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公开(公告)号：CN111863090B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201910356969.5
申请日：2019-04-29
申请人： 北京兆易创新科技股份有限公司 , 合肥格易集成电路有限公司
摘要： 本发明提供了一种控制擦除性能的方法和装置。所述方法应用于NOR flash存储器，所述NOR flash存储器包括：擦除验证开关、擦除操作状态机以及擦除存储单元，所述方法包括：所述擦除操作状态机接收擦除操作指令，根据擦除操作指令执行擦除验证和擦除加压操作，再根据擦除循环次数和擦除验证开关的情况，连续执行擦除加压操作预设次数，之后再执行擦除验证操作。本发明在执行擦除加压操作时，擦除操作状态机连续执行擦除加压操作预设次数，跳过对应的擦除验证操作，控制擦除验证操作和擦除加压操作的循环周期，提高NOR flash存储器的擦除性能。
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公开(公告)号：CN109697993B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201710994465.7
申请日：2017-10-23
申请人： 北京兆易创新科技股份有限公司 , 合肥格易集成电路有限公司
摘要： 本发明公开了一种数据纠错方法及装置，包括：编程模块将编程数据存储在选定地址中，作为待纠错数据；编码模块根据待纠错数据产生纠错代码；纠错使能模块根据选定地址对应的继承纠错数据、继承纠错代码和继承纠错使能位，生成选定地址的当前纠错使能位；解码模块从选定地址中读取待纠错数据，从纠错存储阵列中获取纠错代码，并根据待纠错数据和纠错代码产生纠错密码；纠错模块根据所述当前纠错使能位，判断关闭纠错运算或者进行所述纠错运算并输出修正数据。本发明实施例的技术方案，通过设置了纠错使能位，进行错误检查和纠正时，避免了对闪存中的存储单元误纠错问题。
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公开(公告)号：CN109698002B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201710993393.4
申请日：2017-10-23
申请人： 北京兆易创新科技股份有限公司 , 合肥格易集成电路有限公司
摘要： 本发明公开了一种存储阵列数据的锁存方法及装置，包括：灵敏放大器将第一数据信号进行放大处理，生成第二数据信号；寄存器根据选定地址信号和运算使能信号，生成运算数据信号，并将第二数据信号中与选定地址信号对应的数据信号更新为运算数据信号，生成第三数据信号；寄存器锁存至少部分第三数据信号，生成第四数据信号；寄存器从第四数据信号和第三数据信号中选取与第二地址信号对应的数据信号，生成第五数据信号并将输出；第一地址信号比第二地址信号的相同地址超前至少一个时钟周期。本发明实施例的技术方案，通过配置两个地址信号，解决了现有技术中由于运算完成到输出数据之间的时间比较短，使得运算后的数据不能正确的被存储下来的问题。
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公开(公告)号：CN111863100A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910356938.X
申请日：2019-04-29
申请人： 北京兆易创新科技股份有限公司 , 合肥格易集成电路有限公司
摘要： 本发明提供一种非易失性存储器的编程方法和装置，包括：接收编程指令，根据编程指令中的地址信息获取存储区域内存储的存储单元的第一编程验证电压档位；使用与第一编程验证电压档位对应的第一编程验证电压对存储单元进行编程验证；如果验证未通过，则对存储单元进行编程操作，并将验证次数加1，得到新的验证次数；根据新的验证次数确定第二编程验证电压档位，第二编程验证电压档位是存储单元下次编程操作时使用的编程验证电压档位。通过根据验证次数调整编程验证电压，可以使存储单元的阈值电压在编程过程中轻易的达到编程验证电压之上，缩短存储单元的编程时间，提高非易失性存储器的编程效率。
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公开(公告)号：CN111863084A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910356939.4
申请日：2019-04-29
申请人： 北京兆易创新科技股份有限公司 , 合肥格易集成电路有限公司
摘要： 本发明提供了一种控制NOR flash存储器性能的方法和装置。所述方法包括：判断所述源漏互换开关的状态，接收编程操作指令，若源漏互换开关的状态为打开，调整编程验证电压为第一目标电压，根据调整后的第一目标电压，执行编程操作指令。本发明提供的控制NOR flash存储器性能的方法以及装置，调整编程验证电压为第一目标电压，调整擦除验证电压为第二目标电压，调整读验证电压为第三目标电压，再根据调整后的目标电压，执行编程操作指令、擦除操作指令和读操作指令，从而保证读操作的电压范围依然保持不变，使得编程操作、擦除操作相较于现有技术变得简单，提高了NOR flash存储器的性能。
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公开(公告)号：CN111863082A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910356984.X
申请日：2019-04-29
申请人： 北京兆易创新科技股份有限公司 , 合肥格易集成电路有限公司
摘要： 本发明提供了一种控制编程性能的方法和装置。所述方法应用于NOR flash存储器，所述NOR flash存储器包括：温度传感器、时钟频率发生器、编程操作状态机以及编程存储单元，编程操作状态机包括：计数器，所述方法包括：编程操作状态机接收编程操作指令和待编程数据，根据编程操作指令和待编程数据执行编程验证和编程加压操作，编程加压操作包括：接收温度传感器发送的NOR flash存储器的工作温度，根据工作温度调整所述时间，根据调整后的时间完成编程加压操作。本发明在执行编程加压操作时，编程操作状态机根据NOR flash存储器的工作温度，调整单次编程加压操作的时间，完成编程加压操作，控制编程验证操作和编程加压操作的循环周期，提高NOR flash存储器的编程性能。
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公开(公告)号：CN111863081A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910356956.8
申请日：2019-04-29
申请人： 北京兆易创新科技股份有限公司 , 合肥格易集成电路有限公司
摘要： 本发明提供了一种控制NOR flash存储器编程验证的方法和装置。NOR flash存储器包括：数据锁存器、地址锁存器、编程验证单元以及存储单元，所述方法包括：NOR flash存储器接收编程操作指令和待编程数据，将待编程数据输入到数据锁存器，控制编程验证单元对数据锁存器中多个地址中每个地址对应的待编程数据分别执行第一次编程验证操作，并将验证未通过的待编程数据对应的地址锁存到地址锁存器中，读取锁存的验证未通过的待编程数据对应的地址，NOR flash存储器控制编程验证单元对验证未通过的待编程数据执行第二次编程验证操作。本发明只对没有通过编程验证操作的待编程数据执行编程验证操作，由此缩短了NOR flash存储器编程操作的时间，提高NOR flash存储器的编程性能。
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公开(公告)号：CN109697993A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201710994465.7
申请日：2017-10-23
申请人： 北京兆易创新科技股份有限公司 , 合肥格易集成电路有限公司
CPC分类号： G11B20/1833 , G06F11/1016
摘要： 本发明公开了一种数据纠错方法及装置，包括：编程模块将编程数据存储在选定地址中，作为待纠错数据；编码模块根据待纠错数据产生纠错代码；纠错使能模块根据选定地址对应的继承纠错数据、继承纠错代码和继承纠错使能位，生成选定地址的当前纠错使能位；解码模块从选定地址中读取待纠错数据，从纠错存储阵列中获取纠错代码，并根据待纠错数据和纠错代码产生纠错密码；纠错模块根据所述当前纠错使能位，判断关闭纠错运算或者进行所述纠错运算并输出修正数据。本发明实施例的技术方案，通过设置了纠错使能位，进行错误检查和纠正时，避免了对闪存中的存储单元误纠错问题。
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公开(公告)号：CN111863087B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201910356983.5
申请日：2019-04-29
申请人： 北京兆易创新科技股份有限公司 , 合肥格易集成电路有限公司
摘要： 本发明提供了一种控制编程性能的方法和装置。所述方法应用于NOR flash存储器，所述NOR flash存储器包括：编程验证开关、编程操作状态机以及编程存储单元，所述方法包括：所述编程操作状态机接收编程操作指令和待编程数据，根据编程操作指令和待编程数据执行编程验证和编程加压操作，再根据编程循环次数和编程验证开关的情况，连续执行编程加压操作预设次数，之后再执行编程验证操作。本发明在执行编程加压操作时，编程操作状态机连续执行编程加压操作预设次数，跳过对应的编程验证操作，控制编程验证操作和编程加压操作的循环周期，提高NOR flash存储器的编程性能。
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公开(公告)号：CN111863108A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910357590.6
申请日：2019-04-29
申请人： 北京兆易创新科技股份有限公司 , 合肥格易集成电路有限公司
摘要： 本发明提供了一种NOR flash存储器中存储单元修复的方法和装置，所述方法包括：访问存储单元，对比访问存储单元的字线地址与故障存储单元的字线地址，以及，获取故障存储单元字线的修复使能位，若访问存储单元的字线地址与故障存储单元的字线地址匹配，并且故障存储单元字线的修复使能位为1，通过字线选择器，从冗余字线替换存储单元中选择对应于故障存储单元的字线地址的冗余字线存储单元替换故障存储单元。本发明NOR flash存储器，实现了对存储单元字线方向上的替换修复，提升了对存储单元修复的效果，从而提高了NOR flash存储器出厂时的良率。
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