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公开(公告)号：CN1487572A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03127525.7
申请日：2003-08-06
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L24/12 , H01L21/563 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/1147 , H01L2224/11472 , H01L2224/1152 , H01L2224/11849 , H01L2224/131 , H01L2224/13566 , H01L2224/1357 , H01L2224/1369 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/73203 , H01L2224/81355 , H01L2224/818 , H01L2224/83191 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01059 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/1579 , H05K3/3452 , H05K3/3484 , H05K2201/10977 , H05K2203/043 , H05K2203/0568 , H05K2203/0577 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2224/05599
Abstract: 一种焊料球的形成方法，包括以下步骤：在衬底上形成电极焊盘；在电极焊盘的位置处形成具有第一开口的绝缘层；用包括焊料和具有底填性质的第一树脂填充第一开口；以及对焊膏进行加热工艺，在电极焊盘上形成焊料球，并在电极焊盘和衬底之间的边界上形成所述第一树脂的固化的树脂部件。
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公开(公告)号：CN1420527A
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN02149582.3
申请日：2002-11-15
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/12 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L2224/03912 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05027 , H01L2224/05568 , H01L2224/1147 , H01L2224/1148 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/00
Abstract: 半导体器件的制造方法，包括下述工序：在具有电极部分11的半导体衬底10上、形成树脂膜以便覆盖使得把电极部分11的树脂膜形成工序；在树脂膜上与电极部分11对应的位置上形成开口部分的开口部分形成工序；向开口部分上供给突点形成材料的供给工序；用加热处理的办法、在开口部分上形成突点41的突点形成工序；以及除去树脂膜的除去工序。
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公开(公告)号：CN1220250C
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN02149582.3
申请日：2002-11-15
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/12 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L2224/03912 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05027 , H01L2224/05568 , H01L2224/1147 , H01L2224/1148 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/00
Abstract: 半导体器件的制造方法，包括下述工序：在具有电极部分11的半导体衬底10上、形成树脂膜以便覆盖使得把电极部分11的树脂膜形成工序；在树脂膜上与电极部分11对应的位置上形成开口部分的开口部分形成工序；向开口部分上供给突点形成材料的供给工序；用加热处理的办法、在开口部分上形成突点41的突点形成工序；以及除去树脂膜的除去工序。
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公开(公告)号：CN1237595C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN03127525.7
申请日：2003-08-06
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L24/12 , H01L21/563 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/1147 , H01L2224/11472 , H01L2224/1152 , H01L2224/11849 , H01L2224/131 , H01L2224/13566 , H01L2224/1357 , H01L2224/1369 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/73203 , H01L2224/81355 , H01L2224/818 , H01L2224/83191 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01059 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/1579 , H05K3/3452 , H05K3/3484 , H05K2201/10977 , H05K2203/043 , H05K2203/0568 , H05K2203/0577 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2224/05599
Abstract: 一种焊料球的形成方法，包括以下步骤：在衬底上形成电极焊盘；在电极焊盘的位置处形成具有第一开口的绝缘层；用包括焊料和具有底填性质的第一树脂填充第一开口；以及对焊膏进行加热工艺，在电极焊盘上形成焊料球，并在电极焊盘和衬底之间的边界上形成所述第一树脂的固化的树脂部件。
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