公开(公告)号：CN100524648C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200580011628.0

申请日：2005-03-23

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·M·盖茨 ,  A·格里尔 ,  D·R·梅代罗斯 ,  D·诺伊迈尔 ,  S·V·源 ,  V·V·帕特尔 ,  王新辉

IPC分类号： H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  C23C16/40

CPC分类号： H01L21/3122 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695

摘要： 公开了以平行板化学气相沉积工艺，利用离子体增强化学气相沉积(“PECVD”)工艺制造包括Si、C、O和H原子的热稳定的超低介电常数膜的方法。进一步公开了包含由本方法制造的热稳定超低介电常数材料的绝缘层的电子器件。为了制造热稳定的超低介电常数膜，使用特殊的前体材料，如硅烷衍生物例如二乙氧基甲基硅烷(DEMS)和有机分子例如双环庚二烯和环戊烯氧化物。

公开(公告)号：CN1950932A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200580011628.0

申请日：2005-03-23

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·M·盖茨 ,  A·格里尔 ,  D·R·梅代罗斯 ,  D·诺伊迈尔 ,  S·V·源 ,  V·V·帕特尔 ,  王新辉

IPC分类号： H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  C23C16/40

CPC分类号： H01L21/3122 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695

摘要： 公开了以平行板化学气相沉积工艺，利用离子体增强化学气相沉积(“PECVD”)工艺制造包括Si、C、O和H原子的热稳定的超低介电常数膜的方法。进一步公开了包含由本方法制造的热稳定超低介电常数材料的绝缘层的电子器件。为了制造热稳定的超低介电常数膜，使用特殊的前体材料，如硅烷衍生物例如二乙氧基甲基硅烷(DEMS)和有机分子例如双环庚二烯和环戊烯氧化物。