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公开(公告)号：CN103247679B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201210495135.0
申请日：2012-11-28
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/51 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L21/285
CPC分类号： H01L21/0237 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02378 , H01L21/02527 , H01L21/02617 , H01L21/02661 , H01L29/1606 , H01L29/4908 , H01L29/513 , H01L29/66045 , H01L29/7781 , H01L29/78684
摘要： 本发明涉及石墨烯器件用的具有低等效氧化物厚度的双层栅极电介质。在石墨烯层的最上表面上设置氮化硅层，然后在所述氮化硅层的最上表面上设置二氧化铪层。所述氮化硅层用作所述二氧化铪层的润湿剂，由此阻止在所述石墨烯层的顶上形成不连续的二氧化铪柱。一起形成低EOT双层栅极电介质的氮化硅层和二氧化铪层在石墨烯层的顶上呈现连续的形态。
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公开(公告)号：CN104854789A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201380038053.6
申请日：2013-07-18
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H03B5/30
CPC分类号： H03B5/1228 , H01L29/1606 , H01L29/78684 , H03B5/1203 , H03B7/06 , H03B2200/0084
摘要： 一种方法包括提供具有场效应晶体管的振荡器，所述场效应晶体管与谐振电路相连接。所述场效应晶体管具有耦合到栅极电压源的栅电极、源电极、漏电极、和位于所述源电极和所述栅电极之间并电连接至所述源电极和所述漏电极的石墨烯通道。所述方法进一步包括：通过所述栅电极偏置所述石墨烯通道到负微分电阻运行区，以引起振荡器产生具有谐振频率f0的频率信号。还可以包括附加的步骤以改变所述栅极电压的方法，从而偏置所述石墨烯通道到所述负微分电阻运行区，及所述负微分电阻运行区之外，以便分别调整所述频率信号的开和关。
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公开(公告)号：CN103299445A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201280005273.4
申请日：2012-01-10
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L29/16 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02488 , H01L21/02527 , H01L21/02656 , H01L29/1606 , H01L29/66742 , H01L29/78603 , H01L29/78684
摘要： 提供一种基于石墨烯和/或碳纳米管的抗辐射晶体管器件及其制造技术。在一个方面中，提供一种制造抗辐射晶体管的方法。该方法包括以下步骤。提供抗辐射衬底。在衬底上形成基于碳的材料，其中基于碳的材料的一部分用作晶体管的沟道区域且基于碳的材料的其他部分用作晶体管的源极和漏极区域。形成到基于碳的材料的用作晶体管的源极和漏极区域的部分的接触。在基于碳的材料的用作晶体管的沟道区域的部分之上沉积栅极电介质。在栅极电介质上形成顶栅极接触。
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公开(公告)号：CN103247679A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210495135.0
申请日：2012-11-28
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/51 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L21/285
CPC分类号： H01L21/0237 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02378 , H01L21/02527 , H01L21/02617 , H01L21/02661 , H01L29/1606 , H01L29/4908 , H01L29/513 , H01L29/66045 , H01L29/7781 , H01L29/78684
摘要： 本发明涉及石墨烯器件用的具有低等效氧化物厚度的双层栅极电介质。在石墨烯层的最上表面上设置氮化硅层，然后在所述氮化硅层的最上表面上设置二氧化铪层。所述氮化硅层用作所述二氧化铪层的润湿剂，由此阻止在所述石墨烯层的顶上形成不连续的二氧化铪柱。一起形成低EOT双层栅极电介质的氮化硅层和二氧化铪层在石墨烯层的顶上呈现连续的形态。
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公开(公告)号：CN102612751A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201080051125.7
申请日：2010-08-31
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78684
摘要： 一种石墨烯场效晶体管，包括：栅极叠层，该栅极叠层包括籽层、形成于籽层上方的栅极氧化物以及形成于栅极氧化物上方的栅极金属；绝缘层；以及位于籽层与绝缘层之间的石墨烯薄片。
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公开(公告)号：CN104854789B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201380038053.6
申请日：2013-07-18
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H03B5/30
CPC分类号： H03B5/1228 , H01L29/1606 , H01L29/78684 , H03B5/1203 , H03B7/06 , H03B2200/0084
摘要： 一种方法包括提供具有场效应晶体管的振荡器，所述场效应晶体管与谐振电路相连接。所述场效应晶体管具有耦合到栅极电压源的栅电极、源电极、漏电极、和位于所述源电极和所述栅电极之间并电连接至所述源电极和所述漏电极的石墨烯通道。所述方法进一步包括：通过所述栅电极偏置所述石墨烯通道到负微分电阻运行区，以引起振荡器产生具有谐振频率f0的频率信号。还可以包括附加的步骤以改变所述栅极电压的方法，从而偏置所述石墨烯通道到所述负微分电阻运行区，及所述负微分电阻运行区之外，以便分别调整所述频率信号的开和关。
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公开(公告)号：CN102612751B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201080051125.7
申请日：2010-08-31
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78684
摘要： 一种石墨烯场效晶体管，包括：栅极叠层，该栅极叠层包括籽层、形成于籽层上方的栅极氧化物以及形成于栅极氧化物上方的栅极金属；绝缘层；以及位于籽层与绝缘层之间的石墨烯薄片。
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公开(公告)号：CN102473844B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201080035978.1
申请日：2010-08-17
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L51/428 , H01L29/1606 , H01L31/02327 , H01L31/035209 , H01L31/101 , Y02E10/549
摘要： 公开了一种使用栅极氧化物层(12)上的单层或多层石墨烯作为光子探测层(14)的光探测器。公开了具有源极(8)、漏极(6)和栅极(10)电极的不同配置的多个实施方式。另外，公开了包含多个光探测元件的光探测器阵列，用于诸如成像和监控等应用。在石墨烯层(14)之下的光波导可嵌入衬底(10)或栅极氧化物层(12)内，以将光子引导至石墨烯层(14)。
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公开(公告)号：CN102473844A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080035978.1
申请日：2010-08-17
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L51/428 , H01L29/1606 , H01L31/02327 , H01L31/035209 , H01L31/101 , Y02E10/549
摘要： 公开了一种使用栅极氧化物层(12)上的单层或多层石墨烯作为光子探测层(14)的光探测器。公开了具有源极(8)、漏极(6)和栅极(10)电极的不同配置的多个实施方式。另外，公开了包含多个光探测元件的光探测器阵列，用于诸如成像和监控等应用。在石墨烯层(14)之下的光波导可嵌入衬底(10)或栅极氧化物层(12)内，以将光子引导至石墨烯层(14)。
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