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公开(公告)号：CN102301465B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201080005862.3
申请日：2010-04-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
Abstract: 提供用于形成贯穿通路的方法和设备，例如，提供一种在包括衬底的半导体晶片的一部分中形成通路的方法。该方法包括：形成围绕衬底的第一部分的沟槽，使得第一部分与衬底的第二部分分离；在第一部分中形成贯穿衬底的孔；以及在孔中形成第一金属。沟槽贯穿衬底延伸。第一金属从衬底的前表面延伸到衬底的后表面。通路(240)包括孔和第一金属。
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公开(公告)号：CN103718304B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201280026057.8
申请日：2012-06-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/84
CPC classification number: B81B3/001 , B81B3/0021 , B81B3/0059 , B81B3/0072 , B81B7/0006 , B81B7/008 , B81B2201/016 , B81B2203/0163 , B81C1/00015 , B81C1/0015 , B81C1/00476 , G06F17/5045 , H01L41/094 , H01L41/1134 , H01L41/1138 , Y10T29/49002 , Y10T29/49005 , Y10T29/4908 , Y10T29/49121
Abstract: 提供微机电系统（MEMS）结构、制造方法和设计结构。形成MEMS结构的方法包括在基板（10）上形成配线层（14），包括致动器电极（115）和接触电极（110）。该方法还包括在配线层（14）上方形成MEMS梁（100）。该方法还包括形成附着到MEMS梁（100）的至少一端的至少一个弹簧（200）。该方法还包括在配线层（14）和MEMS梁（100）之间形成微型凸块（105’）的阵列。
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公开(公告)号：CN103718304A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201280026057.8
申请日：2012-06-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/84
CPC classification number: B81B3/001 , B81B3/0021 , B81B3/0059 , B81B3/0072 , B81B7/0006 , B81B7/008 , B81B2201/016 , B81B2203/0163 , B81C1/00015 , B81C1/0015 , B81C1/00476 , G06F17/5045 , H01L41/094 , H01L41/1134 , H01L41/1138 , Y10T29/49002 , Y10T29/49005 , Y10T29/4908 , Y10T29/49121
Abstract: 提供微机电系统（MEMS）结构、制造方法和设计结构。形成MEMS结构的方法包括在基板（10）上形成配线层（14），包括致动器电极（115）和接触电极（110）。该方法还包括在配线层（14）上方形成MEMS梁（100）。该方法还包括形成附着到MEMS梁（100）的至少一端的至少一个弹簧（200）。该方法还包括在配线层（14）和MEMS梁（100）之间形成微型凸块（105’）的阵列。
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公开(公告)号：CN102301465A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080005862.3
申请日：2010-04-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
Abstract: 提供用于形成贯穿通路的方法和设备，例如，提供一种在包括衬底的半导体晶片的一部分中形成通路的方法。该方法包括：形成围绕衬底的第一部分的沟槽，使得第一部分与衬底的第二部分分离；在第一部分中形成贯穿衬底的孔；以及在孔中形成第一金属。沟槽贯穿衬底延伸。第一金属从衬底的前表面延伸到衬底的后表面。通路(240)包括孔和第一金属。
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