公开(公告)号：CN101414587A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810213766.2

申请日：2008-09-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·D·迪米特拉科波洛斯 ,  C·J·乔吉奥 ,  A·格里尔 ,  B·E·罗戈维茨

IPC: H01L23/36 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/373 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种包括管芯的半导体器件和用于在其表面上提供冷却装置的方法，该管芯具有至少一个限定的热点区域；以及温度比热点区域的温度低的至少一个限定的中温区域。该器件还包括冷却结构，其包括用于冷却热点区域的至少一束第一纳米管以及用于冷却中温区域的并且热导率低于第一纳米管束的至少一束附加纳米管。两组纳米管的热导率足以减少在限定的热点区域、限定的中温区域和管芯上的至少一个较低温度区域之间的任何温度梯度。第一纳米管和附加纳米管的壁由与较低温度区域操作性地相关联的导热的基体材料包围。

公开(公告)号：CN101414587B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200810213766.2

申请日：2008-09-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·D·迪米特拉科波洛斯 ,  C·J·乔吉奥 ,  A·格里尔 ,  B·E·罗戈维茨

IPC: H01L23/36 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/373 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种包括管芯的半导体器件和用于在其表面上提供冷却装置的方法，该管芯具有至少一个限定的热点区域；以及温度比热点区域的温度低的至少一个限定的中温区域。该器件还包括冷却结构，其包括用于冷却热点区域的至少一束第一纳米管以及用于冷却中温区域的并且热导率低于第一纳米管束的至少一束附加纳米管。两组纳米管的热导率足以减少在限定的热点区域、限定的中温区域和管芯上的至少一个较低温度区域之间的任何温度梯度。第一纳米管和附加纳米管的壁由与较低温度区域操作性地相关联的导热的基体材料包围。