文献
- CN103212776A 电子器件、制造方法和电子器件制造装置 公开/授权日:2013-07-24