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公开(公告)号：CN112703636B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201980059600.6
申请日：2019-09-03
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 片上微波滤波器电路包括由至少表现出热导率阈值水平的第一材料形成的基板，其中所述热导率阈值水平在量子计算电路工作的低温温度范围内实现。所述滤波器电路还包括被配置为对输入信号中的多个频率进行滤波的色散部件，所述色散部件包括设置在所述基板上的第一传输线，所述第一传输线由至少表现出第二热导率阈值水平的第二材料形成，其中所述第二热导率阈值水平在量子计算电路工作的低温温度范围内实现。色散部件还包括设置在所述基板上的第二传输线，所述第二传输线由所述第二材料形成。
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公开(公告)号：CN111937168B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN201980021512.7
申请日：2019-02-27
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种芯片表面基底器件结构(1100)，包括与第一超导层(104)耦合的包括晶体硅的衬底(206A，206B)，其中第一超导层与包括晶体硅的第二衬底(102)耦合。在一个实施方式中，芯片表面基底器件结构还包括位于衬底的蚀刻区域中的垂直约瑟夫逊结，该垂直约瑟夫逊结包括第一超导层、隧道势垒层和顶部超导层。
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公开(公告)号：CN113875003A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202080036793.6
申请日：2020-06-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/367 , G06N10/00 , G06F30/20 , G06F113/18
Abstract: 使用配置有柱组的盖来形成热化结构，盖是低温器件(LTD)的低温外壳的一部分。包括LTD的芯片配置有空腔组，该空腔组中的腔具有腔轮廓。来自所述柱组且对应于所述空腔的柱具有柱轮廓，使得所述柱轮廓使所述柱在间隙容差内与所述空腔轮廓的所述空腔耦合以将所述芯片热耦合到所述盖以用于在所述芯片的低温操作中的热耗散。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111937168A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201980021512.7
申请日：2019-02-27
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种芯片表面基底器件结构(1100)，包括与第一超导层(104)耦合的包括晶体硅的衬底(206A，206B)，其中第一超导层与包括晶体硅的第二衬底(102)耦合。在一个实施方式中，芯片表面基底器件结构还包括位于衬底的蚀刻区域中的垂直约瑟夫逊结，该垂直约瑟夫逊结包括第一超导层、隧道势垒层和顶部超导层。
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公开(公告)号：CN112219281B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201980035347.0
申请日：2019-06-10
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 提供了与垂直金属上硅超导量子干涉器件有关的技术及其制造方法。还提供了相关的磁通量控制和偏置电路。超导体结构(500)包括：包括在第一晶体硅层(106)和第二晶体硅层(110)之间包括第一超导材料的第一超导层(302)的金属上硅基板。所述超导结构还可以包括：包括第一约瑟夫森结(506)的第一过孔(502)和具有第二约瑟夫森结(516)的第二过孔(504)。可以在所述第一超导层(302)和第二超导层(522)之间形成所述第一过孔(502)和包括第二超导材料的所述第二过孔(504)。围绕所述第二晶体硅层(110)的限定区域的电回路可以包括：包括所述第一约瑟夫森结(506)的所述第一过孔(502)、包括所述第二约瑟夫森结(516)的所述第二过孔(504)、所述第一超导层(302)和所述第二超导层(522)。
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公开(公告)号：CN115280330A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202180020239.3
申请日：2021-03-10
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06N10/00 , H01L23/14 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L25/065
Abstract: 提供了促进用于进行量子多芯片联结的混合读出封装的系统和技术。在各种实施例中，内插件可具有第一量子芯片和第二量子芯片。在各个方面，可以将第一量子芯片上的一个或多个量子位的读出谐振器(例如，输入/输出端口)路由到内插件的内部部分。在各种实例中，内部部分可位于第一量子芯片与第二量子芯片之间。在各个方面，将读出谐振器路由到内部部分可以减少内插件上的输入/输出线与内插件上量子位之间的连接总线之间的交叉和/或相交的数量。
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公开(公告)号：CN112219281A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201980035347.0
申请日：2019-06-10
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 提供了与垂直金属衬底硅超导量子干涉器件有关的技术及其制造方法。还提供了相关的磁通量控制和偏置电路。超导体结构(500)包括：包括在第一晶体硅层(106)和第二晶体硅层(110)之间包括第一超导材料的第一超导层(302)的金属衬底硅基板。所述超导结构还可以包括：包括第一约瑟夫森结(506)的第一过孔(502)和具有第二约瑟夫森结(516)的第二过孔(504)。可以在所述第一超导层(302)和第二超导层(522)之间形成所述第一过孔(502)和包括第二超导材料的所述第二过孔(504)。围绕所述第二晶体硅层(110)的限定区域的电回路可以包括：包括所述第一约瑟夫森结(506)的所述第一过孔(502)、包括所述第二约瑟夫森结(516)的所述第二过孔(504)、所述第一超导层(302)和所述第二超导层(522)。
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公开(公告)号：CN111902941A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201980021325.9
申请日：2019-02-27
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种芯片表面基底器件结构(300)包括物理耦合到晶体衬底(206A，206B)的第一超导材料(112)，其中该晶体衬底物理耦合到第二超导材料(304B)，其中该第二超导材料物理耦合到第二晶体衬底(102)。在一个实现方式中，该芯片表面基底器件结构还包括位于该晶体衬底的通孔中的垂直约瑟夫逊结，该垂直约瑟夫逊结包括该第一超导材料、隧道势垒以及该第二超导材料。在一个实现方式中，该芯片表面基底器件结构还包括transmon量子位，该transmon量子位包括该垂直约瑟夫逊结以及在该第一超导材料与该第二超导材料之间形成的电容器。
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