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公开(公告)号：CN113785193A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202080033668.X
申请日：2020-04-06
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G01N27/414 , H01L29/73
Abstract: 生物传感器包括体硅衬底和形成在衬底的至少一部分上的垂直双极结晶体管(BJT)。BJT包括发射区、集电区和在发射区和集电区之间外延生长的本征基极区。生物传感器还包括在BJT的本征基极区的两个垂直表面的至少一部分上形成的感测结构。感测结构包括通道/沟道开口，在其至少第一和第二相对侧上暴露本征基极区，以及形成在沟道/沟道开口中并接触本征基极区的至少一部分的至少一介电层，介电层被配置为响应生物分子中的电荷。
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公开(公告)号：CN103811535A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310545981.3
申请日：2013-11-06
Applicant: 国际商业机器公司 , 格罗方德股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L21/28008 , H01L29/0603 , H01L29/4232
Abstract: 本发明提供了一种保护半导体鳍不受侵蚀的电介质金属化合物衬层，其可在形成可去除栅极结构前沉积在半导体鳍上。在图案化可去除栅极结构和栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层保护半导体鳍。电介质金属化合物衬层可在形成源极区域和漏极区域以及置换栅极结构前去除。作为选择，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和栅极堆叠上，并且可在形成栅极间隙壁后去除。此外，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和可去除栅极结构上，并且可在形成栅极间隙壁且去除可去除栅极结构后去除。在每个实施例中，在形成栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层可保护半导体鳍。
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公开(公告)号：CN103872131A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310629718.2
申请日：2013-11-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L21/845 , H01L27/1211 , H01L29/41791 , H01L29/785
Abstract: 本发明实施例包括具有外延生长的合并源极/漏极的多鳍型场效应晶体管结构及其形成方法。实施例可包括在基底基板上方的外延绝缘体层，在该外延绝缘体层上方的栅极结构，在该栅极结构下方的半导体鳍，以及在该外延绝缘体层上、邻近该半导体鳍的该端部的外延源极/漏极区域。该外延绝缘体层可以由生长于半导体基底基板上的外延稀土氧化物形成。实施例还可包括在半导体鳍的端部上、位于半导体鳍端部和外延源极/漏极区域之间的鳍延伸区域。在一些实施例中，在栅极结构下方的半导体鳍的端部可以形成凹陷。
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公开(公告)号：CN103811535B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310545981.3
申请日：2013-11-06
Applicant: 国际商业机器公司 , 格罗方德股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了一种保护半导体鳍不受侵蚀的电介质金属化合物衬层，其可在形成可去除栅极结构前沉积在半导体鳍上。在图案化可去除栅极结构和栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层保护半导体鳍。电介质金属化合物衬层可在形成源极区域和漏极区域以及置换栅极结构前去除。作为选择，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和栅极堆叠上，并且可在形成栅极间隙壁后去除。此外，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和可去除栅极结构上，并且可在形成栅极间隙壁且去除可去除栅极结构后去除。在每个实施例中，在形成栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层可保护半导体鳍。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114846636A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202080086886.X
申请日：2020-12-14
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种电阻式随机存取存储器(RRAM)结构，包括分别与第一金属连接线和第二金属连接线电耦合的顶部电极和底部电极(106、108)，所述第一金属连接线和所述第二金属连接线提供到所述RRAM结构的电连接。电阻转换材料(106)的层设置在RRAM结构的顶部电极和底部电极(106、108)之间。所述电阻转换材料(106)在至少电场和/或热的影响下表现出可测量的电阻变化。电介质间隔体(324)至少形成于RRAM结构的底部电极的侧壁上。RRAM结构还包括钝化层(326)，其形成在电介质间隔体(324)的上表面上并覆盖顶部电极(110)的侧壁的至少一部分。钝化层(326)与第一金属连接线自对准。
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公开(公告)号：CN114424354A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202080065074.7
申请日：2020-09-22
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 具有改进的化学和物理性质的硬化的间隙填充电介质材料横向邻近存储器结构的多层磁隧道结(MTJ)柱和顶部电极结构形成。硬化的间隙填充电介质材料可通过经由离子注入将断键添加剂引入到沉积态的间隙填充电介质材料层中，然后固化包含断键添加剂的间隙填充电介质材料层而形成。固化包括单独的UV固化，或UV固化与激光退火的组合。本申请中所采用的固化不会不利地影响MTJ柱或顶部电极结构。
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公开(公告)号：CN103811552A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310535821.0
申请日：2013-11-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L29/66553 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L2924/0002 , H01L29/0603 , H01L29/66007 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其形成方法。该半导体装置为鳍场效应晶体管，包括在基板上的多个鳍结构以及在多个鳍结构的沟道部分上的共享栅极结构。该鳍场效应晶体管还包括外延半导体材料，其具有在多个鳍结构中的相邻鳍结构之间的第一部分和存在于该多个鳍结构的端部鳍结构的最外侧壁上的第二部分。外延半导体材料对多个鳍结构的每个鳍结构提供源极区域和漏极区域。氮化物包含间隔体设置在外延半导体材料的第二部分的最外侧壁上。
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公开(公告)号：CN113785193B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202080033668.X
申请日：2020-04-06
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G01N27/414 , H01L29/73
Abstract: 生物传感器包括体硅衬底和形成在衬底的至少一部分上的垂直双极结晶体管(BJT)。BJT包括发射区、集电区和在发射区和集电区之间外延生长的本征基极区。生物传感器还包括在BJT的本征基极区的两个垂直表面的至少一部分上形成的感测结构。感测结构包括通道/沟道开口，在其至少第一和第二相对侧上暴露本征基极区，以及形成在沟道/沟道开口中并接触本征基极区的至少一部分的至少一介电层，介电层被配置为响应生物分子中的电荷。
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公开(公告)号：CN114846621A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202080087723.3
申请日：2020-12-04
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： A.雷兹尼塞克 , B.赫克马特肖亚塔巴里 , 安藤崇志
IPC: H01L29/66
Abstract: 一种双晶体管二电阻器(2T2R)电阻式随机存取存储器(ReRAM)结构及其形成方法，包括形成在衬底(102)上的两个垂直场效应晶体管(VFET)，每个VFET包括位于沟道区(302)上方和电介质盖(308)下方的外延区(410)。外延区(410)包括水平延伸超过沟道区(302)的两个相对的三角形突出区。金属栅极材料(602)设置在沟道区(302)上和沟道区(302)周围。金属栅极材料(602)的一部分位于两个VFET之间。ReRAM堆叠体被沉积在与每个VFET的与位于两个VFET之间的金属栅极材料(602)的部分相对的一侧相邻的两个开口(1010)内。直接接触ReRAM堆叠体的外延区(410)的一部分作为ReRAM结构的底部电极。
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