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公开(公告)号：CN113826197A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202080036499.5
申请日：2020-05-13
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： E.P.莱万多夫斯基 , B.韦伯 , J.B.赫茨伯格 , M.桑德伯格 , O.金卡
IPC: H01L23/44
Abstract: 使用箔和低温器件(LTD)形成热化结构。箔包括第一材料的第一层。LTD包括表面，热量从该表面传递离开LTD。在箔和LTD的表面之间形成耦接，其中，耦接包括在箔和表面之间形成的结合，使得形成结合在箔中形成一组脊，该组脊中的脊用于散热。
