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公开(公告)号:CN102301465B
公开(公告)日:2014-12-24
申请号:CN201080005862.3
申请日:2010-04-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
Abstract: 提供用于形成贯穿通路的方法和设备,例如,提供一种在包括衬底的半导体晶片的一部分中形成通路的方法。该方法包括:形成围绕衬底的第一部分的沟槽,使得第一部分与衬底的第二部分分离;在第一部分中形成贯穿衬底的孔;以及在孔中形成第一金属。沟槽贯穿衬底延伸。第一金属从衬底的前表面延伸到衬底的后表面。通路(240)包括孔和第一金属。
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公开(公告)号:CN102687028B
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201080048351.X
申请日:2010-07-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B01D71/02
CPC classification number: B01D67/0065 , B01D71/022 , B01D2323/283 , B01D2325/021 , Y10T428/249953
Abstract: 一种过滤器,包括隔膜,该隔膜中形成有多个纳米通道(14)。第一表面电荷材料(18)沉积在纳米通道的端部上。第一表面电荷材料包括表面电荷,以静电影响电解质溶液(20)中的离子,从而当电解质溶液的流体通过纳米通道时,使纳米通道将离子反射回电解质溶液中。还提供制造和使用该过滤器的方法。
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公开(公告)号:CN102687028A
公开(公告)日:2012-09-19
申请号:CN201080048351.X
申请日:2010-07-29
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: B01D67/0065 , B01D71/022 , B01D2323/283 , B01D2325/021 , Y10T428/249953
Abstract: 一种过滤器,包括隔膜,该隔膜中形成有多个纳米通道(14)。第一表面电荷材料(18)沉积在纳米通道的端部上。第一表面电荷材料包括表面电荷,以静电影响电解质溶液(20)中的离子,从而当电解质溶液的流体通过纳米通道时,使纳米通道将离子反射回电解质溶液中。还提供制造和使用该过滤器的方法。
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公开(公告)号:CN102301465A
公开(公告)日:2011-12-28
申请号:CN201080005862.3
申请日:2010-04-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
Abstract: 提供用于形成贯穿通路的方法和设备,例如,提供一种在包括衬底的半导体晶片的一部分中形成通路的方法。该方法包括:形成围绕衬底的第一部分的沟槽,使得第一部分与衬底的第二部分分离;在第一部分中形成贯穿衬底的孔;以及在孔中形成第一金属。沟槽贯穿衬底延伸。第一金属从衬底的前表面延伸到衬底的后表面。通路(240)包括孔和第一金属。
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