发明授权
- 专利标题： 片状结构、片状结构的制造方法及电子器件
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申请号： CN201310181339.1申请日： 2013-05-16
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公开(公告)号： CN103426842B公开(公告)日： 2016-04-13
- 发明人: 山口佳孝 , 作山诚树 , 水野义博 , 岩井大介 , 崎田幸惠 , 乘松正明 , 浅野高治 , 广濑真一 , 八木下洋平
- 申请人： 富士通株式会社
- 申请人地址： 日本国神奈川县川崎市
- 专利权人： 富士通株式会社
- 当前专利权人： 富士通株式会社
- 当前专利权人地址： 日本国神奈川县川崎市
- 代理机构： 隆天知识产权代理有限公司
- 代理商 金鹏; 陈昌柏
- 优先权： 2012-112326 2012.05.16 JP
- 主分类号： H01L23/373
- IPC分类号： H01L23/373 ; H01L23/433
摘要：
本发明公开一种片状结构、片状结构的制造方法及电子器件。该片状结构具有：束结构，包括取向为预定方向的由碳制成的多个线性结构；覆盖层，覆盖所述由碳制成的多个线性结构；以及填充层，设置在被所述覆盖层覆盖的所述由碳制成的多个线性结构之间。所述覆盖层的厚度在与所述预定方向交叉的方向上是不均匀的。本发明能够提供一种具有热传导均匀的平面的片状结构。
公开/授权文献
- CN103426842A 片状结构、片状结构的制造方法及电子器件 公开/授权日：2013-12-04
IPC分类:
