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公开(公告)号：CN1918713A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200580005006.7
申请日：2005-02-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/101
CPC classification number: H01L31/101
Abstract: 本发明专注于与Si CMOS技术兼容的高速、高效率光电探测器的制造问题。该结构包括薄SOI衬底上的Ge吸收层，并利用了隔离区域，交替n型和p型接触，以及低电阻表面电极。该器件通过利用掩埋绝缘层以隔离在下面的衬底中产生的载流子获得高带宽，通过利用Ge吸收层在宽谱上获得高量子效率，通过利用薄吸收层和窄电极间距获得低电压操作，并且通过其平面结构和IV族吸收材料的使用与CMOS器件兼容。用于制造光电探测器的方法使用在薄SOI或外延氧化物上直接生长Ge，并且随后热退火以获得高质量吸收层。此方法限制了相互扩散的Si的量，从而允许退火Ge层而不会由下面的Si引起Ge层的显著稀释。
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公开(公告)号：CN1918713B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200580005006.7
申请日：2005-02-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/101
CPC classification number: H01L31/101
Abstract: 本发明专注于与Si？CMOS技术兼容的高速、高效率光电探测器的制造问题。该结构包括薄SOI衬底上的Ge吸收层，并利用了隔离区域，交替n型和p型接触，以及低电阻表面电极。该器件通过利用掩埋绝缘层以隔离在下面的衬底中产生的载流子获得高带宽，通过利用Ge吸收层在宽谱上获得高量子效率，通过利用薄吸收层和窄电极间距获得低电压操作，并且通过其平面结构和IV族吸收材料的使用与CMOS器件兼容。用于制造光电探测器的方法使用在薄SOI或外延氧化物上直接生长Ge，并且随后热退火以获得高质量吸收层。此方法限制了相互扩散的Si的量，从而允许退火Ge层而不会由下面的Si引起Ge层的显著稀释。
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公开(公告)号：CN101207591B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200710169413.2
申请日：2007-11-13
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G01R31/31727 , G01R31/3016 , G01R31/31725
Abstract: 在集成电路中接收的数据信号被耦合到接收器以及片上数据采集系统，该系统响应于测量请求，取数据信号的测量采样。使测量请求与产生捕捉信号和计数器复位信号的异步采样时钟信号同步。计数器对测量请求之间的采样时钟周期数进行测量。在收到测量请求时，捕捉信号触发作为捕捉数据的、计数器中的预设周期数以及测量采样在寄存器中的存储。计数器被同步复位，捕捉数据被发送到离片存储器。离片存储器存储任意数量的捕捉数据，且对于片上数据采集来说片上面积大大减小。离片分析被用于对于捕捉数据构建有效时基，以便进行信号分析。
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公开(公告)号：CN101207591A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710169413.2
申请日：2007-11-13
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G01R31/31727 , G01R31/3016 , G01R31/31725
Abstract: 在集成电路中接收的数据信号被耦合到接收器以及片上数据采集系统，该系统响应于测量请求，取数据信号的测量采样。使测量请求与产生捕捉信号和计数器复位信号的异步采样时钟信号同步。计数器对测量请求之间的采样时钟周期数进行测量。在收到测量请求时，捕捉信号触发作为捕捉数据的、计数器中的预设周期数以及测量采样在寄存器中的存储。计数器被同步复位，捕捉数据被发送到离片存储器。离片存储器存储任意数量的捕捉数据，且对于片上数据采集来说片上面积大大减小。离片分析被用于对于捕捉数据构建有效时基，以便进行信号分析。
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