公开(公告)号：CN113875003A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202080036793.6

申请日：2020-06-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： O.金卡 ,  S.B.奥利瓦德塞 ,  S.哈特 ,  N.T.布龙 ,  J.周 ,  M.布林克 ,  P.古曼 ,  D.F.博戈林

IPC: H01L23/367 ,  G06N10/00 ,  G06F30/20 ,  G06F113/18

Abstract: 使用配置有柱组的盖来形成热化结构，盖是低温器件(LTD)的低温外壳的一部分。包括LTD的芯片配置有空腔组，该空腔组中的腔具有腔轮廓。来自所述柱组且对应于所述空腔的柱具有柱轮廓，使得所述柱轮廓使所述柱在间隙容差内与所述空腔轮廓的所述空腔耦合以将所述芯片热耦合到所述盖以用于在所述芯片的低温操作中的热耗散。

公开(公告)号：CN113826197A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202080036499.5

申请日：2020-05-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E.P.莱万多夫斯基 ,  B.韦伯 ,  J.B.赫茨伯格 ,  M.桑德伯格 ,  O.金卡

IPC: H01L23/44

Abstract: 使用箔和低温器件(LTD)形成热化结构。箔包括第一材料的第一层。LTD包括表面，热量从该表面传递离开LTD。在箔和LTD的表面之间形成耦接，其中，耦接包括在箔和表面之间形成的结合，使得形成结合在箔中形成一组脊，该组脊中的脊用于散热。

公开(公告)号：CN113875003B

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202080036793.6

申请日：2020-06-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： O.金卡 ,  S.B.奥利瓦德塞 ,  S.哈特 ,  N.T.布龙 ,  J.周 ,  M.布林克 ,  P.古曼 ,  D.F.博戈林

IPC: H01L23/367 ,  G06N10/40 ,  G06F30/20 ,  G06F113/18

Abstract: 使用配置有柱组的盖来形成热化结构，盖是低温器件(LTD)的低温外壳的一部分。包括LTD的芯片配置有空腔组，该空腔组中的腔具有腔轮廓。来自所述柱组且对应于所述空腔的柱具有柱轮廓，使得所述柱轮廓使所述柱在间隙容差内与所述空腔轮廓的所述空腔耦合以将所述芯片热耦合到所述盖以用于在所述芯片的低温操作中的热耗散。