公开(公告)号：CN107078023A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580060177.3

申请日：2015-11-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P.安德里 ,  J.格洛姆 ,  C.K-I.曾 ,  B.韦伯

IPC: H01L21/02

Abstract: 使用黏着层及烧蚀层两者的吸收特性来促进装置晶片与玻璃操作体的剥离，而不会损害装置晶片。黏着层及烧蚀层的穿透深度选择成使得到达装置晶片的表面的烧蚀注量至多是可忽略的量。

公开(公告)号：CN102301465B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201080005862.3

申请日：2010-04-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B.韦伯 ,  J.M.科特 ,  C.V.贾尼斯

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供用于形成贯穿通路的方法和设备，例如，提供一种在包括衬底的半导体晶片的一部分中形成通路的方法。该方法包括：形成围绕衬底的第一部分的沟槽，使得第一部分与衬底的第二部分分离；在第一部分中形成贯穿衬底的孔；以及在孔中形成第一金属。沟槽贯穿衬底延伸。第一金属从衬底的前表面延伸到衬底的后表面。通路(240)包括孔和第一金属。

公开(公告)号：CN113826197A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202080036499.5

申请日：2020-05-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E.P.莱万多夫斯基 ,  B.韦伯 ,  J.B.赫茨伯格 ,  M.桑德伯格 ,  O.金卡

IPC: H01L23/44

Abstract: 使用箔和低温器件(LTD)形成热化结构。箔包括第一材料的第一层。LTD包括表面，热量从该表面传递离开LTD。在箔和LTD的表面之间形成耦接，其中，耦接包括在箔和表面之间形成的结合，使得形成结合在箔中形成一组脊，该组脊中的脊用于散热。

公开(公告)号：CN102301465A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080005862.3

申请日：2010-04-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B.韦伯 ,  J.M.科特 ,  C.V.贾尼斯

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供用于形成贯穿通路的方法和设备，例如，提供一种在包括衬底的半导体晶片的一部分中形成通路的方法。该方法包括：形成围绕衬底的第一部分的沟槽，使得第一部分与衬底的第二部分分离；在第一部分中形成贯穿衬底的孔；以及在孔中形成第一金属。沟槽贯穿衬底延伸。第一金属从衬底的前表面延伸到衬底的后表面。通路(240)包括孔和第一金属。

公开(公告)号：CN115669286A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180039067.4

申请日：2021-06-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E.莱万多夫斯基 ,  姚正邦 ,  E.张 ,  B.韦伯

IPC: H10N60/01 ,  H10N60/12 ,  H10N60/00 ,  G06N10/40

Abstract: 提供了用于选择性地调谐超导约瑟夫森结谐振器的操作频率的技术，包括通过等离子体处理化学地改变约瑟夫森结(110)，优选地通过将transmon量子位裸片(104)掩蔽暴露于包括诸如氢或氧的反应物的等离子体(502)。特别地，等离子体处理调节约瑟夫森结的电阻。还公开了一种用于进行等离子体处理的装置。