公开(公告)号：CN107039379A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611027509.0

申请日：2014-11-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 清水浩三 ,  作山诚树

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065 ,  H01L23/367 ,  H01L21/98 ,  H05K3/34

Abstract: 本发明公开了一种电子设备及其制造方法。该电子设备包括：具有第一端子的第一电子部件，具有与第一端子相对的第二端子的第二电子部件，以及将第一端子与第二端子接合的接合部。接合部包含极状化合物，该极状化合物在第一端子与第二端子彼此相对的方向上延伸。接合部包含极状化合物，使得接合部的强度提高。当第一端子与第二端子接合时，使第一电子部件和第二电子部件中的一个电子部件的温度高于另一个电子部件的温度。在这种状态中冷却并且固化接合材料。通过这样做，形成极状化合物。

公开(公告)号：CN104701281A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410708719.0

申请日：2014-11-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 清水浩三 ,  作山诚树

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/00 ,  H01L21/60 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种电子设备及其制造方法。该电子设备包括：具有第一端子的第一电子部件，具有与第一端子相对的第二端子的第二电子部件，以及将第一端子与第二端子接合的接合部。接合部包含极状化合物，该极状化合物在第一端子与第二端子彼此相对的方向上延伸。接合部包含极状化合物，使得接合部的强度提高。当第一端子与第二端子接合时，使第一电子部件和第二电子部件中的一个电子部件的温度高于另一个电子部件的温度。在这种状态中冷却并且固化接合材料。通过这样做，形成极状化合物。

公开(公告)号：CN101203627A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200580050152.1

申请日：2005-06-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 作山诚树

IPC: C23C26/00 ,  B32B15/01 ,  C25D5/12 ,  C25D5/50 ,  C25D7/00 ,  H01R13/03

CPC classification number: C23C30/00 ,  B23K35/262 ,  B32B15/01 ,  C22C13/00 ,  C23C2/08 ,  C23C26/00 ,  C25D3/12 ,  C25D5/12 ,  C25D5/50 ,  C25D7/00 ,  C25D7/12 ,  H01R13/03 ,  Y10T428/12076 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12715 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明提供一种构件，该构件具有可以抑制晶须发生的被膜。在基材(1)表面上形成有被膜(3)，所述被膜(3)含有由锡或锡合金构成的多个晶粒(3a)。在被膜的晶粒边界形成有锡与第一金属的金属间化合物(3b)。

公开(公告)号：CN1220250C

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN02149582.3

申请日：2002-11-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 作山诚树 ,  落合正行 ,  山口一郎 ,  藤森城次

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体器件的制造方法，包括下述工序：在具有电极部分11的半导体衬底10上、形成树脂膜以便覆盖使得把电极部分11的树脂膜形成工序；在树脂膜上与电极部分11对应的位置上形成开口部分的开口部分形成工序；向开口部分上供给突点形成材料的供给工序；用加热处理的办法、在开口部分上形成突点41的突点形成工序；以及除去树脂膜的除去工序。

公开(公告)号：CN103972115B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310594257.X

申请日：2013-11-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 清水浩三 ,  作山诚树 ,  宫岛丰生

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  B23K1/00 ,  B23K35/26

CPC classification number: H01L24/13 ,  B23K35/004 ,  B23K35/007 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/24 ,  B23K35/262 ,  B23K35/264 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81211 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/244 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H05K3/3494 ,  H05K2201/10734 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法，包括：在布线板的第一电极和半导体元件的第二电极中的至少一者的表面上形成阻挡金属膜；在第一电极与第二电极之间设置连接端子，连接端子由含锡、铋和锌的钎料制成；以及通过加热连接端子并且将连接端子的温度保持在不低于钎料熔点的恒定温度下一定时间段，来将连接端子接合至阻挡金属膜。

公开(公告)号：CN103426842B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201310181339.1

申请日：2013-05-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山口佳孝 ,  作山诚树 ,  水野义博 ,  岩井大介 ,  崎田幸惠 ,  乘松正明 ,  浅野高治 ,  广濑真一 ,  八木下洋平

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/433

CPC classification number: H01L23/3733 ,  B82Y40/00 ,  H01L23/373 ,  H01L23/433 ,  H01L2224/73253 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/932 ,  Y10T428/24174

Abstract: 本发明公开一种片状结构、片状结构的制造方法及电子器件。该片状结构具有：束结构，包括取向为预定方向的由碳制成的多个线性结构；覆盖层，覆盖所述由碳制成的多个线性结构；以及填充层，设置在被所述覆盖层覆盖的所述由碳制成的多个线性结构之间。所述覆盖层的厚度在与所述预定方向交叉的方向上是不均匀的。本发明能够提供一种具有热传导均匀的平面的片状结构。

公开(公告)号：CN102615446B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201110460651.5

申请日：2011-12-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 赤松俊也 ,  今泉延弘 ,  作山诚树 ,  上西启介 ,  中西彻洋

IPC: B23K35/26 ,  H05K3/34 ,  H01L23/488

CPC classification number: H05K3/3463 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/262 ,  B23K35/264 ,  B23K2101/36 ,  B23K2101/40 ,  C22C12/00 ,  C22C13/00 ,  C22C30/04 ,  C22C30/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16506 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81211 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  Y10T428/12708 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599

Abstract: 本发明提供一种焊料、焊接方法和半导体器件，所述焊料包含：Sn（锡）；45wt%至65wt%的Bi（铋）；0.01wt%至0.1wt%的Zn（锌），和0.3wt%至0.8wt%的Sb（锑）。

公开(公告)号：CN103426842A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310181339.1

申请日：2013-05-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山口佳孝 ,  作山诚树 ,  水野义博 ,  岩井大介 ,  崎田幸惠 ,  乘松正明 ,  浅野高治 ,  广濑真一 ,  八木下洋平

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/433

CPC classification number: H01L23/3733 ,  B82Y40/00 ,  H01L23/373 ,  H01L23/433 ,  H01L2224/73253 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/932 ,  Y10T428/24174

Abstract: 本发明公开一种片状结构、片状结构的制造方法及电子器件。该片状结构具有：束结构，包括取向为预定方向的由碳制成的多个线性结构；覆盖层，覆盖所述由碳制成的多个线性结构；以及填充层，设置在被所述覆盖层覆盖的所述由碳制成的多个线性结构之间。所述覆盖层的厚度在与所述预定方向交叉的方向上是不均匀的。本发明能够提供一种具有热传导均匀的平面的片状结构。

公开(公告)号：CN103227157A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201210477612.0

申请日：2012-11-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山口佳孝 ,  岩井大介 ,  作山诚树 ,  水野义博 ,  乘松正明 ,  崎田幸惠 ,  浅野高治 ,  广瀬真一 ,  八木下洋平

IPC: H01L23/373 ,  H01L21/56

CPC classification number: H05K7/2039 ,  H01L21/4817 ,  H01L21/56 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/42 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16251

Abstract: 本发明涉及电子器件及其制造方法。所述电子器件包括：半导体器件；设置在所述半导体器件上方的导热树脂，所述导热树脂包括热导体和树脂；设置在所述导热树脂上方的线形碳件，所述线形碳件待与所述热导体热接触；以及设置在所述线形碳件上方的散热器，所述散热器包括容纳所述导热树脂的凹部。

公开(公告)号：CN103178037A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210429510.1

申请日：2012-10-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 作山诚树 ,  赤松俊也 ,  今泉延弘 ,  上西启介 ,  八坂健一 ,  酒井彻

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H05K1/11

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2924/00014 ,  H05K3/3436 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供电子部件和电子装置。所述电子部件的连接端子的表面上覆盖有由AgSn合金制成的保护层。电子部件焊接到电路板的连接端子。