本发明提供一种非易失性存储器的编程方法和装置，包括：接收编程指令，根据编程指令中的地址信息获取存储区域内存储的存储单元的第一编程验证电压档位；使用与第一编程验证电压档位对应的第一编程验证电压对存储单元进行编程验证；如果验证未通过，则对存储单元进行编程操作，并将验证次数加1，得到新的验证次数；根据新的验证次数确定第二编程验证电压档位，第二编程验证电压档位是存储单元下次编程操作时使用的编程验证电压档位。通过根据验证次数调整编程验证电压，可以使存储单元的阈值电压在编程过程中轻易的达到编程验证电压之上，缩短存储单元的编程时间，提高非易失性存储器的编程效率。