公开(公告)号：CN103247679B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201210495135.0

申请日：2012-11-28

申请人： 国际商业机器公司

发明人： C·D·迪米特罗普洛斯 ,  D·B·法默 ,  A·格里尔 ,  林佑民 ,  D·A·诺伊迈尔 ,  D·法伊弗 ,  朱文娟

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L21/0237 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

摘要： 本发明涉及石墨烯器件用的具有低等效氧化物厚度的双层栅极电介质。在石墨烯层的最上表面上设置氮化硅层，然后在所述氮化硅层的最上表面上设置二氧化铪层。所述氮化硅层用作所述二氧化铪层的润湿剂，由此阻止在所述石墨烯层的顶上形成不连续的二氧化铪柱。一起形成低EOT双层栅极电介质的氮化硅层和二氧化铪层在石墨烯层的顶上呈现连续的形态。

公开(公告)号：CN103503147A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280018940.2

申请日：2012-03-05

申请人： 国际商业机器公司

发明人： G·科恩 ,  C·D·迪米特罗普洛斯 ,  A·格里尔

IPC分类号： H01L29/15

CPC分类号： H01L29/66795 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1025 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0558

摘要： 从碳化硅（SiC）鳍或纳米线的模板提供半导体结构，所述半导体结构包括沿晶向取向的平行石墨烯纳米带或碳纳米管。首先提供SiC鳍或纳米线，然后通过退火在所述鳍或所述纳米线的暴露表面上形成石墨烯纳米带或碳纳米管。在其中形成闭合的碳纳米管的实施例中，纳米线在退火之前被悬置。所提供的石墨烯纳米带和碳纳米管的位置、取向和手征性由形成该石墨烯纳米带和碳纳米管所使用的对应碳化硅鳍和纳米线确定。

公开(公告)号：CN1950932A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200580011628.0

申请日：2005-03-23

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·M·盖茨 ,  A·格里尔 ,  D·R·梅代罗斯 ,  D·诺伊迈尔 ,  S·V·源 ,  V·V·帕特尔 ,  王新辉

IPC分类号： H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  C23C16/40

CPC分类号： H01L21/3122 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695

摘要： 公开了以平行板化学气相沉积工艺，利用离子体增强化学气相沉积(“PECVD”)工艺制造包括Si、C、O和H原子的热稳定的超低介电常数膜的方法。进一步公开了包含由本方法制造的热稳定超低介电常数材料的绝缘层的电子器件。为了制造热稳定的超低介电常数膜，使用特殊的前体材料，如硅烷衍生物例如二乙氧基甲基硅烷(DEMS)和有机分子例如双环庚二烯和环戊烯氧化物。

公开(公告)号：CN1918713A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200580005006.7

申请日：2005-02-22

申请人： 国际商业机器公司

发明人： J·O·初 ,  G·K·德林格尔 ,  A·格里尔 ,  S·J·克斯特 ,  欧阳齐庆 ,  J·D·绍布

IPC分类号： H01L31/101

CPC分类号： H01L31/101

摘要： 本发明专注于与Si CMOS技术兼容的高速、高效率光电探测器的制造问题。该结构包括薄SOI衬底上的Ge吸收层，并利用了隔离区域，交替n型和p型接触，以及低电阻表面电极。该器件通过利用掩埋绝缘层以隔离在下面的衬底中产生的载流子获得高带宽，通过利用Ge吸收层在宽谱上获得高量子效率，通过利用薄吸收层和窄电极间距获得低电压操作，并且通过其平面结构和IV族吸收材料的使用与CMOS器件兼容。用于制造光电探测器的方法使用在薄SOI或外延氧化物上直接生长Ge，并且随后热退火以获得高质量吸收层。此方法限制了相互扩散的Si的量，从而允许退火Ge层而不会由下面的Si引起Ge层的显著稀释。

公开(公告)号：CN1073252C

公开(公告)日：2001-10-17

申请号：CN95109588.9

申请日：1995-10-17

申请人： 国际商业机器公司

发明人： A·格里尔 ,  V·V·帕特尔

IPC分类号： G11B5/31 ,  G11B5/72

CPC分类号： G11B5/3106 ,  G11B5/255 ,  G11B5/72 ,  G11B5/8408 ,  Y10S427/106 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/265

摘要： 本发明提供了一种记录媒体器件及其制造方法。磁记录媒体器件表面的一种经改进的耐磨保护性被覆层，由两层DLC/FDLC被覆层用等离子体增强化学汽相淀积法或其它适当的方法淀积成，具有减小摩阻和静摩阻的优异性能。

公开(公告)号：CN1155140A

公开(公告)日：1997-07-23

申请号：CN95109588.9

申请日：1995-10-17

申请人： 国际商业机器公司

发明人： A·格里尔 ,  V·V·帕特尔

IPC分类号： G11B5/31

CPC分类号： G11B5/3106 ,  G11B5/255 ,  G11B5/72 ,  G11B5/8408 ,  Y10S427/106 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/265

摘要： 磁记录媒体器件表面的一种经改进的耐磨保护性被覆层，由经氟化的类金刚石碳用等离子体增强化学汽相淀积法或其它适当的方法淀积成，具有减小摩阻和静摩阻的优异性能。

公开(公告)号：CN103199056A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310007865.6

申请日：2013-01-09

申请人： 国际商业机器公司 ,  环球铸造有限公司

发明人： S·M·盖茨 ,  A·格里尔 ,  E·T·赖恩

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L23/5329 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/7682 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及具有高机械强度的介电材料。描述了一种多相超低k电介质方法，其包含第一前体和第二前体、在PECVD腔中的高频射频功率以及包括紫外辐射的能量后处理，所述第一前体包含含有基团Si-(CH2)n-Si的碳硅烷和烷氧基碳硅烷分子中的至少一种，其中n是整数1、2或3，所述第二前体含有基团Si-R*，其中R*是嵌入的有机致孔剂。一种具有范围分别为2.2到2.3、2.3到2.4、2.4到2.5和2.5到2.55的k以及大于5、6、7.8和9GPa的弹性模量中的至少一个的超低k多孔SiCOH介电材料，以及一种包括具有如上描述的多孔SiCOH介电材料的互连布线的半导体集成电路。

公开(公告)号：CN1787881B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN200480012920.X

申请日：2004-03-17

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·M·盖茨 ,  A·格里尔

IPC分类号： B05D3/06 ,  B05D3/02 ,  H05H1/46 ,  B23B5/14 ,  B23B5/18 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/31695 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31633 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249978 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种显示出提高的弹性模量和硬度的多相超低介电常数的薄膜，以及制造该薄膜的多种方法。这种超低介电常数的介电薄膜含有分别用(104)，(103)，(102)和(101)表示的硅原子，碳原子，氧原子和氢原子，所述薄膜具有约为2.4或以下的介电常数值，纳米级的小孔或者空穴，具有约为5或更大的弹性模量值，具有约为0.7或更大的硬度值。优选的薄膜含有硅原子，碳原子，氧原子和氢原子，且具有约为2.2或以下的介电常数值，具有纳米级的小孔或者空穴，具有约为3或更大的弹性模量值，和具有约为0.3或更大的硬度值。这些薄膜由作为“主”基体的第一相(100)和基本上由碳原子和氢原子构成的第二相(105)组成，其中“主”基体是由氢化的氧化硅碳(SiCOH)形成的无规网络。

公开(公告)号：CN101414587B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200810213766.2

申请日：2008-09-04

申请人： 国际商业机器公司

发明人： C·D·迪米特拉科波洛斯 ,  C·J·乔吉奥 ,  A·格里尔 ,  B·E·罗戈维茨

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/373 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种包括管芯的半导体器件和用于在其表面上提供冷却装置的方法，该管芯具有至少一个限定的热点区域；以及温度比热点区域的温度低的至少一个限定的中温区域。该器件还包括冷却结构，其包括用于冷却热点区域的至少一束第一纳米管以及用于冷却中温区域的并且热导率低于第一纳米管束的至少一束附加纳米管。两组纳米管的热导率足以减少在限定的热点区域、限定的中温区域和管芯上的至少一个较低温度区域之间的任何温度梯度。第一纳米管和附加纳米管的壁由与较低温度区域操作性地相关联的导热的基体材料包围。

公开(公告)号：CN100552084C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200510112743.9

申请日：2005-10-12

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·源 ,  A·格里尔 ,  S·M·盖茨 ,  D·A·诺伊迈尔

IPC分类号： C23C16/513 ,  C23C16/22 ,  C23C16/56

CPC分类号： C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249921

摘要： 本发明涉及一种由具有固有有机成孔剂的单一有机硅前体制备包含Si、C、O和H原子的SiCOH介电材料的方法。所述具有固有有机成孔剂的单一有机硅前体选自分子式为SiRR1R2R3的硅烷(SiH4)衍生物、分子式为R4R5R6Si-O-Si-R7R8R9的二硅氧烷衍生物、分子式为R10R11R12-Si-O-Si--R13R14-O-Si-R15R16R17的三硅氧烷衍生物，其中R和R1-17可以相同或不同，并选自H、烷基、烷氧基、环氧基、苯基、乙烯基、烯丙基、烯基或炔基，它们可以是直链、支链、环状、多环状的，并且可以被含氧、氮或氟的取代基官能化。除了上述方法，本申请还提供了由本发明方法制备的SiCOH电介质以及包含该电介质的电子结构。