石墨烯和氮化硼异质结构器件在半导体层上的集成

    公开(公告)号:CN111801780A

    公开(公告)日:2020-10-20

    申请号:CN201980014329.4

    申请日:2019-03-04

    Abstract: 一种微电子器件(100),其包括在半导体材料(106)上方的栅控石墨烯组件(102)。栅控石墨烯组件(102)包括具有至少一层石墨烯的石墨层(126)。石墨层(126)具有沟道区(128)。第一连接(134)和第二连接(136)电连接到与沟道区(128)相邻的石墨层(126)。石墨层(126)与半导体材料(106)隔离。具有第一导电类型的背栅区(142)设置在沟道区(128)下方的半导体材料(106)中。第一接触场区(144)和第二接触场区(146)分别设置在第一连接(134)和第二连接(136)下方的半导体材料(106)中。第一接触场区(144)和第二接触场区(146)中的至少一个具有相反的第二导电类型。

    使用宽带信号的闭环设备校准

    公开(公告)号:CN106932736A

    公开(公告)日:2017-07-07

    申请号:CN201611270808.7

    申请日:2016-12-29

    Abstract: 本申请涉及使用宽带信号的闭环设备校准,本申请公开一种闭环校准方案,该闭环校准方案被配置为允许设备(140、240)在连续操作中保持。信号发生器设备(141、240)为由磁场的磁场传感器(143、243)(诸如霍尔效应传感器)接收的信号(142、242)提供伪随机序列。信号解码器电路(250)接收输出信号(144、244)并通过测量整体信号中的增益从干扰中解码生成的扩展频谱信号。解码器设备(250)从任意特定带宽的扰动效应中区分已知的扩展频谱信号。然后处理电路(246)输出具有已经被调用于补偿扰动效应的操作参数的信号。处理电路(246)提供接收器电路(243)以补偿信号,由此形成闭环校准配置。

    采用来自环境条件的相长干涉

    公开(公告)号:CN106814038A

    公开(公告)日:2017-06-09

    申请号:CN201611102066.7

    申请日:2016-11-29

    Abstract: 本申请公开一种光学系统(104),该光学系统(104)包括光学照明源(202)、光学接收器(204)、相关性确定电路(206)以及环境条件控制电路(208)。光学照明源(202)被配置为在靶目标的方向上发射光(116)。光学接收器(204)被配置为接收组合光学信号(114),该组合光学信号(114)包括与探询成分组合的环境光成分。相关性确定电路(206)被配置为比较组合光学信号(114)与环境光信号(112)以识别相关性因子。环境条件控制电路(208)被配置为比较相关性因子与低相关性阈值和高相关性阈值,并且基于相关性因子超过低阈值并小于高相关性阈值而从组合光学信号(114)中消除环境光成分以产生包括探询成分的探询信号(118)。

    采用来自环境条件的相长干涉

    公开(公告)号:CN106814038B

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:CN201611102066.7

    申请日:2016-11-29

    Abstract: 本申请公开一种光学系统(104),该光学系统(104)包括光学照明源(202)、光学接收器(204)、相关性确定电路(206)以及环境条件控制电路(208)。光学照明源(202)被配置为在靶目标的方向上发射光(116)。光学接收器(204)被配置为接收组合光学信号(114),该组合光学信号(114)包括与探询成分组合的环境光成分。相关性确定电路(206)被配置为比较组合光学信号(114)与环境光信号(112)以识别相关性因子。环境条件控制电路(208)被配置为比较相关性因子与低相关性阈值和高相关性阈值,并且基于相关性因子超过低阈值并小于高相关性阈值而从组合光学信号(114)中消除环境光成分以产生包括探询成分的探询信号(118)。

    用于光电体积描记系统的发送器架构

    公开(公告)号:CN106561068B

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201610866028.2

    申请日:2016-09-29

    Abstract: 本文公开了一种用于光电体积描记系统的发送器架构。一种用于光电体积描记系统的LED(发光二极管)驱动器(36),包括用于驱动晶体管(54)的开关式运算放大器(58),该开关式运算放大器(58)具有与LED(40)串联的源漏路径。在该LED与该驱动晶体管断开的第一时钟相位中,该放大器以单位增益模式耦合,并且采样电容器(60)存储与该放大器的偏移和闪烁噪声相对应的电压;该驱动晶体管的栅极在这个第一时钟相位中被预先充电至参考电压。在第二时钟相位中,从施加到该放大器输入端的参考电压中减去电容器(60)的采样电压,以便根据该采样噪声调整该LED驱动。将信号从发送器通道(80)转发到接收通道(85)中的噪声/纹波消除器(90),用以从接收到的信号消除发送器噪声。

    用于模数转换器的基于双比较器的误差校正方案

    公开(公告)号:CN104917526B

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201510109136.0

    申请日:2015-03-12

    Abstract: 本发明涉及用于模数转换器的基于双比较器的误差校正方案。一种模数转换器(ADC)(10)包括第一比较器(20a)、第二比较器(20b)和判定定时比较逻辑单元(22)。在ADC的相同二进制算法迭代期间,第一比较器经配置以输出第一输出电压,而第二比较器经配置以输出第二输出电压。判定定时比较逻辑单元经配置以识别第一输出电压的第一极性和第二输出电压的第二极性,并且,如果第一极性等于第二极性,则插入至少一个冗余电容器(26a、26b)以用于ADC的下一次二进制算法迭代。

    石墨烯和氮化硼异质结构器件在半导体层上的集成

    公开(公告)号:CN111801780B

    公开(公告)日:2025-01-14

    申请号:CN201980014329.4

    申请日:2019-03-04

    Abstract: 一种微电子器件(100),其包括在半导体材料(106)上方的栅控石墨烯组件(102)。栅控石墨烯组件(102)包括具有至少一层石墨烯的石墨层(126)。石墨层(126)具有沟道区(128)。第一连接(134)和第二连接(136)电连接到与沟道区(128)相邻的石墨层(126)。石墨层(126)与半导体材料(106)隔离。具有第一导电类型的背栅区(142)设置在沟道区(128)下方的半导体材料(106)中。第一接触场区(144)和第二接触场区(146)分别设置在第一连接(134)和第二连接(136)下方的半导体材料(106)中。第一接触场区(144)和第二接触场区(146)中的至少一个具有相反的第二导电类型。

    使用宽带信号的闭环设备校准

    公开(公告)号:CN106932736B

    公开(公告)日:2021-06-18

    申请号:CN201611270808.7

    申请日:2016-12-29

    Abstract: 本申请涉及使用宽带信号的闭环设备校准,本申请公开一种闭环校准方案,该闭环校准方案被配置为允许设备(140、240)在连续操作中保持。信号发生器设备(141、240)为由磁场的磁场传感器(143、243)(诸如霍尔效应传感器)接收的信号(142、242)提供伪随机序列。信号解码器电路(250)接收输出信号(144、244)并通过测量整体信号中的增益从干扰中解码生成的扩展频谱信号。解码器设备(250)从任意特定带宽的扰动效应中区分已知的扩展频谱信号。然后处理电路(246)输出具有已经被调用于补偿扰动效应的操作参数的信号。处理电路(246)提供接收器电路(243)以补偿信号,由此形成闭环校准配置。

    低偏移石墨烯霍尔传感器

    公开(公告)号:CN107850648B

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:CN201680046372.5

    申请日:2016-09-06

    Abstract: 在所描述的示例中,一种石墨烯霍尔传感器(GHS)(1101)具有调制的栅极偏置信号(1112),其以第一电压和第二电压之间的调制频率交替,该第一电压在GHS中产生第一电导率状态,该第二电压在GHS中近似产生相同的第二电导率状态。可以通过GHS的第一轴提供偏置电流(1110)。可以在霍尔传感器的第二轴两端提供合成输出电压信号(VH‑P、VH‑N),合成输出电压信号包括调制的霍尔电压和偏移电压,其中以调制频率调制霍尔电压。不包括偏移电压的霍尔电压的振幅(1131)可以从合成输出电压信号中被提取(1120)。

    低偏移石墨烯霍尔传感器
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107850648A

    公开(公告)日:2018-03-27

    申请号:CN201680046372.5

    申请日:2016-09-06

    Abstract: 在所描述的示例中,一种石墨烯霍尔传感器(GHS)(1101)具有调制的栅极偏置信号(1112),其以第一电压和第二电压之间的调制频率交替,该第一电压在GHS中产生第一电导率状态,该第二电压在GHS中近似产生相同的第二电导率状态。可以通过GHS的第一轴提供偏置电流(1110)。可以在霍尔传感器的第二轴两端提供合成输出电压信号(VH-P、VH-N),合成输出电压信号包括调制的霍尔电压和偏移电压,其中以调制频率调制霍尔电压。不包括偏移电压的霍尔电压的振幅(1131)可以从合成输出电压信号中被提取(1120)。

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