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公开(公告)号：CN114072649B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202080049021.6
申请日：2020-06-30
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G01K7/32 , G06F30/367 , G06N10/20
Abstract: 提供了关于确定一个或多个量子计算装置的温度的技术。例如，在此描述的一个或多个实施例可以包括一种系统，该系统可以包括一个温度组件，该温度组件可以基于该超导谐振器由于动力学电感随温度变化而变化所展现的频率偏移来确定该超导谐振器的温度。
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公开(公告)号：CN114072649A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202080049021.6
申请日：2020-06-30
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G01K7/32 , G06F30/367 , G06N10/20
Abstract: 提供了关于确定一个或多个量子计算装置的温度的技术。例如，在此描述的一个或多个实施例可以包括一种系统，该系统可以包括一个温度组件，该温度组件可以基于该超导谐振器由于动力学电感随温度变化而变化所展现的频率偏移来确定该超导谐振器的温度。
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公开(公告)号：CN113272833A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202080008131.8
申请日：2020-01-23
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 保护量子处理器的量子位免受自发发射和热光子噪声的影响包括将滤波器的第一端口连接到量子处理器的量子位电路的读出谐振器的信号线。该滤波器具有包括与读出谐振器相关联的读出谐振器频率的通带和包括与量子位电路相关联的量子位跃迁频率的第一阻带。滤波器的第二端口连接到测量设备。滤波器的信号线被电流连接到与低温恒温器的级热接触的电流连接。该电流连接还形成与量子位电路的输入信号线的热连接。
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公开(公告)号：CN111357020B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201780096829.8
申请日：2017-12-21
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06N10/20 , H01L21/768 , H01L21/60 , H10N60/81 , H01L25/065 , H10N60/80 , H10N69/00 , H01L23/49
Abstract: 本发明的实施例公开了一种计算机系统及其形成方法，该计算机系统具有布置在二维类平面结构中的多个量子电路，这些量子电路包括量子位和总线(即，量子位‑量子位互连)。量子计算机系统包括以二维模式布置的多个量子电路。不沿着多个量子电路的二维平面的周界的至少一个内部量子电路包含底部芯片、器件层、顶部芯片和路由层。信号线将器件层连接到路由层，其中信号线越过二维平面，例如，信号线延伸到不同的平面中。
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公开(公告)号：CN113875003A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202080036793.6
申请日：2020-06-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/367 , G06N10/00 , G06F30/20 , G06F113/18
Abstract: 使用配置有柱组的盖来形成热化结构，盖是低温器件(LTD)的低温外壳的一部分。包括LTD的芯片配置有空腔组，该空腔组中的腔具有腔轮廓。来自所述柱组且对应于所述空腔的柱具有柱轮廓，使得所述柱轮廓使所述柱在间隙容差内与所述空腔轮廓的所述空腔耦合以将所述芯片热耦合到所述盖以用于在所述芯片的低温操作中的热耗散。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111357020A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201780096829.8
申请日：2017-12-21
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06N10/00 , H01L25/065 , H01L23/49 , H01L21/768 , H01L21/60 , H01L39/02 , H01L39/04 , H01L27/18
Abstract: 本发明的实施例公开了一种计算机系统及其形成方法，该计算机系统具有布置在二维类平面结构中的多个量子电路，这些量子电路包括量子位和总线(即，量子位-量子位互连)。量子计算机系统包括以二维模式布置的多个量子电路。不沿着多个量子电路的二维平面的周界的至少一个内部量子电路包含底部芯片、器件层、顶部芯片和路由层。信号线将器件层连接到路由层，其中信号线越过二维平面，例如，信号线延伸到不同的平面中。
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公开(公告)号：CN112703636B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201980059600.6
申请日：2019-09-03
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 片上微波滤波器电路包括由至少表现出热导率阈值水平的第一材料形成的基板，其中所述热导率阈值水平在量子计算电路工作的低温温度范围内实现。所述滤波器电路还包括被配置为对输入信号中的多个频率进行滤波的色散部件，所述色散部件包括设置在所述基板上的第一传输线，所述第一传输线由至少表现出第二热导率阈值水平的第二材料形成，其中所述第二热导率阈值水平在量子计算电路工作的低温温度范围内实现。色散部件还包括设置在所述基板上的第二传输线，所述第二传输线由所述第二材料形成。
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公开(公告)号：CN114762137A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080078195.5
申请日：2020-11-10
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 通过在超导体层(410)上形成限定器件区域和器件区域内的感测区域的第一抗蚀剂图案来制造量子计算器件。去除感测区域内的超导体层，从而暴露器件区域外部的下面的半导体层(340)的区域。对半导体层的暴露的区域进行注入，形成围绕器件区域的隔离区域(240)。在注入之后使用蚀刻工艺，暴露感测区域和与隔离区域相邻的超导体层的器件区域的部分。通过在感测区域内沉积第一金属层，形成隧道结栅极(204)。通过将半导体层与第二金属层耦合来形成感测区域栅极(202)。还形成化学势栅极(208，210)。使用所述第二金属在感测区域外部的器件区域的部分内形成纳米棒触点(206，212)。
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公开(公告)号：CN114667608A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202080077908.6
申请日：2020-11-10
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 通过在超导体层(410)上形成限定器件区和器件区内的感测区的第一抗蚀剂图案来制造量子计算器件。感测区内的超导体层被去除，从而暴露器件区外的底下半导体层(340)的区。对半导体层的暴露区进行注入，形成围绕器件区的隔离区(240，2150)。在注入之后使用蚀刻工艺，感测区和超导体层的器件区的邻近隔离区的部分被暴露。通过在感测区内沉积第一金属层形成隧道结栅极(204)。包括反射测量区内的第二金属的反射测量导线(202)被形成。纳米柱触点(206，212)使用器件区的感测区外的部分内的第二金属来形成。
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公开(公告)号：CN114730792A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080077978.1
申请日：2020-11-10
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/18
Abstract: 通过在超导体层(410)上形成限定器件区和器件区内的感测区的第一抗蚀剂图案来制造量子计算器件。感测区内的超导体层被去除，从而暴露器件区外的底下半导体层(340)的第一表面的区。对半导体层的暴露区进行注入，形成围绕器件区的隔离区。感测区和超导体层的器件的部分被暴露。通过将半导体层的第一表面与第一金属层耦合来形成感测区触点(202)。使用所述器件区的感测区外的部分内的第一金属来形成纳米柱触点(206，212)。通过在感测区内的半导体层的第二表面上沉积第二金属层来形成隧道结栅极(204)。
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