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公开(公告)号：CN111312318B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201811519997.6
申请日：2018-12-12
申请人： 北京兆易创新科技股份有限公司
IPC分类号： G11C16/30
摘要： 本发明一种非易失存储器控制方法以及装置，本发明涉及非易失存储器领域，所述方法包括：所述控制器接收操作指令，所述控制器接收所述电压检测电路检测电源输入端的目标电压值，所述控制器根据预设的电压值与操作参数的对应关系，调整非易失存储器至预设所述目标电压值对应的目标操作参数，所述控制器根据所述操作参数执行所述操作指令。本发明提供的一种非易失存储器控制方法以及装置，非易失存储器内部的擦除/编程控制器可以根据外接电源电压的变化，对编程操作时的编程模式，以及编程或者擦除操作的单位加压时间进行动态调整，使得非易失存储器始终工作在最高效率，从而提高了用户的工作效率。
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公开(公告)号：CN109839218B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201711230665.1
申请日：2017-11-29
申请人： 北京兆易创新科技股份有限公司 , 合肥格易集成电路有限公司
IPC分类号： G01K15/00
摘要： 本发明公开了一种温度传感器的测试装置，包括：比较模块用于比较测试温度对应的电压值和至少一个基准温度对应的电压值的大小关系，以得到测试温度与至少一个基准温度的大小关系，并由比较模块的第三端输出；处理模块用于根据测试温度对应的电压值以及获取测试温度对应的电压值与测试温度的理论对应关系，确定第一理论温度；判断模块分别与比较模块的第三端和处理模块的输出端电连接，用于若第一理论温度与基准温度的大小关系和测试温度与基准温度的大小关系相同，则判断温度传感器能准确感测外界测试温度。本发明实施例的技术方案通过一个比较模块可以接入至少一个基准温度对应的电压值，使得测试装置比较简单，且降低了测试成本。
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公开(公告)号：CN109841259B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201711230666.6
申请日：2017-11-29
申请人： 北京兆易创新科技股份有限公司 , 合肥格易集成电路有限公司
摘要： 本发明公开了一种提高NOR型存储阵列读取速度的方法及装置，包括：将NOR型存储阵列划分为2n个子阵列；若首次读取，根据首地址确定选中位线的地址以及选中字线的地址，根据选中位线的地址、选中字线的地址、位线地址标识位的状态以及位线地址标识位中区分子阵列标识位的状态，对2n个子阵列中的存储单元同时进行读取操作；若并非首次读取，输出与当前选中字线的地址和当前选中位线的地址对应的存储单元对应的数据，并对下一个子阵列的存储单元进行读取操作。本发明实施例的技术方案通过将存储阵列分为多个子阵列，每次读取多个存储单元，以缩短读取完选定数量的存储单元，并将这些存储单元的数据全部输出的时间总和。
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公开(公告)号：CN108257639B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201611249262.7
申请日：2016-12-29
申请人： 北京兆易创新科技股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种改善编程性能的方法和装置，方法包括：获取编程地址；根据编程地址对应字线所在的字线组，与编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离，确定目标漏端编程电压；设置非易失性存储器的各漏端编程电源端电压为目标漏端编程电压。本发明实施例可以补偿编程地址对应非易失性存储器单元的漏端串联电阻压降，有效提高了编程性能，节省了编程时间。
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公开(公告)号：CN105513637B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201410505287.3
申请日：2014-09-26
申请人： 北京兆易创新科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种编程监控的方法，该编程监控方法包括：获取闪存阵列中第一存储单元的编程性能参数；当所述第一存储单元的编程性能参数超过预设阈值时，对目标存储单元的编程配置参数进行调节，所述目标存储单元包括所述第一存储单元和/或所述第一存储单元所在的闪存区块中的其余存储单元，所述闪存阵列包括至少一个闪存区块；根据调节后的编程配置参数，对所述目标存储单元进行编程控制。本发明通过调节存储单元的编程配置参数，使存储芯片保持高性能的编程能力，具有在存储芯片编程效率衰退时及时调整、缩短编程时间、提高编程效率的优势，以及可多次调整编程配置参数，达到延长存储芯片使用寿命、优化编程性能的有益效果。
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公开(公告)号：CN105810244B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201410842089.6
申请日：2014-12-30
申请人： 北京兆易创新科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种电压转换的控制方法、装置和一种快闪存储器，该电压转换控制方法包括：获取存储阵列中待编程存储单元的电压；判断所述待编程存储单元中的电压为高电压还是低电压；当判定所述待编程存储单元中的电压为低电压时，将所述电压直接切换为第一高电压；当判定所述待编程存储单元中的电压为高电压时，将所述电压直接切换为第二高电压。本发明通过判断待编程存储单元的电压，当电压为低电压时，直接将低电压切换为第一高电压，或者当电压为高电压时，直接将高电压转换为第二高电压，实现对待编程存储单元的编程。本发明具有提高快闪存储器擦写效率的有益效果。
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公开(公告)号：CN109841255A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201711229328.0
申请日：2017-11-29
申请人： 北京兆易创新科技股份有限公司 , 合肥格易集成电路有限公司
IPC分类号： G11C16/26
摘要： 本发明公开了一种闪存参考电流的温度系数的选择方法及装置，包括：获取读取操作时的读取温度，以及在所述读取温度下，存储单元的读取电流的温度系数；根据所述存储单元在所述读取温度下的读取电流的温度系数，选择参考电流的温度系数，所述参考电流的温度系数与所述读取电流的温度系数相同，所述参考电流通过参考电路产生。本发明实施例提供的一种闪存参考电流的温度系数的选择方法及装置，根据存储单元的读取电流的温度系数，选择参考电流的温度系数，以使参考电流的温度系数和存储单元的读取电流的温度系数相同，来得到准确的存储单元的状态。
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公开(公告)号：CN109698002A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201710993393.4
申请日：2017-10-23
申请人： 北京兆易创新科技股份有限公司 , 合肥格易集成电路有限公司
摘要： 本发明公开了一种存储阵列数据的锁存方法及装置，包括：灵敏放大器将第一数据信号进行放大处理，生成第二数据信号；寄存器根据选定地址信号和运算使能信号，生成运算数据信号，并将第二数据信号中与选定地址信号对应的数据信号更新为运算数据信号，生成第三数据信号；寄存器锁存至少部分第三数据信号，生成第四数据信号；寄存器从第四数据信号和第三数据信号中选取与第二地址信号对应的数据信号，生成第五数据信号并将输出；第一地址信号比第二地址信号的相同地址超前至少一个时钟周期。本发明实施例的技术方案，通过配置两个地址信号，解决了现有技术中由于运算完成到输出数据之间的时间比较短，使得运算后的数据不能正确的被存储下来的问题。
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公开(公告)号：CN105427889B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201410490374.6
申请日：2014-09-23
申请人： 北京兆易创新科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种存储器，该存储器包括：存储阵列和全局位线；所述存储阵列，包括以阵列排布的若干个存储单元，所述存储单元由隔离区按列隔开；至少一条所述全局位线，所述全局位线为相连的n条窄全局位线，所述窄全局位线的宽度小于宽度阈值，所述窄全局位线位于所述存储阵列的隔离区所在区域的上方，其中，n为整数且大于或等于2。本发明提供的一种存储器，通过将全局位线拆分为n条窄全局位线，使得存储器的任意一列存储单元均不会被窄全局位线完全覆盖，进而在紫外光照射后，存储器的存储单元的初始化一致性良好。
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公开(公告)号：CN106935262A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201511006137.9
申请日：2015-12-29
申请人： 北京兆易创新科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种存储单元的编程方法，该方法包括：接收编程指令；根据编程指令启动电荷泵，当电荷泵的输出电压自初始电压开始升高时开启电荷泵与存储单元的栅极以及漏极之间的通路；检验存储单元的当前状态是否为已经编程成功，若是，则结束当前编程操作，否则再次启动电荷泵，并开启电荷泵到存储单元的栅极以及漏极之间的通路，直至编程成功。本发明实施例提供的一种存储单元的编程方法，通过在电荷泵的输出电压自初始电压开始升高时就开启电荷泵与存储单元的栅极以及漏极之间的通路，使得系统在电荷泵打出高压的整个过程中都可进行编程，提高了对所述存储单元的编程速度，并且降低了编程功耗。
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