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    用于形成焊料凸块的系统和方法
    1.
    发明公开
    用于形成焊料凸块的系统和方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN114127900A

    公开(公告)日：2022-03-01

    申请号：CN202080051084.5

    申请日：2020-06-17

    Applicant: 国际商业机器公司

    Inventor： E.P.莱万多夫斯基 ,  J-W.纳赫 ,  姚正邦 ,  P.J.索斯

    IPC: H01L21/48 ,  H01L39/24 ,  H01L39/02 ,  H01L39/06 ,  H01L39/22

    Abstract: 一种用于形成焊料凸块(122)的方法包括：制备转移模具(100)，该转移模具具有焊料柱(112)，该焊料柱(112)从模具衬底(102)延伸并且穿过第一光致抗蚀剂层(104)并且具有部分地由第二光致抗蚀剂层(108)限定的形状，该第二光致抗蚀剂层(108)在转移焊料之前被去除；提供具有可润湿焊盘(120)的器件衬底(114)：将转移模具(100)和器件衬底(114)置于对准接触中，使得焊料柱(112)与可润湿焊盘(120)接触；在所述焊料柱(112)与所述可润湿焊盘(120)之间形成金属接合，例如，采用冷焊或回流工艺去除所述模具衬底(102)和所述第一光致抗蚀剂层(104)。模具衬底(102)和转移模具(100)可以是柔性的。转移模具可以包括以下至少一个：在模具衬底(402)之上的润湿层，在这种情况下，包括铝的柱(112)可以被沉积和回流：在模具衬底(402)之上的籽晶层以及在第二光致抗蚀剂层(408)之上的非润湿层。器件衬底(114、502)可以包括通孔(118、504)并且可以是由硅、玻璃和/或有机衬底材料制成的内插器。该方法可以进一步包括将该内插器(I14，502)附接到量子位半导体器件(超导芯片)(300，516)上，其中该量子位半导体器件(300，516)包括约瑟夫逊结(304，518)，并且其中将该内插器(114，502)附接到该量子位半导体器件(300，516)上包括将穿过该内插器(11，502)的孔(118，504)与该约瑟夫逊结(304，518)对准以便提供用于访问该约瑟夫逊结(304，518)的路径，特别是对其设计频率做出调整。该焊料柱(122)可以是围绕该量子位半导体器件(300)与该内插器(114)之间的该孔(118)形成的多个焊料柱中的一个，用于提供该约瑟夫逊结(304)的热隔离量，从而在该量子位周围并且在该内插器(114)与该超导芯片(300)之间形成一个圆形壁(200A，200B)，其中该圆形壁(200A，200B)可以包括穿过其中的至少一个空隙(202)。焊料柱(512)可以是转移模具的多个焊料柱(512)中的一个，包括具有第一直径的第一焊料柱(512)和具有第二直径的第二焊料柱(512)，第一直径大于第二直径。器件衬底(602)可以包括半导体衬底，该半导体衬底包括深凹部(604)，其中，电路组件(608)可以包括在深凹部(604)中。转移模具(100)的制备可包括：对第一和第二光致抗蚀剂层(104、108)进行图案化以限定延伸穿过第一和第二光致抗蚀剂层(104、108)的凹部(110)，以及使用注塑焊接(IMS)来用焊料填充凹部(110)以形成焊料柱(112)。可替代地，转移模具的制备可包括：图案化第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层(404、408)以限定延伸穿过第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层(404、408)的凹部(410)：形成籽晶层，其中，籽晶层的至少一部分设置在凹部(410)中；以及使用电镀来用焊料填充所述凹部(410)并形成所述焊料柱。柱(112)可以是由镀铜或铜柱凸块形成的3D金属柱。

    双表面电荷感应生物传感器
    4.
    发明授权
    双表面电荷感应生物传感器 有权

    公开(公告)号：CN113785193B

    公开(公告)日：2022-12-27

    申请号：CN202080033668.X

    申请日：2020-04-06

    Applicant: 国际商业机器公司

    Inventor： A.雷兹尼塞克 ,  姚正邦 ,  B.赫克马肖塔巴里

    IPC: G01N27/414 ,  H01L29/73

    Abstract: 生物传感器包括体硅衬底和形成在衬底的至少一部分上的垂直双极结晶体管(BJT)。BJT包括发射区、集电区和在发射区和集电区之间外延生长的本征基极区。生物传感器还包括在BJT的本征基极区的两个垂直表面的至少一部分上形成的感测结构。感测结构包括通道/沟道开口，在其至少第一和第二相对侧上暴露本征基极区，以及形成在沟道/沟道开口中并接触本征基极区的至少一部分的至少一介电层，介电层被配置为响应生物分子中的电荷。

    双表面电荷感应生物传感器
    5.
    发明公开
    双表面电荷感应生物传感器 有权

    公开(公告)号：CN113785193A

    公开(公告)日：2021-12-10

    申请号：CN202080033668.X

    申请日：2020-04-06

    Applicant: 国际商业机器公司

    Inventor： A.雷兹尼塞克 ,  姚正邦 ,  B.赫克马肖塔巴里

    IPC: G01N27/414 ,  H01L29/73

    Abstract: 生物传感器包括体硅衬底和形成在衬底的至少一部分上的垂直双极结晶体管(BJT)。BJT包括发射区、集电区和在发射区和集电区之间外延生长的本征基极区。生物传感器还包括在BJT的本征基极区的两个垂直表面的至少一部分上形成的感测结构。感测结构包括通道/沟道开口，在其至少第一和第二相对侧上暴露本征基极区，以及形成在沟道/沟道开口中并接触本征基极区的至少一部分的至少一介电层，介电层被配置为响应生物分子中的电荷。

    半导体结构及其形成方法
    6.
    发明授权
    半导体结构及其形成方法 失效

    公开(公告)号：CN104733517B

    公开(公告)日：2018-02-02

    申请号：CN201410686031.7

    申请日：2014-11-25

    Applicant: 国际商业机器公司

    Inventor： 蔡劲 ,  陈国仕 ,  宁德雄 ,  姚正邦

    IPC: H01L29/735 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L29/1008 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66265 ,  H01L29/7317

    Abstract: 本申请涉及半导体结构及其形成方法。提供包括本征基极半导体材料部的横向SOI双极型晶体管结构，其中本征基极的所有表面不形成与集电极半导体材料部或发射极半导体材料部的界面，所述横向SOI双极型晶体管结构包含非本征基极半导体材料部。每个非本征基极半导体材料部与本征基极半导体材料部具有相同的导电类型，但是每个非本征基极半导体材料部具有高于本征基极半导体材料部的掺杂剂浓度。本申请的横向SOI双极型晶体管的本征基极半导体材料部不具有任何与周围绝缘体材料层的界面。因此，周围绝缘体材料层中的任何潜在的电荷累积都会被非本征基极半导体材料部屏蔽。

    半导体结构及其形成方法
    7.
    发明公开
    半导体结构及其形成方法 失效

    公开(公告)号：CN104733517A

    公开(公告)日：2015-06-24

    申请号：CN201410686031.7

    申请日：2014-11-25

    Applicant: 国际商业机器公司

    Inventor： 蔡劲 ,  陈国仕 ,  宁德雄 ,  姚正邦

    IPC: H01L29/735 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L29/1008 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66265 ,  H01L29/7317

    Abstract: 本申请涉及半导体结构及其形成方法。提供包括本征基极半导体材料部的横向SOI双极型晶体管结构，其中本征基极的所有表面不形成与集电极半导体材料部或发射极半导体材料部的界面，所述横向SOI双极型晶体管结构包含非本征基极半导体材料部。每个非本征基极半导体材料部与本征基极半导体材料部具有相同的导电类型，但是每个非本征基极半导体材料部具有高于本征基极半导体材料部的掺杂剂浓度。本申请的横向SOI双极型晶体管的本征基极半导体材料部不具有任何与周围绝缘体材料层的界面。因此，周围绝缘体材料层中的任何潜在的电荷累积都会被非本征基极半导体材料部屏蔽。

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