公开(公告)号：CN103247679B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201210495135.0

申请日：2012-11-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·D·迪米特罗普洛斯 ,  D·B·法默 ,  A·格里尔 ,  林佑民 ,  D·A·诺伊迈尔 ,  D·法伊弗 ,  朱文娟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/0237 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

Abstract: 本发明涉及石墨烯器件用的具有低等效氧化物厚度的双层栅极电介质。在石墨烯层的最上表面上设置氮化硅层，然后在所述氮化硅层的最上表面上设置二氧化铪层。所述氮化硅层用作所述二氧化铪层的润湿剂，由此阻止在所述石墨烯层的顶上形成不连续的二氧化铪柱。一起形成低EOT双层栅极电介质的氮化硅层和二氧化铪层在石墨烯层的顶上呈现连续的形态。

公开(公告)号：CN103855218A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310627769.1

申请日：2013-11-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·B·法默 ,  A·D·富兰克林 ,  J·T·史密斯

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02527 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66015 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78684 ,  Y10S977/734

Abstract: 本发明涉及自对准双栅石墨烯晶体管及其制造方法。公开了一种制造半导电器件的方法。在衬底上形成石墨烯片。在所述石墨烯片中形成至少一个狭槽，其中所述至少一个狭槽具有允许蚀刻剂穿过所述石墨烯片的宽度。穿过形成在所述石墨烯片中的所述至少一个狭槽向所述衬底施加蚀刻剂以蚀刻所述衬底。

公开(公告)号：CN103247679A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201210495135.0

申请日：2012-11-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·D·迪米特罗普洛斯 ,  D·B·法默 ,  A·格里尔 ,  林佑民 ,  D·A·诺伊迈尔 ,  D·法伊弗 ,  朱文娟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/0237 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

Abstract: 本发明涉及石墨烯器件用的具有低等效氧化物厚度的双层栅极电介质。在石墨烯层的最上表面上设置氮化硅层，然后在所述氮化硅层的最上表面上设置二氧化铪层。所述氮化硅层用作所述二氧化铪层的润湿剂，由此阻止在所述石墨烯层的顶上形成不连续的二氧化铪柱。一起形成低EOT双层栅极电介质的氮化硅层和二氧化铪层在石墨烯层的顶上呈现连续的形态。

公开(公告)号：CN102893387A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201180024337.0

申请日：2011-04-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·陈 ,  Y-M·林 ,  P·阿沃里斯 ,  D·B·法默

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/06 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L21/50 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78684 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供基于石墨烯沟道的器件及其制造技术。在一方面，一种半导体器件包括：第一晶片，其具有形成于第一衬底上的至少一个石墨烯沟道、包围所述石墨烯沟道的第一氧化物层、以及接到所述石墨烯沟道并延伸穿过所述第一氧化物层的源极接触和漏极接触；以及第二晶片，其具有形成于第二衬底中的CMOS器件层、包围所述CMOS器件层的第二氧化物层、以及接到所述CMOS器件层并延伸穿过所述第二氧化物层的多个接触，所述晶片通过所述氧化物层之间的氧化物与氧化物接合而被接合在一起。接到所述CMOS器件层的所述多个接触中的一个或多个接触与所述源极接触和漏极接触相接触。接到所述CMOS器件层的所述多个接触中的一个或多个另外的接触为用于所述石墨烯沟道的栅极接触。

公开(公告)号：CN111655366A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201980010809.3

申请日：2019-01-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·法尔克 ,  D·B·法默 ,  L·M·吉纳克

IPC: B01J20/20

Abstract: 薄膜带电为极性。使溶液中的碳纳米管(CNT)的表面获取所述极性的电荷。所述溶液通过所述薄膜过滤。所述极性的所述薄膜与所述极性的所述CNT之间的电磁排斥使所述CNT自发排列以形成晶体结构。

公开(公告)号：CN103855150A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310594462.6

申请日：2013-11-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·B·法默 ,  A·D·富兰克林 ,  汉述仁 ,  G·S·图勒夫斯基

IPC: H01L27/01 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L28/40 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00 ,  H01G4/008 ,  H01G4/33 ,  H01L28/90

Abstract: 本发明涉及片上解耦电容器、集成芯片及其制造方法。公开了一种片上解耦电容器。一个或多个碳纳米管被耦合到所述电容器的第一电极。在所述一个或多个碳纳米管上形成介电肤层。在所述介电肤层上形成有金属涂层。所述介电肤层被配置为将所述一个或多个碳纳米管与所述金属涂层电隔离。

公开(公告)号：CN108885172B

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201780017029.2

申请日：2017-02-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·法尔克 ,  D·B·法默 ,  汉述仁

IPC: G01N21/63

Abstract: 检测器及其形成方法包括将半导体碳纳米管平行排列在基板上以形成纳米管层(208)。将纳米管层中的排列的半导体碳纳米管切割成对应于检测频率的一致的长度(216)。在纳米管层的相对端形成金属触点(218)。

公开(公告)号：CN108885172A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780017029.2

申请日：2017-02-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·法尔克 ,  D·B·法默 ,  汉述仁

IPC: G01N21/63

CPC classification number: H01L51/0048 ,  C01B32/168 ,  C01B32/17 ,  C01B32/176 ,  C01B2202/08 ,  C01B2202/22 ,  H01L27/305 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0025 ,  H01L51/441 ,  H01L2251/301

Abstract: 检测器及其形成方法包括将半导体碳纳米管平行排列在基板上以形成纳米管层(208)。将纳米管层中的排列的半导体碳纳米管切割成对应于检测频率的一致的长度(216)。在纳米管层的相对端形成金属触点(218)。

公开(公告)号：CN103855218B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201310627769.1

申请日：2013-11-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·B·法默 ,  A·D·富兰克林 ,  J·T·史密斯

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02527 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66015 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78684 ,  Y10S977/734

Abstract: 本发明涉及自对准双栅石墨烯晶体管及其制造方法。公开了一种制造半导电器件的方法。在衬底上形成石墨烯片。在所述石墨烯片中形成至少一个狭槽，其中所述至少一个狭槽具有允许蚀刻剂穿过所述石墨烯片的宽度。穿过形成在所述石墨烯片中的所述至少一个狭槽向所述衬底施加蚀刻剂以蚀刻所述衬底。

公开(公告)号：CN102893387B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201180024337.0

申请日：2011-04-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·陈 ,  Y-M·林 ,  P·阿沃里斯 ,  D·B·法默

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/06 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L21/50 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78684 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供基于石墨烯沟道的器件及其制造技术。在一方面，一种半导体器件包括：第一晶片，其具有形成于第一衬底上的至少一个石墨烯沟道、包围所述石墨烯沟道的第一氧化物层、以及接到所述石墨烯沟道并延伸穿过所述第一氧化物层的源极接触和漏极接触；以及第二晶片，其具有形成于第二衬底中的CMOS器件层、包围所述CMOS器件层的第二氧化物层、以及接到所述CMOS器件层并延伸穿过所述第二氧化物层的多个接触，所述晶片通过所述氧化物层之间的氧化物与氧化物接合而被接合在一起。接到所述CMOS器件层的所述多个接触中的一个或多个接触与所述源极接触和漏极接触相接触。接到所述CMOS器件层的所述多个接触中的一个或多个另外的接触为用于所述石墨烯沟道的栅极接触。