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公开(公告)号：CN103855218A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310627769.1
申请日：2013-11-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1606 , B82Y10/00 , H01L21/02527 , H01L29/517 , H01L29/66015 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/78684 , Y10S977/734
Abstract: 本发明涉及自对准双栅石墨烯晶体管及其制造方法。公开了一种制造半导电器件的方法。在衬底上形成石墨烯片。在所述石墨烯片中形成至少一个狭槽，其中所述至少一个狭槽具有允许蚀刻剂穿过所述石墨烯片的宽度。穿过形成在所述石墨烯片中的所述至少一个狭槽向所述衬底施加蚀刻剂以蚀刻所述衬底。
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公开(公告)号：CN103824778A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201310572051.7
申请日：2013-11-13
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/786 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/775 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , H01L29/66045 , H01L51/0048 , H01L51/0554 , H01L51/0558 , H01L29/78684 , H01L21/28017 , H01L29/42384 , H01L29/66742
Abstract: 本发明涉及碳纳米管薄膜的垂直叠层形成的晶体管。公开了一种碳纳米管场效应晶体管。该碳纳米管场效应晶体管包括：第一碳纳米管膜；耦合到所述第一碳纳米管膜的第一栅极层以及与所述第一栅极层相对并耦合到所述第一栅极层的第二碳纳米管膜。所述第一栅极层配置成影响所述第一碳纳米管膜中的电场以及影响所述第二碳纳米管膜的电场。源极接触和漏极接触中的至少一个耦合到所述第一和第二碳纳米管膜并且通过欠重叠区域与所述第一栅极层分开。
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公开(公告)号：CN104969335B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201380063493.7
申请日：2013-08-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L51/055 , B82Y10/00 , B82Y99/00 , H01L29/78 , H01L51/0048 , Y10S977/842 , Y10S977/938
Abstract: 公开了一种制造半导体器件的方法。在衬底上形成碳纳米管。移除衬底部分以在所述碳纳米管的一段之下形成凹陷。在所述凹陷中施加掺杂的材料以制造所述半导体器件。该凹陷可位于形成在衬底上的一个或多个接触之间，该一个或多个接触由间隙分离。
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公开(公告)号：CN103824778B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310572051.7
申请日：2013-11-13
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/786 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/775 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , H01L29/66045 , H01L51/0048 , H01L51/0554 , H01L51/0558
Abstract: 本发明涉及碳纳米管薄膜的垂直叠层形成的晶体管。公开了一种碳纳米管场效应晶体管。该碳纳米管场效应晶体管包括：第一碳纳米管膜；耦合到所述第一碳纳米管膜的第一栅极层以及与所述第一栅极层相对并耦合到所述第一栅极层的第二碳纳米管膜。所述第一栅极层配置成影响所述第一碳纳米管膜中的电场以及影响所述第二碳纳米管膜的电场。源极接触和漏极接触中的至少一个耦合到所述第一和第二碳纳米管膜并且通过欠重叠区域与所述第一栅极层分开。
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公开(公告)号：CN103329244B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201180064269.0
申请日：2011-12-21
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L29/66045 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02527 , H01L21/044 , H01L29/1606 , H01L29/42376 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/4916 , H01L29/517 , H01L29/66015 , H01L29/66742 , H01L29/78645 , H01L29/78648 , H01L29/78684
Abstract: 一种电子器件包括：绝缘体；嵌入所述绝缘体中的局部第一栅极，其中所述第一栅极的顶表面与所述绝缘体的表面基本共面；在所述第一栅极和绝缘体之上形成的第一介电层；以及沟道。所述沟道包括在所述第一介电层上形成的双层石墨烯层。所述第一介电层提供基本平坦表面，所述沟道形成在该基本平坦表面上。在所述双层石墨烯层之上形成的第二介电层以及在所述第二介电层之上形成的局部第二栅极。所述局部第一和第二栅极中的每一者与所述双层石墨烯层的所述沟道容性耦合。所述局部第一和第二栅极形成第一对栅极以局部地控制所述双层石墨烯层的第一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103855150A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310594462.6
申请日：2013-11-21
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L28/40 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B82Y99/00 , H01G4/008 , H01G4/33 , H01L28/90
Abstract: 本发明涉及片上解耦电容器、集成芯片及其制造方法。公开了一种片上解耦电容器。一个或多个碳纳米管被耦合到所述电容器的第一电极。在所述一个或多个碳纳米管上形成介电肤层。在所述介电肤层上形成有金属涂层。所述介电肤层被配置为将所述一个或多个碳纳米管与所述金属涂层电隔离。
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公开(公告)号：CN103858344B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280026658.9
申请日：2012-05-07
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L29/7781 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L29/1075 , H01L29/1606 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66742 , H01L29/78684 , H01L51/0023 , H01L51/0048 , H01L51/0545 , H01L51/055
Abstract: 提供了具有基于纳米级材料的沟道（例如，碳纳米管或石墨烯沟道）的晶体管器件以及用于制造该器件的技术。在一个方面，提供了一种晶体管器件。该晶体管器件包括基底；基底上的绝缘体；嵌入绝缘体的局部底栅，其中该栅极的顶表面与绝缘体的表面基本共面；底栅上的局部栅极电介质；位于局部栅极电介质的至少一部分之上的碳基纳米结构材料，其中该碳基纳米结构材料的一部分用作所述器件的沟道；以及在所述沟道的相对两侧上与所述碳基纳米结构材料的一个或多个部分接触并用作所述器件的源区和漏区的导电源极和漏极接触部。
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公开(公告)号：CN103329244A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201180064269.0
申请日：2011-12-21
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L29/66045 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02527 , H01L21/044 , H01L29/1606 , H01L29/42376 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/4916 , H01L29/517 , H01L29/66015 , H01L29/66742 , H01L29/78645 , H01L29/78648 , H01L29/78684
Abstract: 一种电子器件包括：绝缘体；嵌入所述绝缘体中的局部第一栅极，其中所述第一栅极的顶表面与所述绝缘体的表面基本共面；在所述第一栅极和绝缘体之上形成的第一介电层；以及沟道。所述沟道包括在所述第一介电层上形成的双层石墨烯层。所述第一介电层提供基本平坦表面，所述沟道形成在该基本平坦表面上。在所述双层石墨烯层之上形成的第二介电层以及在所述第二介电层之上形成的局部第二栅极。所述局部第一和第二栅极中的每一者与所述双层石墨烯层的所述沟道容性耦合。所述局部第一和第二栅极形成第一对栅极以局部地控制所述双层石墨烯层的第一部分。
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公开(公告)号：CN103855218B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201310627769.1
申请日：2013-11-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1606 , B82Y10/00 , H01L21/02527 , H01L29/517 , H01L29/66015 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/78684 , Y10S977/734
Abstract: 本发明涉及自对准双栅石墨烯晶体管及其制造方法。公开了一种制造半导电器件的方法。在衬底上形成石墨烯片。在所述石墨烯片中形成至少一个狭槽，其中所述至少一个狭槽具有允许蚀刻剂穿过所述石墨烯片的宽度。穿过形成在所述石墨烯片中的所述至少一个狭槽向所述衬底施加蚀刻剂以蚀刻所述衬底。
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公开(公告)号：CN104969335A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201380063493.7
申请日：2013-08-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L51/055 , B82Y10/00 , B82Y99/00 , H01L29/78 , H01L51/0048 , Y10S977/842 , Y10S977/938
Abstract: 公开了一种制造半导体器件的方法。在衬底上形成碳纳米管。移除衬底部分以在所述碳纳米管的一段之下形成凹陷。在所述凹陷中施加掺杂的材料以制造所述半导体器件。该凹陷可位于形成在衬底上的一个或多个接触之间，该一个或多个接触由间隙分离。
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