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公开(公告)号：CN113678256B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202080027906.6
申请日：2020-04-06
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种量子位，包括基板和第一电容器结构，所述第一电容器结构具有形成在所述基板的表面上的下部和在所述基板的表面上方延伸的至少一个第一凸起部分。该量子位进一步包括第二电容器结构，该第二电容器结构具有形成在该基板的表面上的下部以及在该基板的表面上方延伸的至少一个第二凸起部分。第一电容器结构和第二电容器结构由超导材料形成。该量子位进一步包括在该第一电容器结构与该第二电容器结构之间的结。该结设置在距该基板的表面预定距离处，并且具有与该第一凸起部分接触的第一端和与该第二凸起部分接触的第二端。
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公开(公告)号：CN113853618A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202080036798.9
申请日：2020-06-15
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 使用一个第一芯片(302)和一个第二芯片(306)形成一个量子计算装置(300)，该第一芯片具有第一衬底(303)、第一组焊盘(312A,B)、以及安置在该第一衬底上的约瑟夫逊结组(304)。第二芯片具有第二衬底(307)、设置在第二衬底上与第一组焊盘相对的第二组焊盘(308)、以及形成在第二组焊盘的子集上的第二层(310A,B)。该第二层被构造成用于接合该第一芯片和该第二芯片。该第二组焊盘的子集对应于该约瑟夫逊结组的子集，该子集被选择为避免量子位组中的量子位之间的频率冲突。使用来自约瑟夫逊结的子集的一个约瑟夫逊结以及不在该子集中的另一个约瑟夫逊结来形成一个量子位，该另一个约瑟夫逊结被使得不可用于形成量子位。
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公开(公告)号：CN113875003A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202080036793.6
申请日：2020-06-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/367 , G06N10/00 , G06F30/20 , G06F113/18
Abstract: 使用配置有柱组的盖来形成热化结构，盖是低温器件(LTD)的低温外壳的一部分。包括LTD的芯片配置有空腔组，该空腔组中的腔具有腔轮廓。来自所述柱组且对应于所述空腔的柱具有柱轮廓，使得所述柱轮廓使所述柱在间隙容差内与所述空腔轮廓的所述空腔耦合以将所述芯片热耦合到所述盖以用于在所述芯片的低温操作中的热耗散。
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公开(公告)号：CN113169263A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980078862.7
申请日：2019-11-22
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 呈现了用于形成量子电路的技术，包括量子电路的组件之间的连接。可以通过去除电介质材料的一部分和层叠在电介质材料顶部上的导电材料(1004)的一部分来在电介质材料(1002)中形成沟槽(1006)，以使得能够创建电路的电路组件(1016，1018)。沟槽可以限定规则凸块或补偿凸块(1012，1014)，以促进创建连接至凸块上的电路组件的电引线(1030，1032)。补偿结块可以包括凹陷区域(1024，1026)，以促进在蒸发期间沉积材料以形成引线。对于补偿凸块的实现方式，可以在两个方向上蒸发材料，其中在此类蒸发之间执行氧化，以便接触引线并且形成约瑟夫逊结(1028)。对于规则凸块的实现方式，材料可以在四个方向上蒸发，其中在第三与第四蒸发之间执行氧化，以便接触引线并且形成约瑟夫逊结。
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公开(公告)号：CN114793470B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202080085465.5
申请日：2020-12-07
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 提供了可以促进开关器件的装置、系统、方法、计算机实现的方法、设备和/或计算机程序产品，所述开关器件对量子装置中的谐振器的频率进行移位。根据实施例，一种装置(102)可以包括耦合到量子位的读出谐振器(104)。所述装置还可以包括跨越所述读出谐振器形成的开关器件(108)，所述开关器件基于所述开关器件的位置来移位所述读出谐振器的频率。根据另一个实施例，一种装置可以包括耦合到多个量子位的总线谐振器。所述装置可进一步包括跨越所述总线谐振器形成的开关器件，所述开关器件基于所述开关器件的位置而使所述总线谐振器的频率移位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112913337A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201980068140.3
申请日：2019-10-10
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： P.古曼 , S.B.奥利夫阿德斯 , J.周
Abstract: 设备包括由第一材料形成的第一衬底，该第一材料表现出导热率的阈值水平。导热率的阈值水平是在量子电路工作的低温温度范围内实现的。在一个实施例中，该设备还包括设置在第一衬底的凹槽中的第二衬底，该第二衬底由表现出导热率的第二阈值水平的第二材料形成，导热率的第二阈值水平是在量子电路工作的低温温度范围内实现的。在一实施例中，至少一个量子位设置在第二衬底上。在一个实施例中，该设备还包括传输线，该传输线被配置为在第一衬底和第二衬底之间传送微波信号。
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公开(公告)号：CN113169263B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201980078862.7
申请日：2019-11-22
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 呈现了用于形成量子电路的技术，包括量子电路的组件之间的连接。可以通过去除电介质材料的一部分和层叠在电介质材料顶部上的导电材料(1004)的一部分来在电介质材料(1002)中形成沟槽(1006)，以使得能够创建电路的电路组件(1016，1018)。沟槽可以限定规则凸块或补偿凸块(1012，1014)，以促进创建连接至凸块上的电路组件的电引线(1030，1032)。补偿结块可以包括凹陷区域(1024，1026)，以促进在蒸发期间沉积材料以形成引线。对于补偿凸块的实现方式，可以在两个方向上蒸发材料，其中在此类蒸发之间执行氧化，以便接触引线并且形成约瑟夫逊结(1028)。对于规则凸块的实现方式，材料可以在四个方向上蒸发，其中在第三与第四蒸发之间执行氧化，以便接触引线并且形成约瑟夫逊结。
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公开(公告)号：CN113875003B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202080036793.6
申请日：2020-06-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/367 , G06N10/40 , G06F30/20 , G06F113/18
Abstract: 使用配置有柱组的盖来形成热化结构，盖是低温器件(LTD)的低温外壳的一部分。包括LTD的芯片配置有空腔组，该空腔组中的腔具有腔轮廓。来自所述柱组且对应于所述空腔的柱具有柱轮廓，使得所述柱轮廓使所述柱在间隙容差内与所述空腔轮廓的所述空腔耦合以将所述芯片热耦合到所述盖以用于在所述芯片的低温操作中的热耗散。
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公开(公告)号：CN114793470A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202080085465.5
申请日：2020-12-07
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 提供了可以促进开关器件的装置、系统、方法、计算机实现的方法、设备和/或计算机程序产品，所述开关器件对量子装置中的谐振器的频率进行移位。根据实施例，一种装置(102)可以包括耦合到量子位的读出谐振器(104)。所述装置还可以包括跨越所述读出谐振器形成的开关器件(108)，所述开关器件基于所述开关器件的位置来移位所述读出谐振器的频率。根据另一个实施例，一种装置可以包括耦合到多个量子位的总线谐振器。所述装置可进一步包括跨越所述总线谐振器形成的开关器件，所述开关器件基于所述开关器件的位置而使所述总线谐振器的频率移位。
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公开(公告)号：CN113678256A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202080027906.6
申请日：2020-04-06
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种量子位，包括基板和第一电容器结构，所述第一电容器结构具有形成在所述基板的表面上的下部和在所述基板的表面上方延伸的至少一个第一凸起部分。该量子位进一步包括第二电容器结构，该第二电容器结构具有形成在该基板的表面上的下部以及在该基板的表面上方延伸的至少一个第二凸起部分。第一电容器结构和第二电容器结构由超导材料形成。该量子位进一步包括在该第一电容器结构与该第二电容器结构之间的结。该结设置在距该基板的表面预定距离处，并且具有与该第一凸起部分接触的第一端和与该第二凸起部分接触的第二端。
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