公开(公告)号：CN103681558A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210337060.3

申请日：2012-09-12

Applicant: 矽品精密工业股份有限公司

Inventor： 林长甫 ,  蔡和易 ,  姚进财 ,  何瑞忠 ,  洪静慧

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L23/53204 ,  H01L24/00 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05584 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029

Abstract: 一种半导体封装件中的连接结构，其设于基板的连接垫上，其包括凸块底下金属层以及一焊锡材料，且该凸块底下金属层依序为形成于该连接垫上的钛层、铜层、镍层及金属层，而该金属层为金层、银层、铅层或铜层的其中一者，又该金属层的厚度为0.5至5微米，所以当回焊该焊锡材料以形成焊锡凸块后，该焊锡凸块与该金属层之间不会产生锡镍化合物，以避免于该凸块底下金属层与该焊锡凸块之间发生凸块脱落的问题。

公开(公告)号：CN103928433A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201310046666.6

申请日：2013-02-05

Applicant: 矽品精密工业股份有限公司

Inventor： 林长甫 ,  蔡和易 ,  姚进财 ,  洪静慧

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体装置及其制法，该半导体装置包括：基板，其具有基板本体与导电线路，该导电线路形成于该基板本体上并具有容置空间；导电材，形成于该容置空间内并电性连接该导电线路；以及半导体组件，其设置于该基板上，该半导体组件具有电性连接垫与导电体，该导电体形成于该电性连接垫上并电性连接该导电材。由此，本发明可避免相邻的导电体间产生焊料桥接的情形，并改善该导电体与该导电材间的对位能力，进而提升该半导体装置的效能。

公开(公告)号：CN103681558B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201210337060.3

申请日：2012-09-12

Applicant: 矽品精密工业股份有限公司

Inventor： 林长甫 ,  蔡和易 ,  姚进财 ,  何瑞忠 ,  洪静慧

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L23/53204 ,  H01L24/00 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05584 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029

Abstract: 一种半导体封装件中的连接结构，其设于基板的连接垫上，其包括凸块底下金属层以及一焊锡材料，且该凸块底下金属层依序为形成于该连接垫上的钛层、铜层、镍层及金属层，而该金属层为金层、银层、铅层或铜层的其中一者，又该金属层的厚度为0.5至5微米，所以当回焊该焊锡材料以形成焊锡凸块后，该焊锡凸块与该金属层之间不会产生锡镍化合物，以避免于该凸块底下金属层与该焊锡凸块之间发生凸块脱落的问题。