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公开(公告)号：CN108122868B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201711186765.9
申请日：2017-11-24
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 本申请涉及经过附加处理的热引导沟槽，其中公开了一种集成电路(100)，其具有包括半导体材料(104)的衬底(102)以及设置在衬底(102)之上的互连区(106)。该集成电路(100)包括衬底(102)中的热引导沟槽(130)。热引导沟槽(130)包括其中相邻纳米颗粒(135)彼此粘附的粘附纳米颗粒膜(134)。热引导沟槽(130)具有比接触热引导沟槽(130)的半导体材料(104)更高的热导率。粘附纳米颗粒膜(134)通过附加工艺来形成。
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公开(公告)号：CN108122868A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711186765.9
申请日：2017-11-24
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48
CPC classification number: H01L23/367 , H01L21/32051 , H01L21/32055 , H01L21/324 , H01L21/743 , H01L21/76895 , H01L23/3677 , H01L23/3735 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53276 , H01L27/0248 , H01L2224/48463 , H01L21/4871 , H01L23/373 , H01L23/3736 , H01L23/3738
Abstract: 本申请涉及经过附加处理的热引导沟槽，其中公开了一种集成电路(100)，其具有包括半导体材料(104)的衬底(102)以及设置在衬底(102)之上的互连区(106)。该集成电路(100)包括衬底(102)中的热引导沟槽(130)。热引导沟槽(130)包括其中相邻纳米颗粒(135)彼此粘附的粘附纳米颗粒膜(134)。热引导沟槽(130)具有比接触热引导沟槽(130)的半导体材料(104)更高的热导率。粘附纳米颗粒膜(134)通过附加工艺来形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110313065B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN201880012859.0
申请日：2018-02-21
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L23/66 , H01L23/64 , H01L29/16 , H01L29/778 , H01L21/336
Abstract: 在所描述的示例中，微电子器件(100)包括电导体(106)，其包括石墨烯异质层(108)。石墨烯异质层(108)包括交替的石墨烯层(110)和阻挡材料层(112)。每个石墨烯层(110)具有一至两个石墨烯原子层。每个阻挡材料层(112)具有一至三层的六方氮化硼、立方氮化硼和/或氮化铝。石墨烯层(110)和阻挡材料层(112)可以是连续的，或者可以设置在纳米颗粒膜的纳米颗粒中。
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公开(公告)号：CN107850648B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201680046372.5
申请日：2016-09-06
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 在所描述的示例中，一种石墨烯霍尔传感器(GHS)(1101)具有调制的栅极偏置信号(1112)，其以第一电压和第二电压之间的调制频率交替，该第一电压在GHS中产生第一电导率状态，该第二电压在GHS中近似产生相同的第二电导率状态。可以通过GHS的第一轴提供偏置电流(1110)。可以在霍尔传感器的第二轴两端提供合成输出电压信号(VH‑P、VH‑N)，合成输出电压信号包括调制的霍尔电压和偏移电压，其中以调制频率调制霍尔电压。不包括偏移电压的霍尔电压的振幅(1131)可以从合成输出电压信号中被提取(1120)。
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公开(公告)号：CN107850648A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680046372.5
申请日：2016-09-06
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 在所描述的示例中，一种石墨烯霍尔传感器(GHS)(1101)具有调制的栅极偏置信号(1112)，其以第一电压和第二电压之间的调制频率交替，该第一电压在GHS中产生第一电导率状态，该第二电压在GHS中近似产生相同的第二电导率状态。可以通过GHS的第一轴提供偏置电流(1110)。可以在霍尔传感器的第二轴两端提供合成输出电压信号(VH-P、VH-N)，合成输出电压信号包括调制的霍尔电压和偏移电压，其中以调制频率调制霍尔电压。不包括偏移电压的霍尔电压的振幅(1131)可以从合成输出电压信号中被提取(1120)。
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公开(公告)号：CN110337720A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201880012923.5
申请日：2018-02-21
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L27/04
Abstract: 在所描述的示例中，集成电路(100)包括互连(124)，互连(124)包括金属层(130)、在金属层(130)的顶部表面或者金属层(130)的底部表面中的至少一个上的石墨烯层(132)以及在石墨烯层(132)上与金属层(130)相对的六方氮化硼(hBN)层(134)。集成电路的介电材料(116)接触hBN层(134)。石墨烯层(132)具有一个或更多个石墨烯原子层。hBN层(134)的厚度为一至三个原子层。互连(124)可以在金属层(130)的底部表面上具有下石墨烯层(128)以及下hBN层(126)，并且在金属层(130)的顶部表面上具有上石墨烯层(132)以及上hBN层(134)。
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公开(公告)号：CN110313065A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201880012859.0
申请日：2018-02-21
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L23/66 , H01L23/64 , H01L29/16 , H01L29/778 , H01L21/336
Abstract: 在所描述的示例中，微电子器件(100)包括电导体(106)，其包括石墨烯异质层(108)。石墨烯异质层(108)包括交替的石墨烯层(110)和阻挡材料层(112)。每个石墨烯层(110)具有一至两个石墨烯原子层。每个阻挡材料层(112)具有一至三层的六方氮化硼、立方氮化硼和/或氮化铝。石墨烯层(110)和阻挡材料层(112)可以是连续的，或者可以设置在纳米颗粒膜的纳米颗粒中。
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