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公开(公告)号：CN102448879B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN200980159632.X
申请日：2009-06-16
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L35/22 , C01B32/20 , H01L29/1606 , H01L35/32 , Y10T428/261
Abstract: 本发明涉及一种石墨结构体和具有石墨结构体的电子部件，所述石墨结构体具有石墨烯片的层叠体以穹顶状弯曲而形成的多个晶畴，并且所述多个晶畴配置成平面状，相邻的晶畴之间互相连接。
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公开(公告)号：CN103718290A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201180072665.8
申请日：2011-09-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/373 , C01B31/02 , H05K7/20
CPC classification number: H01L23/3672 , H01L21/4882 , H01L21/50 , H01L23/373 , H01L23/3732 , H01L23/3738 , H01L23/433 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H05K7/2039 , Y10T428/24802 , Y10T428/24851
Abstract: 包括具有第一端部及第二端部的由碳元素构成的多个线状结构体、覆盖多个线状结构体的第一端部的类金刚石碳层、配置在多个线状结构体之间的填充层。
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公开(公告)号：CN103718296B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201180072619.8
申请日：2011-07-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L29/06 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/02 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/16 , H01L29/786 , H01L31/10
CPC classification number: H01L21/02664 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/0484 , C01B32/194 , C01B2204/06 , H01L21/02378 , H01L21/02527 , H01L21/0259 , H01L29/1606 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 在石墨烯（11）上堆积多个粒子（12），该粒子具有在规定的温度以上吸收碳的性质。进行加热直至粒子（12）的温度为规定的温度以上，使粒子（12）吸收构成石墨烯（11）的该粒子（12）下面的部分的碳。除去粒子（12）。由此得到石墨烯纳米网（10）。
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公开(公告)号：CN103718296A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201180072619.8
申请日：2011-07-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L29/06 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/02 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/16 , H01L29/786 , H01L31/10
CPC classification number: H01L21/02664 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/0484 , C01B32/194 , C01B2204/06 , H01L21/02378 , H01L21/02527 , H01L21/0259 , H01L29/1606 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/78684 , H01L29/78696 , H01L31/035209
Abstract: 在石墨烯（11）上堆积多个粒子（12），该粒子具有在规定的温度以上吸收碳的性质。进行加热直至粒子（12）的温度为规定的温度以上，使粒子（12）吸收构成石墨烯（11）的该粒子（12）下面的部分的碳。除去粒子（12）。由此得到石墨烯纳米网（10）。
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公开(公告)号：CN102792441B
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201080065389.8
申请日：2010-03-12
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L23/373 , H01L23/3737 , H01L23/433 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/2929 , H01L2224/29393 , H01L2224/29499 , H01L2224/32245 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种具有良好散热效率和新颖的结构的散热结构。该散热结构设置有被布置成相互面对的热源和散热器、形成在热源和散热器的面对的表面中的至少一个表面中的凹陷部分、以及热传递结构，该热传递结构包括：布置在热源与散热器之间并且接触热源和散热器的面对的表面的热塑性材料的填塞层；以及碳纳米管组件，该碳纳米管组件被分布在热塑性材料内、在填塞层的表面上被垂直地定向，并且其中该组件的两端与热源和散热器的面对的表面接触、并且其沿着面对的表面的分布由凹陷部分调节。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102448879A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200980159632.X
申请日：2009-06-16
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L35/22 , C01B32/20 , H01L29/1606 , H01L35/32 , Y10T428/261
Abstract: 本发明涉及一种石墨结构体和具有石墨结构体的电子部件，所述石墨结构体具有石墨烯片的层叠体以穹顶状弯曲而形成的多个晶畴，并且所述多个晶畴配置成平面状，相邻的晶畴之间互相连接。
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公开(公告)号：CN101540302B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN200910128024.4
申请日：2009-03-17
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L23/433 , H01L23/373 , H01L23/3733 , H01L24/31 , H01L2224/16225 , H01L2224/29499 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/15788 , H01L2924/16152 , Y10T428/30 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 一种片结构和制造片结构的方法，其中该片结构包括：多个碳原子线性结构；填充在所述多个碳原子线性结构之间的间隙中的填充层，用于支承所述多个碳原子线性结构；以及形成在所述多个碳原子线性结构的至少一端的涂膜，并且所述涂膜的导热率至少为1W/m·K。
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公开(公告)号：CN101540302A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910128024.4
申请日：2009-03-17
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L23/433 , H01L23/373 , H01L23/3733 , H01L24/31 , H01L2224/16225 , H01L2224/29499 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/15788 , H01L2924/16152 , Y10T428/30 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 一种片结构和制造片结构的方法，其中该片结构包括：多个碳原子线性结构；填充在所述多个碳原子线性结构之间的间隙中的填充层，用于支承所述多个碳原子线性结构；以及形成在所述多个碳原子线性结构的至少一端的涂膜，并且所述涂膜的导热率至少为1W/m·K。
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公开(公告)号：CN103227157B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201210477612.0
申请日：2012-11-21
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/373 , H01L21/56
CPC classification number: H05K7/2039 , H01L21/4817 , H01L21/56 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/42 , H01L24/29 , H01L2224/16225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/16251
Abstract: 本发明涉及电子器件及其制造方法。所述电子器件包括：半导体器件；设置在所述半导体器件上方的导热树脂，所述导热树脂包括热导体和树脂；设置在所述导热树脂上方的线形碳件，所述线形碳件待与所述热导体热接触；以及设置在所述线形碳件上方的散热器，所述散热器包括容纳所述导热树脂的凹部。
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公开(公告)号：CN102792441A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201080065389.8
申请日：2010-03-12
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L23/373 , H01L23/3737 , H01L23/433 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/2929 , H01L2224/29393 , H01L2224/29499 , H01L2224/32245 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种具有良好散热效率和新颖的结构的散热结构。该散热结构设置有被布置成相互面对的热源和散热器、形成在热源和散热器的面对的表面中的至少一个表面中的凹陷部分、以及热传递结构，该热传递结构包括：布置在热源与散热器之间并且接触热源和散热器的面对的表面的热塑性材料的填塞层；以及碳纳米管组件，该碳纳米管组件被分布在热塑性材料内、在填塞层的表面上被垂直地定向，并且其中该组件的两端与热源和散热器的面对的表面接触、并且其沿着面对的表面的分布由凹陷部分调节。
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