公开(公告)号：CN101383348A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200810212466.2

申请日：2008-08-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 尹海洲 ,  K·L·萨恩格 ,  宋均镛 ,  修凯

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7843

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件。提供了一种在具有(110)表面取向的硅层上并且位于衬底中的PFET。放置在PFET的栅极和源极/漏极区域上的压缩应力衬垫产生沿着PFET沟道方向的一级纵向压缩应变。放置在位于横向邻近PFET的至少一个NFET上的拉伸应力衬垫产生沿着NFET沟道方向的一级纵向拉伸应变。来自该至少一个NFET拉伸衬垫的二级应力场产生PFET沟道内的有利的横向拉伸应力。当PFET沟道方向与(110)硅层内的平面内晶向之间的方位角是从约25°到约55°时，一级压缩纵向应变和二级拉伸横向应力的净效益最大化。

公开(公告)号：CN103858344A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201280026658.9

申请日：2012-05-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈志宏 ,  A·D·富兰克林 ,  汉述仁 ,  J·B·汉拿恩 ,  K·L·萨恩格 ,  G·S·土利维斯盖

IPC: H03H11/46 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/7781 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78684 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055

Abstract: 提供了具有基于纳米级材料的沟道（例如，碳纳米管或石墨烯沟道）的晶体管器件以及用于制造该器件的技术。在一个方面，提供了一种晶体管器件。该晶体管器件包括基底；基底上的绝缘体；嵌入绝缘体的局部底栅，其中该栅极的顶表面与绝缘体的表面基本共面；底栅上的局部栅极电介质；位于局部栅极电介质的至少一部分之上的碳基纳米结构材料，其中该碳基纳米结构材料的一部分用作所述器件的沟道；以及在所述沟道的相对两侧上与所述碳基纳米结构材料的一个或多个部分接触并用作所述器件的源区和漏区的导电源极和漏极接触部。

公开(公告)号：CN102428569B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201080021163.8

申请日：2010-05-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·贝德尔 ,  N·索萨·考特斯 ,  K·E·佛格尔 ,  D·萨达纳 ,  K·L·萨恩格 ,  D·沙杰迪

IPC: H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/0735 ,  H01L21/02002 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种用于制造多结光伏(PV)电池的方法包括：在衬底上形成包括多个结的堆，所述多个结中的每一个都具有相应的能带隙，其中所述多个结从具有最大能带隙的结位于所述衬底上到具有最小能带隙的结位于所述堆的顶部来排序；在所述具有最小能带隙的结之上形成金属层，该金属层具有拉伸应力；将柔性衬底粘附到所述金属层；及在所述衬底中的裂缝处从所述衬底剥离半导体层，其中所述裂缝是响应于所述金属层中的拉伸应力而形成的。

公开(公告)号：CN101383348B

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200810212466.2

申请日：2008-08-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 尹海洲 ,  K·L·萨恩格 ,  宋均镛 ,  修凯

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7843

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件。提供了一种在具有(110)表面取向的硅层上并且位于衬底中的PFET。放置在PFET的栅极和源极/漏极区域上的压缩应力衬垫产生沿着PFET沟道方向的一级纵向压缩应变。放置在位于横向邻近PFET的至少一个NFET上的拉伸应力衬垫产生沿着NFET沟道方向的一级纵向拉伸应变。来自该至少一个NFET拉伸衬垫的二级应力场产生PFET沟道内的有利的横向拉伸应力。当PFET沟道方向与(110)硅层内的平面内[110]晶向之间的方位角是从约25°到约55°时，一级压缩纵向应变和二级拉伸横向应力的净效益最大化。

公开(公告)号：CN103858344B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280026658.9

申请日：2012-05-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈志宏 ,  A·D·富兰克林 ,  汉述仁 ,  J·B·汉拿恩 ,  K·L·萨恩格 ,  G·S·土利维斯盖

IPC: H03H11/46 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/7781 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78684 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055

Abstract: 提供了具有基于纳米级材料的沟道（例如，碳纳米管或石墨烯沟道）的晶体管器件以及用于制造该器件的技术。在一个方面，提供了一种晶体管器件。该晶体管器件包括基底；基底上的绝缘体；嵌入绝缘体的局部底栅，其中该栅极的顶表面与绝缘体的表面基本共面；底栅上的局部栅极电介质；位于局部栅极电介质的至少一部分之上的碳基纳米结构材料，其中该碳基纳米结构材料的一部分用作所述器件的沟道；以及在所述沟道的相对两侧上与所述碳基纳米结构材料的一个或多个部分接触并用作所述器件的源区和漏区的导电源极和漏极接触部。

公开(公告)号：CN102428569A

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201080021163.8

申请日：2010-05-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·贝德尔 ,  N·索萨·考特斯 ,  K·E·佛格尔 ,  D·萨达纳 ,  K·L·萨恩格 ,  D·沙杰迪

IPC: H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/0735 ,  H01L21/02002 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种用于制造多结光伏(PV)电池的方法包括：在衬底上形成包括多个结的堆，所述多个结中的每一个都具有相应的能带隙，其中所述多个结从具有最大能带隙的结位于所述衬底上到具有最小能带隙的结位于所述堆的顶部来排序；在所述具有最小能带隙的结之上形成金属层，该金属层具有拉伸应力；将柔性衬底粘附到所述金属层；及在所述衬底中的裂缝处从所述衬底剥离半导体层，其中所述裂缝是响应于所述金属层中的拉伸应力而形成的。