公开(公告)号：CN101026109A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200610100027.3

申请日：2006-06-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 藤森城次

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/12 ,  H01L24/13 ,  H01L24/742 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11515 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13309 ,  H01L2224/13318 ,  H01L2224/1332 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/742 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599

Abstract: 本发明提供一种成本低、易使用及效率高的制造半导体器件的方法及具有以窄间距排列的微凸点的高性能半导体器件，该制造半导体器件的方法使得在形成凸点时不需要形成或去除阻挡金属。该方法包括如下步骤：在半导体衬底(10)的一个表面上形成多个电极焊盘(12)；形成覆盖在各个电极焊盘(12)的周边的绝缘层，例如无机绝缘层(14)和有机绝缘层(16)；在所述绝缘层(14，16)上有选择地形成掩模层(20)；清洗电极焊盘(12)的没有被所述绝缘层(14，16)覆盖的表面；在由所述绝缘层(14，16)和该掩模层(20)界定的区域中形成外部端子(46)，使其与所述电极焊盘(12)接触；以及去除该掩模层(20)。

公开(公告)号：CN1237595C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN03127525.7

申请日：2003-08-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 藤森城次 ,  山口一郎

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H05K3/34

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L21/563 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/1152 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13566 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81355 ,  H01L2224/818 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1579 ,  H05K3/3452 ,  H05K3/3484 ,  H05K2201/10977 ,  H05K2203/043 ,  H05K2203/0568 ,  H05K2203/0577 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种焊料球的形成方法，包括以下步骤：在衬底上形成电极焊盘；在电极焊盘的位置处形成具有第一开口的绝缘层；用包括焊料和具有底填性质的第一树脂填充第一开口；以及对焊膏进行加热工艺，在电极焊盘上形成焊料球，并在电极焊盘和衬底之间的边界上形成所述第一树脂的固化的树脂部件。

公开(公告)号：CN1220250C

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN02149582.3

申请日：2002-11-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 作山诚树 ,  落合正行 ,  山口一郎 ,  藤森城次

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体器件的制造方法，包括下述工序：在具有电极部分11的半导体衬底10上、形成树脂膜以便覆盖使得把电极部分11的树脂膜形成工序；在树脂膜上与电极部分11对应的位置上形成开口部分的开口部分形成工序；向开口部分上供给突点形成材料的供给工序；用加热处理的办法、在开口部分上形成突点41的突点形成工序；以及除去树脂膜的除去工序。

公开(公告)号：CN101127314A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200710008067.X

申请日：2007-02-09

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 藤森城次 ,  作山诚树 ,  赤松俊也

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81211 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种半导体元件的安装方法及半导体器件的制造方法，该安装方法用以经由不含铅(Pb)的外部连接凸电极将半导体元件安装在布线板上。该安装方法包括如下步骤：应用回流热处理以使半导体元件的外部连接凸电极与布线板相连接，然后以小于等于0.5℃/s的冷却速率冷却相连接的半导体元件和布线板。

公开(公告)号：CN1487572A

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN03127525.7

申请日：2003-08-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 藤森城次 ,  山口一郎

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H05K3/34

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L21/563 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/1152 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13566 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81355 ,  H01L2224/818 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1579 ,  H05K3/3452 ,  H05K3/3484 ,  H05K2201/10977 ,  H05K2203/043 ,  H05K2203/0568 ,  H05K2203/0577 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种焊料球的形成方法，包括以下步骤：在衬底上形成电极焊盘；在电极焊盘的位置处形成具有第一开口的绝缘层；用包括焊料和具有底填性质的第一树脂填充第一开口；以及对焊膏进行加热工艺，在电极焊盘上形成焊料球，并在电极焊盘和衬底之间的边界上形成所述第一树脂的固化的树脂部件。

公开(公告)号：CN1420527A

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN02149582.3

申请日：2002-11-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 作山诚树 ,  落合正行 ,  山口一郎 ,  藤森城次

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体器件的制造方法，包括下述工序：在具有电极部分11的半导体衬底10上、形成树脂膜以便覆盖使得把电极部分11的树脂膜形成工序；在树脂膜上与电极部分11对应的位置上形成开口部分的开口部分形成工序；向开口部分上供给突点形成材料的供给工序；用加热处理的办法、在开口部分上形成突点41的突点形成工序；以及除去树脂膜的除去工序。